Showing 25 of 243 results
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BFU590G
NXP
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1 | NPN silicon microwave transistor for high speed, medium power applications in a plastic,\r\n4-pin SOT223 package.\r\nThe BFU590G is part of the BFU5 family of transistors, suitable for small signal to medium\r\npower applications up to 2 GHz. | SOT223 (3-Pin) | BFU590G |
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HFA3127RZ96
Renesas Electronics
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1 | The HFA3046, HFA3096, HFA3127 and the HFA3128 are ultra high frequency transistor arrays that are fabricated from the Renesas complementary bipolar UHF-1 process. Each array consists of five dielectrically isolated transistors on a common monolithic substrate. The NPN transistors exhibit a fT of 8GHz while the PNP transistors provide a fT of 5. 5GHz. Both types exhibit low noise (3. 5dB), making them ideal for high frequency amplifier and mixer applications. The HFA3046 and HFA3127 are all NPN arrays while | Quad Flat No-Lead | HFA3127RZ96 |
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HFA3096BZ96
Renesas Electronics
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1 | The HFA3046, HFA3096, HFA3127 and the HFA3128 are ultra high frequency transistor arrays that are fabricated from the Renesas complementary bipolar UHF-1 process. Each array consists of five dielectrically isolated transistors on a common monolithic substrate. The NPN transistors exhibit a fT of 8GHz while the PNP transistors provide a fT of 5. 5GHz. Both types exhibit low noise (3. 5dB), making them ideal for high frequency amplifier and mixer applications. The HFA3046 and HFA3127 are all NPN arrays while | Small Outline Packages | HFA3096BZ96 |
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NSVF4020SG4T1G
onsemi
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1 | RF Transistor for Low Noise Amplifier | SO Transistor Flat Lead | NSVF4020SG4T1G |
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2SC4308
Renesas Electronics
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1 | Silicon NPN Transistor | Other | 2SC4308 |
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NTE107
NTE ELECTRONICS
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1 | Transistor: NPN; bipolar; 12V; 25mA; 0.2W; TO92 | Other | NTE107 |
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BFP520H6327XTSA1
Infineon
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1 | Infineon BFP520H6327XTSA1 NPN Transistor, 40 mA, 2.5 V, 4-Pin SOT-343 | Other | BFP520H6327XTSA1 |
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BFU610F,115
NXP
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1 | RF Transistor NPN 5.5V 10mA 15GHz 136mW Surface Mount 4-DFP | Other | BFU610F,115 |
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BFP460
Infineon
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1 | NPN Silicon RF Transistor | Other | BFP460 |
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SGA8343Z
Qorvo
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1 | LOW NOISE, HIGH GAIN SiGe HBT | Other | SGA8343Z |
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BFU590QX
NXP
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1 | RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor | Other | BFU590QX |
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2SC4915-O,LF
Toshiba
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1 | Bipolar Transistors - BJT Radio-Frequency Bipolar Transistor | SOT23 (3-Pin) | 2SC4915-O,LF |
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BFU550WX
NXP
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1 | NXP - BFU550WX - NPN WIDEBAND SILICON RF TRANSISTOR | SOT23 (3-Pin) | BFU550WX |
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BFU760F,115
NXP
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1 | RF Bipolar Transistors NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS | Other | BFU760F,115 |
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BFU550XAR
NXP
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1 | RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor | Other | BFU550XAR |
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NTE108
NTE ELECTRONICS
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1 | Trans RF BJT NPN 15V 0.05A 3-Pin TO-92 | Other | NTE108 |
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BFR92PE6327
Infineon
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1 | Infineon BFR92PE6327 NPN RF Bipolar Transistor, 0.045 A, 15 V, 3-Pin SOT-23 | SOT23 (3-Pin) | BFR92PE6327 |
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MRF947T1
NXP
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1 | NPN Silicon Transistor | SOT23 (3-Pin) | MRF947T1 |
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BFU550XR
NXP
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1 | NPN wideband silicon RF transistor 900 MHz SOT143R | Other | BFU550XR |
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2SC4774T106S
ROHM Semiconductor
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1 | Bipolar Transistors - BJT NPN 6V 50MA | Other | 2SC4774T106S |
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BFR99A
STMicroelectronics
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1 | Wide Band Vhf / Uhf amplifier | Other | BFR99A |
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CA3083Z
Renesas Electronics
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1 | RENESAS - CA3083Z - Bipolar Transistor Array, NPN, 15 V, 100 mA, 500 mW, 76 hFE, DIP | Dual-In-Line Packages | CA3083Z |
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BFU710F,115
NXP
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1 | RF Transistor NPN 2.8V 10mA 43GHz 136mW Surface Mount 4-DFP | Other | BFU710F,115 |
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MCH4009-TL-H
onsemi
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1 | RF Transistor, NPN Single, 3.5 V, 40 mA, fT = 25 GHz, SC 82FL / MCPH4, 3000-REEL | SO Transistor Flat Lead | MCH4009-TL-H |
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NSVF4015SG4T1G
onsemi
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1 | BIP NPN 100MA 12V FT=10G | SO Transistor Flat Lead | NSVF4015SG4T1G |
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