FDS88 Model Download Search Results
Showing 25 of 51 results
Price & Stock Powered by 
Findchips
Findchips
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDS8817NZ
onsemi
|
1 | Max rDS(on) = 7 m at VGS = 10 V, ID = 15 A• Max rDS(on) = 10 m at VGS = 4.5 V, ID = 12.6 A• HBM ESD Protection Level of 3.8 kV Typical*• High Performance Trench Technology for Extremely Low rDS(on)• High Power and Current Handling Capability• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant | Small Outline Packages | FDS8817NZ |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS8878
onsemi
|
1 | RDS(ON) = 14 mΩ @ VGS = 10 V @ ID = 10.2 A; High power and current handling capability; High performance trench technology for extremely low rDS(ON); RDS(ON) = 17 mΩ @ VGS = 4.5 V @ ID = 9.3 A; Low gate charge; RoHS Compliant | Small Outline Packages | FDS8878 |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS8858CZ
onsemi
|
1 | Q2 P-Channel Max. RDS(on) = 20.5 mΩ at VGS = -10 V, ID = -7.3 A Max. RDS(on) = 34.5 mΩ at VGS = -4.5 V, ID = -5.6 A; High Power and Current Handling Capability in a Widely Used Surface Mount Package; Q1 N-Channel Max. RDS(on) = 17 mΩ at VGS = 10 V, ID = 8.6 A Max. RDS(on) = 20 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 7.3 A; Fast Switching Speed | Small Outline Packages | FDS8858CZ |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS8880
onsemi
|
1 | Low gate charge ; RDS(ON) = 10 mΩ @ VGS = 10V @ ID = 11.6A ; High performance trench technology for extremely lowrDS(ON) ; High power and current handling capability ; RDS(ON) = 12mΩ @ VGS = 4.5V @ ID = 10.7A | Small Outline Packages | FDS8880 |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS8882
onsemi
|
1 | Last Shipments - Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | Small Outline Packages | FDS8882 |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS8870
onsemi
|
1 | rDS(ON) = 4.9 mΩ (Typ), VGS = 4.5 V, ID = 17 A; Low gate charge; High power and current handling capability; rDS(ON) = 4.2 mΩ (Typ), VGS = 10 V, ID = 18 A; High performance trench technology for extremely lowrDS(ON); RoHS Compliant | Small Outline Packages | FDS8870 |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS8896_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS8896_NL |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS8884
onsemi
|
1 | Max rDS(on) = 23mΩ at VGS = 10V, ID = 8.5A ; Low gate charge ; 100% RG Tested ; Max rDS(on) = 30mΩ at VGS = 4.5V, ID = 7.5A ; RoHS Compliant | FDS8884 |
1
|
Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS8882
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 30V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS8882 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS8896
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS8896 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS8878-F123
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 10.2A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS8878-F123 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS8813NZ-G
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 18.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS8813NZ-G |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS8876
Rochester Electronics LLC
|
1 | 12.5A, 30V, 0.0082ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SO-8 | FDS8876 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS8876_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 12.5A I(D), 30V, 0.0082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS8876_NL |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS8880
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 11.6A I(D), 30V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS8880 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS8878_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 10.2A I(D), 30V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS8878_NL |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS8870_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.0042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS8870_NL |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS8876-F40
onsemi
|
1 | Power Field-Effect Transistor | FDS8876-F40 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS8813NZ
onsemi
|
1 | Max rDS(on) = 4.5 mΩ at VGS = 10 V, ID = 18.5 A; RoHS compliant ; High performance trench technology for extremely low rDS(on) ; HBM ESD protection level of 5.6kV typical (note 3) ; High power and current handling capability ; Max rDS(on) = 6.0 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 16 A | FDS8813NZ |
1
|
Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS8876
onsemi
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 12.5A I(D), 30V, 0.0082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS8876 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS8817NZ
Rochester Electronics LLC
|
1 | 15000mA, 30V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT, SOP-8 | FDS8817NZ |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS8874
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 30V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS8874 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS8896-F123
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS8896-F123 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS8817NZ
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 15A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS8817NZ |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS8880
Rochester Electronics LLC
|
1 | 11.6A, 30V, 0.01ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SO-8 | FDS8880 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![Part Image](["https://componentsearchengine.com/Images/9/FDS8817NZ.jpg",null,null])
![Part Image](["https://componentsearchengine.com/Images/9/FDS8882.jpg",null,null])
![Part Image]([null,null,"//content.supplyframe.com/images/process/fit-in/100x100/p/sot23_8.jpg"])
Can't find what you're looking for?
Request this part