Showing 25 of 479 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
HUF76407D3ST
onsemi
|
1 | Peak Current vs Pulse Width Curve; Simulation Models - Temperature Compensated PSPICE® and SABER™ Electrical Models - Spice and SABER Thermal Impedance Models; Switching Time vs RGS Curves; Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.092Ω, VGS = 10V - rDS(ON) = 0.107Ω, VGS = 5V; UIS Rating Curve | Other | HUF76407D3ST |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
HUF76429S3ST
onsemi
|
1 | Switching Time vs RGS Curves; Peak Current vs Pulse Width Curve; Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.022 Ω, VGS = 10 - rDS(ON) = 0.025 Ω VGS = 5 V; UIS Rating Curve ; Simulation Models - Temperature Compensated PSPICE® and SABER™ Electrical Models - SPICE and SABER Thermal Impedance Models | Other | HUF76429S3ST |
2
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
HUF76629D3ST
onsemi
|
1 | Typ rDS(on) = 41 mΩ at VGS = 10V, ID = 20A; Typ Qg(tot) = 39 nC at VGS = 10 V, ID = 20 A; UIS Capability; RoHS Compliant; Qualified to AEC Q101 | Other | HUF76629D3ST |
2
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
HUF76609D3ST
onsemi
|
1 | Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.160 Ω, VGS = 10 V - rDS(ON) = 0.165 Ω, VGS = 5 V; Peak Current vs Pulse Width Curve; Switching Time vs RGS Curves; Simulation Models - Temperature Compensated PSPICE® and SABER™ Electrical Models - SPICE and SABER Thermal Impedance Models; UIS Rating Curve | Other | HUF76609D3ST |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
HUF76423P3
onsemi
|
1 | Peak Current vs Pulse Width Curve; Simulation Models - Temperature Compensated PSPICE® and SABER™ Electrical Models - SPICE and SABER Thermal Impedance Models; UIS Rating Curve ; Switching Time vs RGS Curves; Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.030Ω, VGS = 10V - rDS(ON) = 0.035Ω, VGS = 5V | Transistor Outline, Vertical | HUF76423P3 |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
HUF76139S3ST
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | HUF76139S3ST |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
HUF76423S3ST
Rochester Electronics LLC
|
1 | 35A, 60V, 0.035ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB | HUF76423S3ST |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
HUF76609D3ST
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.168ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | HUF76609D3ST |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
HUF76443S3S
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 60V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | HUF76443S3S |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
HUF76413P3
Intersil Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 60V, 0.061ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | HUF76413P3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
HUF76443S3S
Rochester Electronics LLC
|
1 | 75A, 60V, 0.01ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB | HUF76443S3S |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
HUF76129D3
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | HUF76129D3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
HUF76139S3ST_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | HUF76139S3ST_NL |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
HUF76137S3ST
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.0125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | HUF76137S3ST |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
HUF76013D3S
Intersil Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 20V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | HUF76013D3S |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
HUF76609D3
Intersil Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.168ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | HUF76609D3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
HUF76419S3ST
Rochester Electronics LLC
|
1 | 29A, 60V, 0.04ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB | HUF76419S3ST |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
HUF76423P3_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | HUF76423P3_NL |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
HUF76131SK8
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 0.017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA | HUF76131SK8 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
HUF76423D3
Rochester Electronics LLC
|
1 | 20A, 60V, 0.04ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA | HUF76423D3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
HUF76143P3
Harris Semiconductor
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.0085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | HUF76143P3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
HUF76407D3
Intersil Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.117ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | HUF76407D3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
HUF76429D3
Intersil Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.029ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | HUF76429D3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
HUF76639P3
Intersil Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 51A I(D), 100V, 0.027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | HUF76639P3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
HUF76639P3
Rochester Electronics LLC
|
1 | 51A, 100V, 0.027ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | HUF76639P3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||