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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD80R2K7C3AATMA1
Infineon
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1 | N-Channel 800 V 2A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK) , 2.7Ohm @ 1.2A, 10V , -40°C ~ 150°C (TJ) | Other | IPD80R2K7C3AATMA1 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD80P03P4L07ATMA1
Infineon
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1 | MOSFET P-Ch -30V -80A DPAK-2 OptiMOS-P2 | Other | IPD80P03P4L07ATMA1 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD80R2K4P7ATMA1
Infineon
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1 | MOSFET LOW POWER_NEW | Other | IPD80R2K4P7ATMA1 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD80R1K4P7ATMA1
Infineon
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1 | Trans MOSFET N 800V 4A 3-Pin TO-252 T/R | Other | IPD80R1K4P7ATMA1 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD80N04S3-06
Infineon
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1 | OptlMOS N-Channel Power MOSFET | Other | IPD80N04S3-06 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD80R280P7ATMA1
Infineon
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1 | N-Channel 800 V 17A (Tc) 101W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 | Other | IPD80R280P7ATMA1 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD80R600P7ATMA1
Infineon
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1 | Power MOSFET, N Channel, 800 V, 8 A, 0.51 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount | Other | IPD80R600P7ATMA1 |
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IPD80R600P7
Infineon
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1 | 800VCoolMOSªP7PowerDevice | Other | IPD80R600P7 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD80R450P7ATMA1
Infineon
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1 | MOSFET LOW POWER_NEW | Other | IPD80R450P7ATMA1 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD80R450P7A1ATM
Infineon
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1 | MOSFET LOW POWER_NEW | Other | IPD80R450P7A1ATM |
2
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IPD80N06S3-09
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0084ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IPD80N06S3-09 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD80R1K4CE
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.9A I(D), 800V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD80R1K4CE |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD80R3K3P7ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 800V, 3.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IPD80R3K3P7ATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD80R1K4CEATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.9A I(D), 800V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD80R1K4CEATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD80R360P7ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 800V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IPD80R360P7ATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD80R750P7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 800V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD80R750P7 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD80R4K5P7ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 800V, 4.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IPD80R4K5P7ATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD80R2K8CE
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 800V, 2.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD80R2K8CE |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD80R4K5P7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 800V, 4.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD80R4K5P7 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD80R900P7ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 800V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD80R900P7ATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD80R750P7ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 800V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD80R750P7ATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD80N04S3-06
Rochester Electronics LLC
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1 | 90A, 40V, 0.0052ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, GREEN, PLASTIC, TO-252, 3 PIN | IPD80N04S3-06 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD80N06S3-09
Rochester Electronics LLC
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1 | 80A, 55V, 0.0084ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, GREEN, TO-252, 3 PIN | IPD80N06S3-09 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD80R280P7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 800V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD80R280P7 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD80R3K3P7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 800V, 3.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD80R3K3P7 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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