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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIHB24N80AE-GE3
Vishay
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1 | MOSFET N-CHANNEL 800V E Series Pwr MOSFET | Other | SIHB24N80AE-GE3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIHB22N60EF-GE3
Vishay
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1 | N-Channel MOSFET, 19 A, 600 V, 3-Pin D2PAK Vishay SIHB22N60EF-GE3 | Other | SIHB22N60EF-GE3 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIHB21N65EF-GE3
Vishay
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1 | MOSFETs 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263) | Other | SIHB21N65EF-GE3 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIHB22N65E-GE3
Vishay
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1 | Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | Other | SIHB22N65E-GE3 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIHB22N60E-E3
Vishay
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1 | Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | Other | SIHB22N60E-E3 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIHB21N80AE-GE3
Vishay
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1 | MOSFET 800V N-CHANNEL E Series Power MOSFET | Other | SIHB21N80AE-GE3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIHB24N65E-GE3
Vishay
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1 | Vishay SiHB24N65E-GE3 N-channel MOSFET Transistor, 24 A, 650 V, 3-Pin D2PAK | Other | SIHB24N65E-GE3 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIHB24N65E-E3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 650V, 0.145ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | SIHB24N65E-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIHB22N60E-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 600V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | SIHB22N60E-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIHB28N60EF-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 600V, 0.123ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | SIHB28N60EF-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIHB21N65EF-T5-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor | SIHB21N65EF-T5-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIHB24N65E-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 650V, 0.145ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | SIHB24N65E-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIHB24N65ET1-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 650V, 0.145ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | SIHB24N65ET1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIHB21N60EF-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 600V, 0.176ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | SIHB21N60EF-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIHB22N60E-E3
Vishay Siliconix
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1 | TRANSISTOR 21 A, 600 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, D2PAK-3, FET General Purpose Power | SIHB22N60E-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIHB24N65E-E3
Vishay Siliconix
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1 | MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK | SIHB24N65E-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIHB28N60EF-T5-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 600V, 0.123ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | SIHB28N60EF-T5-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIHB22N60S-E3
Vishay Siliconix
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1 | TRANSISTOR 22 A, 600 V, 0.19 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, TO-263, D2PAK-3, FET General Purpose Power | SIHB22N60S-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIHB25N50E-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 500V, 0.145ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | SIHB25N50E-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIHB22N60E-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 600V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | SIHB22N60E-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIHB24N65EFT1-GE3
Vishay
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1 | Transistor MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin D2PAK. | SIHB24N65EFT1-GE3 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIHB22N60ET5-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 600V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | SIHB22N60ET5-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIHB22N60ET1-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 600V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | SIHB22N60ET1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIHB22N60AEL-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 600V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | SIHB22N60AEL-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIHB28N60EF-T1-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 600V, 0.123ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | SIHB28N60EF-T1-GE3 |
0
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