Showing 25 of 56 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD650P06NMATMA1
Infineon
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1 | MOSFET TRENCH 40<-<100V | Other | IPD650P06NMATMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD65R600E6
Infineon
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1 | Infineon IPD65R600E6 N-channel MOSFET Transistor, 7.3 A, 700 V, 3-Pin TO-252 | Other | IPD65R600E6 |
2
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IPD65R225C7
Infineon
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1 | MOSFET N-Ch 650V 11A DPAK-2 CoolMOS C7 | Other | IPD65R225C7 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD65R225C7ATMA1
Infineon
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1 | Trans MOSFET N-CH 700V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Other | IPD65R225C7ATMA1 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD65R600E6BT
Infineon
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1 | Metall Oxide Semiconductor Field Effect Transistor | Other | IPD65R600E6BT |
2
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IPD65R380E6
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10.6A I(D), 650V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IPD65R380E6 |
0
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IPD65R190C7ATMA1
Infineon
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1 | N-Channel 650 V 13A (Tc) 72W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 , 190mOhm , 4V @ 290µA , -55°C ~ 150°C (TJ) | IPD65R190C7ATMA1 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD65R950C6
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 650V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD65R950C6 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD65R420CFDA
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.7A I(D), 650V, 0.42ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD65R420CFDA |
0
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IPD65R1K4CFDATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 650V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD65R1K4CFDATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD65R660CFDATMA2
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 650V, 0.66ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD65R660CFDATMA2 |
0
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IPD65R380E6BTMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 650V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IPD65R380E6BTMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD65R250C6
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 650V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD65R250C6 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD65R950C6ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 650V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD65R950C6ATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD65R420CFDBTMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.7A I(D), 650V, 0.42ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD65R420CFDBTMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD65R190C7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 650V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD65R190C7 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD65R1K4C6ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 650V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-252 | IPD65R1K4C6ATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD65R600E6ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 650V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD65R600E6ATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD65R400CE
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15.1A I(D), 650V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD65R400CE |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD65R250E6
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 650V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD65R250E6 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD65R660CFDBTMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 650V, 0.66ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD65R660CFDBTMA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD65R950CFDATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.9A I(D), 650V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD65R950CFDATMA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD65R1K4CFDBTMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 650V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD65R1K4CFDBTMA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD65R380C6BTMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10.6A I(D), 650V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD65R380C6BTMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD65R1K5CE
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 650V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD65R1K5CE |
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