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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMA1024NZ
onsemi
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1 | Max rDS(on) = 66 mΩ at VGS = 2.5 V, ID = 4.2 A; Max rDS(on) = 82 mΩ at VGS= 1.8 V, ID = 2.3 A; Max rDS(on) = 114 mΩ at VGS = 1.5 V, ID = 2.0 A; Max rDS(on) = 54 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 5.0 A; Low profile - 0.8 mm maximum - in the new packageMicroFET 2x2 mm; HBM ESD protection level = 1.6 kV (Note 3) ; Free from halogenated compounds and antimonyoxides; RoHS Compliant | Other | FDMA1024NZ |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMA1027P
onsemi
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1 | RDS(ON) = 160 mΩ @ VGS = -2.5 V ; RDS(ON) = 240 mΩ @ VGS = -1.8 V ; Free from halogenated compounds and antimonyoxides ; RDS(ON) = 120 mΩ @ VGS = -4.5 V ; Low Profile - 0.8 mm maximun - in the new package MicroFET 2x2 mm ; RoHS compliant ; -3.0 A, -20V | Other | FDMA1027P |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMA1023PZ
onsemi
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1 | Free from halogenated compounds and antimonyoxides ; HBM ESD protection level > 2kV typical ; Max rDS(on) = 95mΩ at VGS = –2.5V, ID = –3.2A ; Max rDS(on) = 72mΩ at VGS = –4.5V, ID = –3.7A ; RoHS Compliant ; Max rDS(on) = 130mΩ at VGS = –1.8V, ID = –2.0A ; Max rDS(on) = 195mΩ at VGS = –1.5V, ID = –1.0A ; Low profile - 0.8 mm maximum - in the new packageMicroFET 2x2 mm | Other | FDMA1023PZ |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMA1028NZ
onsemi
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1 | RoHS Compliant; Free from halogenated compounds and antimonyoxides; Low profile – 0.8 mm maximum – in the new packageMicroFET 2x2 mm; 3.7 A, 20V RDS(ON) = 68 mΩ @ VGS = 4.5V RDS(ON) = 86 mΩ @ VGS = 2.5V; HBM ESD protection level > 2kV (Note 3) | Other | FDMA1028NZ |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMA1029PZ
onsemi
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1 | Low profile ?0.8 mm maximum ?in the new packageMicroFET 2x2 mm; HBM ESD protection level > 2.5kV (see datasheet Note 3); RDS(ON) = 141 mΩ @ VGS = -2.5V; -3.1 A, -20V; RoHS Compliant; RDS(ON) = 95 mΩ @ VGS = -4.5V; Free from halogenated compounds and antimony oxides | Other | FDMA1029PZ |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMA1032CZ
onsemi
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1 | Free from halogenated compounds and antimony oxides ; Low profile – 0.8 mm maximum – in the new package MicroFET 2x2 mm ; Q1: N-Channel 3.7 A, 20V RDS(ON) = 68 mΩ @ VGS = 4.5V RDS(ON) = 86 mΩ @ VGS = 2.5V ; RoHS Compliant ; Q2: P-Channel –3.1 A, –20V RDS(ON) = 95 mΩ @ VGS = –4.5V RDS(ON) = 141 mΩ @ VGS = –2.5V ; HBM ESD protection level > 2 kV (Note 3) | Other | FDMA1032CZ |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMA1032CZ
Rochester Electronics LLC
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1 | 3700mA, 20V, 2 CHANNEL,N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MO-229, 2 X 2 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MICROFET-6 | FDMA1032CZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMA1027P
Rochester Electronics LLC
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1 | 2200mA, 20V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MO-229VCCC, 2 X 2 MM, 0.80 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, MICROFET-6 | FDMA1027P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMA1028NZ-F021
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FDMA1028NZ-F021 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMA1023PZ
Rochester Electronics LLC
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1 | 3700mA, 20V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MO-229VCCC, 2 X 2 MM, ROHS COMPLIANT, MICROFET-6 | FDMA1023PZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMA1027PT
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 20V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDMA1027PT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMA1027P
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 20V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-229VCCC | FDMA1027P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMA1430JP
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2-Element | FDMA1430JP |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMA1025P
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 20V, 0.22ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDMA1025P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMA1032CZ
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-229 | FDMA1032CZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMA1029PZ
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 20V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-229VCCC | FDMA1029PZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMA1028NZ
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 20V, 0.068ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-229VCCC | FDMA1028NZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMA1029PZ
Rochester Electronics LLC
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1 | 3100mA, 20V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MO-229VCCC, 2 X 2 MM, 0.80 MM HEIGHT, HALOGEN FREE, ROHS COMPLIANT, MICROFET-6 | FDMA1029PZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMA1024NZ
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 5A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-229VCCC, 2 X 2 MM, 0.80 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, MICROFET-6 | FDMA1024NZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMA1023PZ-F106
onsemi
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 20V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-229VCCC | FDMA1023PZ-F106 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMA1023PZ
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 20V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-229VCCC | FDMA1023PZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMA1028NZTR
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 20V, 0.068ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-229VCCC | FDMA1028NZTR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMA1430JP
onsemi
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2-Element | FDMA1430JP |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMA1025P
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 20V, 0.22ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDMA1025P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMA1027PT
Rochester Electronics LLC
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1 | 3000mA, 20V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, 2 X 2 MM, ROHS COMPLIANT, MO-288, MICROFET-6 | FDMA1027PT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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