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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD122
CONTINENTAL DEVICE INDIA LTD
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1 | COMPLEMENTARY DARLINGTON PLASTIC POWER TRANSISTORS 100V, 120mA,- 65 to +150 | Other | MJD122 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD122
Changjiang Electronics Tech (CJ)
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1 | Darlington Transistors NPN 8A 100V TO-252-2(DPAK) RoHS | Other | MJD122 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD122
Samsung Semiconductor
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1 | Power Bipolar Transistor, 8A I(C), NPN | MJD122 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD122
Texas Instruments
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0 | Transistor | MJD122 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD122
onsemi
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1 | Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin | MJD122 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD122
MCC
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1 | Medium Power Bipolar Transistors | MJD122 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD122
WEITRON INTERNATIONAL CO., LTD.
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1 | Power Bipolar Transistor | MJD122 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD122
Freescale Semiconductor
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1 | TRANSISTOR,BJT,DARLINGTON,NPN,100V V(BR)CEO,8A I(C),TO-252 | MJD122 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD122
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Bipolar Transistor | MJD122 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD122
Taitron Components Inc
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1 | Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252, Plastic/Epoxy, 2 Pin | MJD122 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD122
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252, Plastic/Epoxy, 2 Pin | MJD122 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD122
National Semiconductor Corporation
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0 | Transistor | MJD122 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD122
Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
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1 | Power Bipolar Transistor, | MJD122 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD122
JCET Group
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1 | NPN transistor in TO-252-2L package with 100 V collector-base and collector-emitter voltage, 8 A continuous collector current, built-in damper diode, high DC current gain, and 1.5 W collector dissipation. | MJD122 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD122
Motorola Semiconductor Products
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1 | Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin | MJD122 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD122T4G
onsemi
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1 | Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 8 A 4MHz 1.75 W Surface Mount DPAK , -65°C ~ 150°C (TJ) | Other | MJD122T4G |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD122-TP
MCC
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1 | Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 8 A 1.5 W Surface Mount DPAK | Other | MJD122-TP |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD122-1
STMicroelectronics
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1 | Low voltage NPN power Darlington transistor | Transistor Outline, Vertical | MJD122-1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD122T4
onsemi
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1 | Obsolete - 8.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor | Other | MJD122T4 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD122T4
STMicroelectronics
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1 | Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 8 A 20 W Surface Mount DPAK , 10µA , 150°C | Other | MJD122T4 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD122-1G
onsemi
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1 | Obsolete - 8.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor | Other | MJD122-1G |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD122S-TP
MCC
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1 | N-CHANNEL MOSFET | Other | MJD122S-TP |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1 | Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 8 A 1.5 W Surface Mount D-Pak | Other | MJD122-TP-HF-B002 |
3
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NJVMJD122T4G-VF01
onsemi
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1 | ON SEMICONDUCTOR - NJVMJD122T4G-VF01 - TRANS, AEC-Q101, NPN, 100V, TO-252-3 | Other | NJVMJD122T4G-VF01 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NJVMJD122T4G
onsemi
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1 | Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 8 A 4MHz 1.75 W Surface Mount DPAK | Other | NJVMJD122T4G |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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