Showing 25 of 58 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVMYS016N10MCLTWG
onsemi
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1 | Small foot print - 5mm x 6mm; Low Rdson; Low Qg; AEC-Q101 Qualified | NVMYS016N10MCLTWG |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVMYS3D5N04CTWG
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 102A I(D), 40V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NVMYS3D5N04CTWG |
0
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NVMYS9D3N06CLTAG
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 51A I(D), 60V, 0.01314ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NVMYS9D3N06CLTAG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVMYS007N10MCLTWG
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 83A I(D), 100V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NVMYS007N10MCLTWG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVMYS3D8N04CLTAG
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 85A I(D), 40V, 0.0038ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NVMYS3D8N04CLTAG |
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NVMYS008N08LHTWG
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 59A I(D), 80V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NVMYS008N08LHTWG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVMYS010N04CLTWG
onsemi
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1 | Small Footprint (5x6mm); Low RDS (ON); Low QG) and Capacitance; LFPAK4 Package, Industry Standard; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable; These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant | NVMYS010N04CLTWG |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVMYS2D1N04CLTWG
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 132A I(D), 40V, 0.0037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NVMYS2D1N04CLTWG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVMYS013N08LHTWG
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 80V, 0.0131ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NVMYS013N08LHTWG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVMYS7D0N06CTWG
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 66A I(D), 60V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NVMYS7D0N06CTWG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVMYS4D6N06CTWG
onsemi
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1 | Small Footprint (5x6mm); Low RDS (ON); Low QG and Capacitance; LFPAK8 Package; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable; These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant | NVMYS4D6N06CTWG |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVMYS6D2N06CLTWG
onsemi
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1 | Low RDS(on); Low QG and Capacitance; LFPAK4 Package, Industry Standard; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable; These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant; Small Footprint (5x6 mm) | NVMYS6D2N06CLTWG |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVMYS2D3N06CTWG
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 171A I(D), 60V, 0.0023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NVMYS2D3N06CTWG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVMYS1D7N04CTWG
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 190A I(D), 40V, 0.0017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NVMYS1D7N04CTWG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVMYS4D1N06CLTWG
onsemi
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1 | Small Footprint (5x6mm); Low RDS(on) ; Low QG and Capacitance; LFPAK4 Package; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable; These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant | NVMYS4D1N06CLTWG |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVMYS1D6N04CLT1G
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 185A I(D), 40V, 0.0016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NVMYS1D6N04CLT1G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVMYS029N08LHTWG
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 80V, 0.038ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NVMYS029N08LHTWG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVMYS4D5N04CTAG
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 78A I(D), 40V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NVMYS4D5N04CTAG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVMYS4D5N04CTWG
onsemi
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1 | Low QG and Capacitance; Low RDS(on); AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable; RoHS Compliant | NVMYS4D5N04CTWG |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVMYS005N10MCLT1G
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 109A I(D), 100V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NVMYS005N10MCLT1G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVMYS016N06CTWG
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 60V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NVMYS016N06CTWG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVMYS1D6N04CLTWG
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 185A I(D), 40V, 0.0016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NVMYS1D6N04CLTWG |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVMYS1D2N04CLTWG
onsemi
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1 | Small Footprint (5x6mm); Low RDS (on); Low QG and Capacitance; LFPAK4 Package, Industry Standard; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable; These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant | NVMYS1D2N04CLTWG |
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVMYS006N08LHTWG
onsemi
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1 | MOSFET - Power, Single N-Channel, 80 V, 6.2 mΩ, 77 A | NVMYS006N08LHTWG |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVMYS3D8N04CLTWG
onsemi
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1 | Power MOSFET 40 V, 3.7mΩ, 87 A, Single N-Channel | NVMYS3D8N04CLTWG |
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||