Showing 25 of 111 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDG6321C
onsemi
|
1 | Very small package outline SC70-6. ; Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3 V circuits (VGS(th) < 1.5 V). ; P-Ch -0.41 A, -25 V RDS(ON) = 1.1 Ω @ VGS= -4.5 V RDS(ON) = 1.5 Ω @ VGS= -2.7 V; Gate-Source Zener for ESD ruggedness (>6kV Human Body Model). ; N-Ch 0.50 A, 25 V RDS(ON) = 0.45 Ω @ VGS= 4.5 V RDS(ON) = 0.60 Ω @ VGS= 2.7 V | SOT23 (6-Pin) | FDG6321C |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDG6316P
onsemi
|
1 | Low Gate Charge; RDS(ON) = 650 mΩ @ VGS = -1.8 V; Compact industry standard SC70-6 surface mountpackage; RDS(ON) = 360 mΩ @ VGS = -2.5 V; RDS(ON) = 270 mΩ @ VGS = -4.5 V; High-Performance Trench Technology for Extremelylow RDS(ON) ; -0.7 A, -12 V | SOT23 (6-Pin) | FDG6316P |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDG6303N
onsemi
|
1 | 25 V, 0.50 A continuous, 1.5 A Peak. ; Compact industry standard SC70-6 surface mount package. ; RDS(ON) = 0.45 Ω @ VGS= 4.5 V, ; Gate-Source Zener for ESD ruggedness (>6kV Human Body Model). ; RDS(ON) = 0.60 Ω @ VGS= 2.7 V. ; Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3 V circuits (VGS(th) <1.5 V). | SOT23 (6-Pin) | FDG6303N |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDG6320C
onsemi
|
1 | Gate-Source Zener for ESD ruggedness (>6kV Human Body Model). ; P-Ch -0.14 A, -25 V, RDS(ON) = 10 Ω @ VGS= -4.5 V, RDS(ON) = 13 Ω @ VGS= -2.7 V. ; Very small package outline SC70-6. ; Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3 V circuits (VGS(th) < 1.5 V). ; N-Ch 0.22 A, 25 V, RDS(ON) = 4.0 Ω @ VGS= 4.5 V, RDS(ON) = 5.0 Ω @ VGS= 2.7 V. | SOT23 (6-Pin) | FDG6320C |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDG6306P
onsemi
|
1 | RDS(ON) = 630 mΩ @ VGS = –2.5 V ; RDS(ON)= 420 mΩ @ VGS = –4.5 V ; –0.6 A, –20 V. ; Low gate charge ; Compact industry standard SC70-6 surface mountpackage ; High performance trench technology for extremelylow RDS(ON) | SOT23 (6-Pin) | FDG6306P |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDG6324L
onsemi
|
1 | Obsolete - Integrated Load Switch | SOT23 (6-Pin) | FDG6324L |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDG6301N
onsemi
|
1 | RDS(ON) = 4 Ω @ VGS= 4.5 V, ; Compact industry standard SC70-6 surface mount package. ; 25 V, 0.22 A continuous, 0.65 A Peak. ; Gate-Source Zener for ESD ruggedness (>6kV Human Body Model). ; Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3 V circuits (VGS(th) <1.5 V). ; RDS(ON) = 5 Ω @ VGS= 2.7 V. | SOT23 (6-Pin) | FDG6301N |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDG6318PZ
onsemi
|
1 | Last Shipments - Dual N & P Channel Digital FET 25V | SOT23 (6-Pin) | FDG6318PZ |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDG6304P
onsemi
|
1 | RDS(ON) = 1.5 Ω @ VGS= -2.7 V. ; Compact industry standard SC70-6 surface mount package. ; Gate-Source Zener for ESD ruggedness (>6kV Human Body Model). ; RDS(ON) = 1.1 Ω @ VGS= -4.5 V, ; Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3 V circuits (VGS(th) <1.5 V). ; -25 V, -0.41 A continuous, -1.5 A Peak. | SOT23 (6-Pin) | FDG6304P |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDG6317NZ
onsemi
|
1 | Compact industry standard SC70-6 surface mountpackage ; RDS(ON) = 500 mΩ @ VGS = 2.5V ; Low gate charge ; RDS(ON) = 400 mΩ @ VGS = 4.5V ; ESD protection diode (note 3) ; High performance trench technology for extremelylow RDS(ON) ; 0.7A, 20V | SOT23 (6-Pin) | FDG6317NZ |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDG6308P
onsemi
|
1 | RDS(ON) = 0.80Ω @ VGS = –1.8 V ; RDS(ON)= 0.40Ω @ VGS = –4.5 V ; –0.6 A, –20 V. ; Compact industry standard SC70-6 surface mountpackage ; High performance trench technology for extremelylow RDS(ON) ; RDS(ON) = 0.55Ω @ VGS = –2.5 V ; Low gate charge | SOT23 (6-Pin) | FDG6308P |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDG6332C
onsemi
|
1 | SC70-60 package: small footprint (51% smaller than SSOT-6); low profile (1mm thick); Q1 0.7A, 20V RDS(ON) = 300mΩ @ VGS = 4.5V RDS(ON) = 400mΩ @ VGS = 2.5V; Low gate charge; Q2 -0.6A, -20V RDS(ON) = 420mΩ @ VGS = -4.5V RDS(ON) = 630mΩ @ VGS = -2.5V; High performance trench technology for extremely low RDS(ON) | SOT23 (6-Pin) | FDG6332C |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDG6317NZ.
onsemi
|
1 | Dual 20V N-Channel PowerTrench® MOSFET, 0.7 A, 400 mΩ | SOT23 (6-Pin) | FDG6317NZ. |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDG6304P
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.41A I(D), 25V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDG6304P |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDG6323L
Rochester Electronics LLC
|
1 | 0.27A BUF OR INV BASED PRPHL DRVR, PDSO6, SC-70, 6 PIN | FDG6323L |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDG6316P
Rochester Electronics LLC
|
1 | 700mA, 12V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT, SC-70, 6 PIN | FDG6316P |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDG6302PL99Z
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.14A I(D), 25V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDG6302PL99Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDG6323L_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Buffer/Inverter Based Peripheral Driver, 1 Driver, 0.36A, MOS, PDSO6 | FDG6323L_NL |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDG6318P
Rochester Electronics LLC
|
1 | 500mA, 20V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, SC-70, 6 PIN | FDG6318P |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDG6322C
onsemi
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.22A I(D), 25V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDG6322C |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDG6321C_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 25V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDG6321C_NL |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDG6302P
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.14A I(D), 25V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDG6302P |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDG6331L
Rochester Electronics LLC
|
1 | BUF OR INV BASED PRPHL DRVR, PDSO6, SC-70, SMT-6 | FDG6331L |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDG6316P
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.7A I(D), 12V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDG6316P |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDG6332C_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.7A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDG6332C_NL |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||