Showing 25 of 325 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MJE181G
onsemi
|
1 | Annular Construction for Low Leakages - ICBO = 100 nA (Max) @ Rated VCB; DC Current Gain - hFE = 30 (Min) @ IC = 0.5 Adc hFE = 12 (Min) @ IC = 1.5 Adc; Current-Gain - Bandwidth Product - fT = 50 MHz (Min) @ IC = 100 mAdc; Collector-Emitter Sustaining Voltage - VCEO(sus) = 60 Vdc - MJE171, MJE181 VCEO(sus) = 80 Vdc - MJE172, MJE182; Pb-Free Packages are Available | Other | MJE181G |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MJE18008G
onsemi
|
1 | Two Package Choices: Standard TO-220 or Isolated TO-220; Improved Efficiency Due to Low Base Drive Requirements: - High and Flat DC Current Gain hFE - Fast Switching - No Coil Required in Base Circuit for Turn-Off (No Current Tail); Tight Parametric Distributions are Consistent Lot-to-Lot; MJF18008, Case 221D, is UL Recognized at 3500 VRMS: File #E69369; Pb-Free Packages are Available | Transistor Outline, Vertical | MJE18008G |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MJE182G
onsemi
|
1 | Annular Construction for Low Leakages - ICBO = 100 nA (Max) @ Rated VCB; DC Current Gain - hFE = 30 (Min) @ IC = 0.5 Adc hFE = 12 (Min) @ IC = 1.5 Adc; Current-Gain - Bandwidth Product - fT = 50 MHz (Min) @ IC = 100 mAdc; Collector-Emitter Sustaining Voltage - VCEO(sus) = 60 Vdc - MJE171, MJE181 VCEO(sus) = 80 Vdc - MJE172, MJE182; Pb-Free Packages are Available | Transistor Outline, Vertical | MJE182G |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MJE182
STMicroelectronics
|
1 | Low voltage high speed switching NPN transistor 80 V,3A,-65 to 150°C,SOT-32 | Other | MJE182 |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MJE180G
onsemi
|
1 | Annular Construction for Low Leakages - ICBO = 100 nA (Max) @ Rated VCB; DC Current Gain - hFE = 30 (Min) @ IC = 0.5 Adc hFE = 12 (Min) @ IC = 1.5 Adc; Current-Gain - Bandwidth Product - fT = 50 MHz (Min) @ IC = 100 mAdc; Collector-Emitter Sustaining Voltage - VCEO(sus) = 60 Vdc - MJE171, MJE181 VCEO(sus) = 80 Vdc - MJE172, MJE182; Pb-Free Packages are Available | Transistor Outline, Vertical | MJE180G |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MJE18004G
onsemi
|
1 | Two Package Choices: Standard TO-220 or isolated TO-220; Motorola "6 SIGMA" Philosophy Provides Tight and Reproducible Parametric Distributions; Full Characterization at 125°C; Improved Efficiency Due to Low Base Drive Requirements: - High and Flat DC Current Gain h FE - Fast Switching - No Coil Required in Base Circuit for Turn-Off (No Current Tail); MJF18004, Case 221D, is UL Registered at 3500 VRMS: File #E69369; Pb-Free Packages are Available | Transistor Outline, Vertical | MJE18004G |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MJE182
Texas Instruments
|
0 | MJE182 | MJE182 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MJE181
Texas Instruments
|
0 | MJE181 | MJE181 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MJE180
Texas Instruments
|
0 | MJE180 | MJE180 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MJE18008C
Motorola Semiconductor Products
|
1 | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 450V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin | MJE18008C |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MJE18604D2AU
onsemi
|
1 | Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin | MJE18604D2AU |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MJE18002D2BV
onsemi
|
1 | Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 450V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin | MJE18002D2BV |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MJE18206BA
onsemi
|
1 | Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 600V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin | MJE18206BA |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MJE18004U2
Motorola Semiconductor Products
|
1 | Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 450V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin | MJE18004U2 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MJE18006U2
Motorola Semiconductor Products
|
1 | Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 450V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin | MJE18006U2 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MJE18604D2BD
onsemi
|
1 | Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin | MJE18604D2BD |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MJE18009AU
onsemi
|
1 | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 450V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin | MJE18009AU |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MJE180STU
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin | MJE180STU |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MJE18008BD
onsemi
|
1 | Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 450V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin | MJE18008BD |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MJE182TIN/LEAD
Central Semiconductor Corp
|
1 | Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin | MJE182TIN/LEAD |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MJE182
National Semiconductor Corporation
|
0 | Transistor | MJE182 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MJE181
Samsung Semiconductor
|
1 | Transistor | MJE181 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MJE18004D2AJ
onsemi
|
1 | Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 450V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin | MJE18004D2AJ |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MJE18002D2
Motorola Semiconductor Products
|
1 | Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 450V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin | MJE18002D2 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MJE18204
Motorola Semiconductor Products
|
1 | Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 600V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin | MJE18204 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||