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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD70P04P4L08ATMA2
Infineon
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1 | P-Channel 40 V 70A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313 | Other | IPD70P04P4L08ATMA2 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD70P04P4-09
Infineon
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1 | -40V, P-Ch, 8.9 mΩ max, Automotive MOSFET, DPAK, OptiMOS™-P2 | Other | IPD70P04P4-09 |
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IPD70R1K4CEAUMA1
Infineon
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1 | N-Channel 700 V 5.4A (Tc) 53W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 | Other | IPD70R1K4CEAUMA1 |
2
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IPD70R360P7S
Infineon
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1 | N-CH 700V 12,5A 360mOhm TO252 | Other | IPD70R360P7S |
2
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IPD70N10S3L-12
Infineon
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1 | Infineon IPD70N10S3L-12 N-channel MOSFET Transistor, 70 A, 100 V, 3-Pin TO-252 | Other | IPD70N10S3L-12 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD70P04P4L08ATMA1
Infineon
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1 | IPD70P04P4L08ATMA1 P-Channel MOSFET, 70 A, 40 V OptiMOS T2, 3-Pin DPAK Infineon | Other | IPD70P04P4L08ATMA1 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD70R1K4P7SAUMA1
Infineon
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1 | MOSFET CONSUMER | Other | IPD70R1K4P7SAUMA1 |
3
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IPD70R900P7SAUMA1
Infineon
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1 | INFINEON - IPD70R900P7SAUMA1 - MOSFET, N-CH, 700V, 6A, TO-252-3 | Other | IPD70R900P7SAUMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD70R360P7SAUMA1
Infineon
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1 | N-Channel 700 V 12.5A (Tc) 59.4W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 | Other | IPD70R360P7SAUMA1 |
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IPD70N03S4L-04
Infineon
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1 | Infineon IPD70N03S4L-04 N-channel MOSFET Transistor, 70 A, 30 V, 3-Pin TO-252 | Other | IPD70N03S4L-04 |
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IPD70R600P7S
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.5A I(D), 700V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD70R600P7S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD70N12S311ATMA1
Infineon
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1 | N-Channel 120 V 70A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 | IPD70N12S311ATMA1 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD70P04P4L-08
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 40V, 0.0078ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD70P04P4L-08 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD70R600CE
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 700V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD70R600CE |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD70R1K4CE
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.4A I(D), 700V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD70R1K4CE |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD70P04P409ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 73A I(D), 40V, 0.0089ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD70P04P409ATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD70N12S3-11
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 120V, 0.0111ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD70N12S3-11 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD70N04S307ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 82A I(D), 40V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD70N04S307ATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD70R950CE
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.4A I(D), 700V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD70R950CE |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD70N10S312ATMA2
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 100V, 0.0111ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD70N10S312ATMA2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD70N12S311ATMA2
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 120V, 0.0111ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD70N12S311ATMA2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD70P04P409ATMA2
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 73A I(D), 40V, 0.0089ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD70P04P409ATMA2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD70R2K0CEAUMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 700V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD70R2K0CEAUMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD70R2K0CE
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 700V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD70R2K0CE |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD70R950CEAUMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 700V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD70R950CEAUMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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