Showing 25 of 223297 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FMB3946
onsemi
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1 | ON Semi FMB3946 Dual NPN + PNP Transistor, 200 mA, 40 V, 6-Pin SOT-23 | SOT23 (6-Pin) | FMB3946 |
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NSVMMBTH10LT1G
onsemi
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1 | Miniature SOT-23 Surface Mount Package Saves Board Space; These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant; S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable | SOT23 (3-Pin) | NSVMMBTH10LT1G |
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HFA3102BZ
Renesas Electronics
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1 | The HFA3102 is an all NPN transistor array configured as dual differential amplifiers with tail transistors. Based on Intersil bonded wafer UHF-1 SOI process, this array achieves very high fT (10GHz) while maintaining excellent hFE and VBE matching characteristics over temperature. Collector leakage currents are maintained to under 0. 01nA. | Small Outline Packages | HFA3102BZ |
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NSVF4017SG4T1G
onsemi
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1 | Low-noise use : NF = 1.2 dB typ. (f = 1 GHz); High cut-off frequency : fT = 10 GHz typ. (VCE = 5 V); High gain : |S21e|2 = 17 dB typ. (f = 1 GHz); MCPH4 package is pin-compatible with SC-82FL; AEC-Q101 qualified and PPAP capable; Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliance | SO Transistor Flat Lead | NSVF4017SG4T1G |
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MMBTH10
onsemi
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1 | Obsolete - NPN Bipolar Transistor | SOT23 (3-Pin) | MMBTH10 |
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BFS20,235
Nexperia
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1 | BFS20 - NPN medium frequency transistor | SOT23 (3-Pin) | BFS20,235 |
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MMBT918LT1G
onsemi
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1 | SOT-23 Surface Mount Package Saves Board Space; These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant | SOT23 (3-Pin) | MMBT918LT1G |
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15GN03CA-TB-E
onsemi
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1 | High cutoff frequency : fT=1.5GHz typ; High gain : Forward Transfer Gain=13dB typ (f=0.4GHz) | SOT23 (3-Pin) | 15GN03CA-TB-E |
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MCH4020-TL-H
onsemi
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1 | Low-noise use : NF=1.2dB typ (f=1GHz); High cut-off frequency : fT=16GHz typ (VCE=5V); High gain : Forward Transfer Gain =17.5dB typ (f=1GHz); Halogen free compliance | SO Transistor Flat Lead | MCH4020-TL-H |
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NSVF5490SKT3G
onsemi
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1 | Last Shipments - 80 V Dual Common Anode Switching Diode | SO Transistor Flat Lead | NSVF5490SKT3G |
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MMBTH10-7-F
Diodes Incorporated
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1 | RF Transistor NPN 25V 50mA 650MHz 300mW Surface Mount SOT-23-3 | SOT23 (3-Pin) | MMBTH10-7-F |
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NTE107
NTE ELECTRONICS
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1 | Transistor: NPN; bipolar; 12V; 25mA; 0.2W; TO92 | Other | NTE107 |
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2SC4308
Renesas Electronics
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1 | Silicon NPN Transistor | Other | 2SC4308 |
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BFP520H6327XTSA1
Infineon
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1 | Infineon BFP520H6327XTSA1 NPN Transistor, 40 mA, 2.5 V, 4-Pin SOT-343 | Other | BFP520H6327XTSA1 |
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SGA8343Z
Qorvo
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1 | LOW NOISE, HIGH GAIN SiGe HBT | Other | SGA8343Z |
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BFU610F,115
NXP
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1 | RF Transistor NPN 5.5V 10mA 15GHz 136mW Surface Mount 4-DFP | Other | BFU610F,115 |
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BFU590QX
NXP
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1 | RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor | Other | BFU590QX |
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BFU660F,115
NXP
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1 | RF Bipolar Transistors Single NPN 21GHz | Other | BFU660F,115 |
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BFP460
Infineon
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1 | NPN Silicon RF Transistor | Other | BFP460 |
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MCH6001-TL-E
onsemi
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1 | RF Transistor 2 NPN (Dual) 8V 150mA 16GHz 600mW Surface Mount 6-MCPH | Other | MCH6001-TL-E |
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HFA3134IHZ96
Renesas Electronics
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1 | The HFA3134 and HFA3135 are Ultra High Frequency Transistor pairs that are fabricated with Intersil Corporation's complementary bipolar UHF-1X process. The NPN transistors exhibit an fT of 8. 5GHz, while the PNP transistors have an fT of 7GHz. Both types exhibit low noise, making them ideal for high frequency amplifier and mixer applications. Both arrays are matched high frequency transistor pairs. The matching simplifies DC bias problems and it minimizes imbalances in differential amplifier configurations. | SOT23 (6-Pin) | HFA3134IHZ96 |
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2SC5226A-5-TL-E
onsemi
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1 | Low-noise : NF=1.0dB typ (f=1GHz); High gain (Forward Transfer Gain: 12dB typ at f=1.0GHz); High cut-off frequency : fT=7GHz typ | SOT23 (3-Pin) | 2SC5226A-5-TL-E |
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HFA3096BZ96
Renesas Electronics
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1 | The HFA3046, HFA3096, HFA3127 and the HFA3128 are ultra high frequency transistor arrays that are fabricated from the Renesas complementary bipolar UHF-1 process. Each array consists of five dielectrically isolated transistors on a common monolithic substrate. The NPN transistors exhibit a fT of 8GHz while the PNP transistors provide a fT of 5. 5GHz. Both types exhibit low noise (3. 5dB), making them ideal for high frequency amplifier and mixer applications. The HFA3046 and HFA3127 are all NPN arrays while | Small Outline Packages | HFA3096BZ96 |
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50A02MH-TL-E
onsemi
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1 | High current rating; Low collector-to-emitter saturation voltage (resistance) RCE(sat) typ=210mΩ [IC=0.5A, IB=50mA]; Small ON-resistance (Ron) | SO Transistor Flat Lead | 50A02MH-TL-E |
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HFA3127RZ96
Renesas Electronics
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1 | The HFA3046, HFA3096, HFA3127 and the HFA3128 are ultra high frequency transistor arrays that are fabricated from the Renesas complementary bipolar UHF-1 process. Each array consists of five dielectrically isolated transistors on a common monolithic substrate. The NPN transistors exhibit a fT of 8GHz while the PNP transistors provide a fT of 5. 5GHz. Both types exhibit low noise (3. 5dB), making them ideal for high frequency amplifier and mixer applications. The HFA3046 and HFA3127 are all NPN arrays while | Quad Flat No-Lead | HFA3127RZ96 |
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