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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVD5805NT4G-VF01
onsemi
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1 | N-Channel 40 V 51A (Tc) 47W (Tc) Surface Mount DPAK | Other | NVD5805NT4G-VF01 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVD5807NT4G-VF01
onsemi
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1 | Low RDS(on); High Current Capability; Avalanche Energy Specified; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable; RoHS Compliant | Other | NVD5807NT4G-VF01 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVD5867NLT4G
onsemi
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1 | Single N-Channel Power MOSFET 60V, 22A, 39mΩ | Other | NVD5867NLT4G |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVD5805NT4G
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 51A I(D), 40V, 0.0095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NVD5805NT4G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVD5862NT4G
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 60V, 0.0057ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NVD5862NT4G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVD5803NT4G
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 85A I(D), 40V, 0.0057ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NVD5803NT4G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVD5862NT4G-VF01
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 60V, 0.0057ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NVD5862NT4G-VF01 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVD5806NT4G
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 40V, 0.019ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NVD5806NT4G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVD5890NT4G
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 123A I(D), 40V, 0.0037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NVD5890NT4G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVD5890NT4G-VF01
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 123A I(D), 40V, 0.0037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NVD5890NT4G-VF01 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVD5818NT4G
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 40V, 0.0073ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NVD5818NT4G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVD5890NLT4G
onsemi
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1 | Power MOSFET 40V, 123A, 3.7 mOhm, Single N Channel, DPAK, Logic Level. T4G | NVD5890NLT4G |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVD5802NT4G
Rochester Electronics LLC
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1 | 16.4A, 40V, 0.0078ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 369C-01, DPAK-3 | NVD5802NT4G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVD5807NT4G
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 40V, 0.031ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NVD5807NT4G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVD5865NLT4G
onsemi
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1 | Single N-Channel Power MOSFET 60V, 46A, 16mΩ | NVD5865NLT4G |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVD5863NLT4G
onsemi
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1 | Power MOSFET 60V, 82A, 7.1 mOhm, Single N-Channel, DPAK, Logic Level. | NVD5863NLT4G |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVD5863NLT4G-VF01
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 82A I(D), 60V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NVD5863NLT4G-VF01 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVD5802NT4G-VF01
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16.4A I(D), 40V, 0.0078ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NVD5802NT4G-VF01 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVD5802NT4G
onsemi
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1 | Power MOSFET 40V, 101A, 4.4 mOhm, Single N-Channel, DPAK. Power MOSFET 40V 101A 4.4 mOhm Single N-Channel DPAK | NVD5802NT4G |
1
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