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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQT7N10LTF
onsemi
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1 | Low Crss ( Typ. 10pF); 1.7A, 100V, RDS(on) = 350mΩ(Max.) @VGS = 10 V, ID = 0.85A; 100% avalanche tested; Low gate charge ( Typ. 5.8nC) | SOT223 (3-Pin) | FQT7N10LTF |
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FQT7N10TF
onsemi
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1 | 100% avalanche tested; Low Crss ( Typ. 10pF); 1.7A, 100V, RDS(on) = 350mΩ(Max.) @VGS = 10 V, ID = 0.85A; Low gate charge ( Typ. 5.8nC) | SOT223 (3-Pin) | FQT7N10TF |
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TYS50404R7N-10
Laird-Signal Integrity Products
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1 | FIXED IND 4.7UH 3A 30 MOHM SMD | Other | TYS50404R7N-10 |
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BTD1RVFLT27N102
ROHM Semiconductor
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1 | Silicon RF Capacitors / Thin Film RASMIDSeries, 3.6V, 1000pf, DSN0402-2(SOD-992), Silicon(Si) Capacitor: BTD1RVFL102 is 0402 (01005) size Silicon Capacitor, ideal for Wearable equipment, Wireless, ROSA/TOSA. | Other | BTD1RVFLT27N102 |
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SQM47N10-24L_GE3
Vishay
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1 | SQM47N10-24L_GE3 N-Channel MOSFET, 47 A, 100 V SQ Rugged, 3-Pin D2PAK Vishay | Other | SQM47N10-24L_GE3 |
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IPB017N10N5LFATMA1
Infineon
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1 | MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS | Other | IPB017N10N5LFATMA1 |
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NVMFS027N10MCL
onsemi
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1 | MOSFET – Power, Single N-Channel 100 V, 26 m, 28 A | Other | NVMFS027N10MCL |
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LQB18NNR27N10B
Murata Electronics
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1 | LQB18NN_10 Series Inductor 270nH ±30% 0603 (1608) | Other | LQB18NNR27N10B |
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MCB2D7N10YH-TP
MCC
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1 | N-Channel MOSFET : -55°C to +175°C 2.7 mΩ 3.8 V 1 µA 100 nA 157 nC D2-PAK | Other | MCB2D7N10YH-TP |
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NTBLS1D7N10MCTXG
onsemi
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1 | Low RDS(on); Low Qg and Capacitance; Softer Recovery Diode; Pb-Free | Other | NTBLS1D7N10MCTXG |
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NVMFD027N10MCLT1G
onsemi
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1 | Small Footprint (5x6 mm); Low RDS(on); Low QG and Capacitance; NVMFWD040N10MCLT1G − Wettable Flank Option; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable; RoHS Compliant | Other | NVMFD027N10MCLT1G |
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FDP047N10
onsemi
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1 | RDS(on) = 3.9mΩ ( Typ.) @ VGS = 10V, ID = 75A; High Performance Trench Technology for Extremely Low rDS(on); Fast switching speed; RoHS compliant; Low Gate Charge; High Power and Current Handling Capability | Transistor Outline, Vertical | FDP047N10 |
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RBE037N10R1SZN6#HB0
Renesas Electronics
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1 | REXFET-1 N-Channel Power MOSFET150 V - 200 A - 3.4 mΩ - TOLL The SO8-FL package features ultra-compact, leadless designs with Wettable Flanks to support enhanced thermal performance, reliability, and ease of assembly.Renesas' REXFET-1 split-gate technology is well-suited for applications that require low RDS(on) and switching capability, making it ideal for high-power and high-frequency applications. | Other | RBE037N10R1SZN6#HB0 |
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LQB18NNR47N10D
Murata Electronics
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1 | LQB18NN_10 Series Inductor 470nH ±30% 0603 (1608) | Other | LQB18NNR47N10D |
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IPB027N10N3GATMA1
Infineon
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1 | INFINEON - IPB027N10N3GATMA1 - MOSFET, N CH, 100V, 120A, TO-263-3 | Other | IPB027N10N3GATMA1 |
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IPT017N10NM5LF2ATMA1
Infineon
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1 | MOSFETs TRENCH >=100V | Other | IPT017N10NM5LF2ATMA1 |
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STW7N105K5
STMicroelectronics
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1 | N-channel 1050 V, 1.4 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package | Transistor Outline, Vertical | STW7N105K5 |
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1 | TDK Shielded Wire-wound SMD Inductor 2.7 µH ±30% Wire-Wound 10A Idc | Other | VLF12060T-2R7N100 |
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NVMFS027N10MCLT1G
onsemi
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1 | Small Footprint (5x6 mm); Low RDS(on); Low QG and Capacitance; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable; RoHS Compliant | Other | NVMFS027N10MCLT1G |
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NVMJD027N10MCLTWG
onsemi
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1 | Small Footprint (5x6 mm); Low RDS (ON); Low QG and Capacitance; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable; These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free, Beryllium Free and are RoHS Compliant | Other | NVMJD027N10MCLTWG |
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RBE067N10R1SZN6#HB0
Renesas Electronics
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1 | REXFET-1 N-Channel Power MOSFET100 V - 80 A - 6.7 mΩ - SO8-FL(5×6) | Other | RBE067N10R1SZN6#HB0 |
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FDB1D7N10CL7
onsemi
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1 | Low Qrr; Soft recovery body diode; Low RDS(on); Small Footprint (5 x 6 mm); RoHS compliant | Other | FDB1D7N10CL7 |
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STD47N10F7AG
STMicroelectronics
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1 | Trans MOSFET N-CH 100V 45A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive-grade N-channel 100 V, 12.5 mΩ typ., 45 A, STripFET F7 Power MOSFET in a DPAK package | Other | STD47N10F7AG |
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TYS50404R7N-10
Laird Performance Materials
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1 | Fixed Inductors 4.7uH 30% -40C +125C | Inductors Precision Moulded | TYS50404R7N-10 |
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LQB18NNR27N10D
Murata Electronics
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1 | LQB18NN_10 Series Inductor 270nH ±30% 0603 (1608) | Other | LQB18NNR27N10D |
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