Showing 25 of 82 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQA140N10
onsemi
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1 | Low gate charge ( Typ. 220nC); 100% avalanche tested; 175°C maximum junction temperature rating; Low Crss ( Typ. 470pF); 140A, 100V RDS(on) = 10mΩ(Max.) @VGS = 10 V, ID = 70A | Transistor Outline, Vertical | FQA140N10 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQA13N50CF
onsemi
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1 | Obsolete - Power MOSFET, N-Channel, QFET, 500 V, 13.5 A, 480 mΩ, TO-3P | Transistor Outline, Vertical | FQA13N50CF |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQA11N90-F109
onsemi
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1 | RoHS compliant; Low gate charge ( Typ. 72nC); 100% avalanche tested; Low Crss ( Typ. 30pF); 11.4A, 900V RDS(on) = 960mΩ(Max.) @VGS = 10 V, ID = 5.7A | Transistor Outline, Vertical | FQA11N90-F109 |
3
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FQA12P20
onsemi
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1 | Fairchild FQA12P20 P-channel MOSFET Transistor, 12.6 A, 200 V, 3-Pin TO-3PN | Transistor Outline, Vertical | FQA12P20 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQA170N06
onsemi
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1 | 170A, 60V RDS(on) = 5.6 mΩ(Max.) @VGS = 10 V, ID = 85 A; 100% avalanche tested; Low Crss ( Typ. 620pF); 175°C maximum junction temperature rating; Low gate charge ( Typ. 220nC) | Transistor Outline, Vertical | FQA170N06 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQA13N80-F109
onsemi
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1 | Low gate charge ( Typ. 68nC); 12.6A, 800V RDS(on) = 750mΩ(Max.) @VGS = 10 V, ID = 6.3A; Low Crss ( Typ. 30pF); 100% avalanche tested | Transistor Outline, Vertical | FQA13N80-F109 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQA-11.0592MHZ
Fox Electronics
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1 | Quartz Crystal | FQA-11.0592MHZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQA16N25C
Rochester Electronics LLC
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1 | 17.8A, 250V, 0.27ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3P, 3 PIN | FQA16N25C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FL400WFQA1
Diodes Incorporated
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1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 40MHz Nom | FL400WFQA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQA11N90_F109
onsemi
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1 | N-Channel QFET® MOSFET 900V, 11.4A, 960mΩ, TO-3PN 3L, 3600-RAIL | FQA11N90_F109 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQA10N80
Rochester Electronics LLC
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1 | 9.8A, 800V, 1.05ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3P, 3 PIN | FQA10N80 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQA11N90
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11.4A I(D), 900V, 0.96ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQA11N90 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQA19N60
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18.5A I(D), 600V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQA19N60 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQA13N50CF_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 500V, 0.48ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQA13N50CF_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQA1-12038SBHW3G
Qualtek Electronics Corporation
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1 | AC Fan, Axial Construction, 0.19A, 115V, 16.5W | FQA1-12038SBHW3G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ASMT-VW00-NFQA1
Broadcom Limited
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1 | Single Color LED, White | ASMT-VW00-NFQA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQA13N50C_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13.5A I(D), 500V, 0.48ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQA13N50C_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQA160N08
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 80V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQA160N08 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQA12P20
Rochester Electronics LLC
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1 | 12.6A, 200V, 0.47ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3PN, 3 PIN | FQA12P20 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQA10N80C-F109
onsemi
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1 | Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 800 V, 10 A, 1.1 Ω, TO-3P, TO-3PN 3L, 450-TUBE | FQA10N80C-F109 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQA19N20L
Rochester Electronics LLC
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1 | 25A, 200V, 0.14ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3P, 3 PIN | FQA19N20L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQA13N50CF
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 500V, 0.48ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQA13N50CF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQA10N80_F109
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.8A I(D), 800V, 1.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQA10N80_F109 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQA12N60
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 600V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQA12N60 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQA13N50CF_F109
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 500V, 0.48ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQA13N50CF_F109 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||