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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPN80R4K5P7
Infineon
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1 | 800VCoolMOSªP7PowerTransistor, VDS @ Tj=25°C-800V, RDS(on),max -4.5Ω, Qg,typ - 4nc, ID-1.5A, Eoss @ 500V-0.4µJ, VGS(th),typ-3V | Other | IPN80R4K5P7 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPN80R1K4P7
Infineon
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1 | 800VCoolMOSªP7PowerTransistor , VDS @ Tj=25°C-800V, RDS(on),max-1.4Ω, Qg,typ-10nc, ID-4A, Eoss @ 500V-0.9µJ, VGS(th),typ-3V | Other | IPN80R1K4P7 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPN80R4K5P7ATMA1
Infineon
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1 | MOSFET LOW POWER_NEW | Other | IPN80R4K5P7ATMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPN80R2K4P7
Infineon
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1 | N-Channel Power MOSFET VDS max: 800V, RDS (on) max: 2.4Ω, Qg,typ: 8nC, ID,pulse: 2.5A, Eoss @ 500V: 0.74µJ, SMT, Package: PG-SOT223 | Other | IPN80R2K4P7 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPN80R1K4P7ATMA1
Infineon
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1 | N-Channel 800 V 4A (Tc) 7W (Tc) Surface Mount PG-SOT223, 1.4Ohm, -55°C ~ 150°C | Other | IPN80R1K4P7ATMA1 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPN80R3K3P7ATMA1
Infineon
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1 | MOSFET LOW POWER_NEW | SOT23 (3-Pin) | IPN80R3K3P7ATMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPN80R3K3P7
Infineon
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1 | 800VCoolMOS P7PowerTransistor VDS max: 800V, RDS (on) max: 3.3Ω, Qg,typ: 6nC, ID: 1.9A, Eoss @ 500V: 0.5µJ, A/µs, SMT, Package: PG-SOT223 | Other | IPN80R3K3P7 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPN80R2K4P7ATMA1
Infineon
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1 | MOSFET N-CH 800V 2.5A SOT223 | Other | IPN80R2K4P7ATMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPN80R600P7
Infineon
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1 | N-Channel Power MOSFET, VDS max: 800V, RDS (on) max: 0.60Ω, Qg,typ: 20nC, ID: 8A, Eoss @ 500V: 2.0µJ, SMT, Package: PG-SOT223 | Other | IPN80R600P7 |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPN80R2K0P7
Infineon
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1 | N-Channel Power MOSFET VDS max: 800V, RDS (on) max: 2.0Ω, Qg,typ: 9nC, ID,pulse: 3A, Eoss @ 500V: 0.85µJ, SMT, Package: PG-SOT223 | Other | IPN80R2K0P7 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPN80R900P7ATMA1
Infineon
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1 | MOSFET LOW POWER_NEW | Other | IPN80R900P7ATMA1 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPN80R750P7ATMA1
Infineon
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1 | MOSFET LOW POWER_NEW | Other | IPN80R750P7ATMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPN80R1K2P7
Infineon
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1 | N-Channel Power MOSFET VDS max: 800V, RDS (on) max: 1.2Ω, Qg,typ: 11nC, ID,pulse: 4.5A, Eoss @ 400V: 1.0µJ, SMT, Package: PG-SOT223 | Other | IPN80R1K2P7 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPN80R900P7
Infineon
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1 | Transistor=N-Channel Power MOSFET, ID=6A, IDpuls=14A, Mounting=SMT, Temperature=-55°C 150°C, Ptot=7W, Package=SOT-223, QG=15nC, Qgd=6nC, RDS=900mΩ, RthJA=160K/W, VDS=800V, VGS=2.5V 3.5V | Other | IPN80R900P7 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPN80R750P7
Infineon
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1 | 800V CoolMOSªP7PowerTransistor, VDS @ Tj=25°C -800V, RDS(on),max- 0.75Ω, Qg,typ-17nc , ID-7 AEoss @ 500V-1.6µJ, VGS(th),typ-3V | Other | IPN80R750P7 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPN80R1K2P7ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 800V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPN80R1K2P7ATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPN80R2K0P7ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 800V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPN80R2K0P7ATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPN80R600P7ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 800V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPN80R600P7ATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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KNP-50FTIPN80R6
YAGEO Corporation
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 0.5W, 80.6ohm, 1% +/-Tol, -300,300ppm/Cel, | KNP-50FTIPN80R6 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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KNP2WSJTIPN80R6
YAGEO Corporation
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 2W, 80.6ohm, 5% +/-Tol, -300,300ppm/Cel, | KNP2WSJTIPN80R6 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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KNP-50FTIPN806R
YAGEO Corporation
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 0.5W, 806ohm, 1% +/-Tol, -300,300ppm/Cel, | KNP-50FTIPN806R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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KNP-25FTIPN80R6
YAGEO Corporation
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 0.25W, 80.6ohm, 1% +/-Tol, -300,300ppm/Cel, | KNP-25FTIPN80R6 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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KNP2WSJRIPN806R
YAGEO Corporation
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 2W, 806ohm, 5% +/-Tol, -300,300ppm/Cel, | KNP2WSJRIPN806R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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KNP100FRIPN806R
YAGEO Corporation
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 1W, 806ohm, 1% +/-Tol, -300,300ppm/Cel, | KNP100FRIPN806R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PNP100FRIPN80R6
YAGEO Corporation
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 1W, 80.6ohm, 1% +/-Tol, -300,300ppm/Cel, | PNP100FRIPN80R6 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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