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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD80R1K4P7ATMA1
Infineon
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1 | Trans MOSFET N 800V 4A 3-Pin TO-252 T/R | Other | IPD80R1K4P7ATMA1 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD80R2K4P7ATMA1
Infineon
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1 | MOSFET LOW POWER_NEW | Other | IPD80R2K4P7ATMA1 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD80P03P4L07ATMA1
Infineon
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1 | MOSFET P-Ch -30V -80A DPAK-2 OptiMOS-P2 | Other | IPD80P03P4L07ATMA1 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD80N04S3-06
Infineon
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1 | OptlMOS N-Channel Power MOSFET | Other | IPD80N04S3-06 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD80R280P7ATMA1
Infineon
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1 | N-Channel 800 V 17A (Tc) 101W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 | Other | IPD80R280P7ATMA1 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD80R600P7
Infineon
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1 | 800VCoolMOSªP7PowerDevice | Other | IPD80R600P7 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD80R450P7ATMA1
Infineon
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1 | MOSFET LOW POWER_NEW | Other | IPD80R450P7ATMA1 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD80R450P7A1ATM
Infineon
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1 | MOSFET LOW POWER_NEW | Other | IPD80R450P7A1ATM |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD80N04S3-06
Rochester Electronics LLC
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1 | 90A, 40V, 0.0052ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, GREEN, PLASTIC, TO-252, 3 PIN | IPD80N04S3-06 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD80R900P7ATMA1
Infineon
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1 | Power Field-Effect Transistor, 800V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, TO-252, DPAK-3/2 | IPD80R900P7ATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD80R750P7ATMA1
Infineon
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1 | Power Field-Effect Transistor, 800V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, TO-252, DPAK-3/2 | IPD80R750P7ATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD80N06S3-09
Rochester Electronics LLC
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1 | 80A, 55V, 0.0084ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, GREEN, TO-252, 3 PIN | IPD80N06S3-09 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD80R280P7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 800V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3/2 | IPD80R280P7 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD80R3K3P7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, | IPD80R3K3P7 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD80R450P7
Infineon
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1 | Power Field-Effect Transistor, | IPD80R450P7 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD80R2K7C3AATMA1
Infineon
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 800V, 2.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3/2 | IPD80R2K7C3AATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD80N06S3-09
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0084ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, GREEN, TO-252, 3 PIN | IPD80N06S3-09 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD80R1K4CEATMA1
Infineon
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.9A I(D), 800V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3/2 | IPD80R1K4CEATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD80R1K4CE
Infineon
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1 | Infineon IPD80R1K4CE N-channel MOSFET Transistor, 3.9 A, 800 V, 3+Tab-Pin TO-252 | IPD80R1K4CE |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD80R3K3P7ATMA1
Infineon
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1 | Power Field-Effect Transistor, 800V, 3.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, TO-252, DPAK-3/2 | IPD80R3K3P7ATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD80R1K4P7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, | IPD80R1K4P7 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD80R900P7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, | IPD80R900P7 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD800N06NG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 60V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-252, 3 PIN | IPD800N06NG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD80R1K0CEBTMA1
Infineon
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.7A I(D), 800V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3/2 | IPD80R1K0CEBTMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD80R2K0P7ATMA1
Infineon
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1 | Power Field-Effect Transistor, 800V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, TO-252, DPAK-3/2 | IPD80R2K0P7ATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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