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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FGH75T65UPD-F085
onsemi
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1 | Maximum Junction Temperature : TJ= 175oC; Qualified to Automotive Requirements of AEC-Q101; Tightened Parameter Distribution; High current capability; Positive Temperaure Co-efficient for easy parallel operating; RoHS compliant; Low saturation voltage: VCE(sat)= 1.65V(Typ.) @ IC= 75A; High input impedance | Transistor Outline, Vertical | FGH75T65UPD-F085 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FGH75T65SHDTLN4
onsemi
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1 | Last Shipments - IGBT, 600V, Field Stop | Other | FGH75T65SHDTLN4 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FGH75T65SQDT-F155
onsemi
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1 | ON SEMICONDUCTOR - FGH75T65SQDT-F155 - FIELD STOP TRENCH IGBT, 650V/150A, TO247 | Transistor Outline, Vertical | FGH75T65SQDT-F155 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FGH75T65SHD_F155
onsemi
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1 | Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 3-Pin TO-247 Tube | Transistor Outline, Vertical | FGH75T65SHD_F155 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FGH75T65SQDTL4
onsemi
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1 | Tighten Parameter Distribution; High Current Capability; High Input Impedance; Fast Switching; RoHS Compliant; Low Saturation Voltage: VCE(sat) = 1.6 V (Typ.) @ IC = 75 A; Maximum Junction Temperature: TJ = 175°C; Positive Temperature Co-efficient for Easy Parallel Operating; 100% of the Parts tested for ILM(1) | Other | FGH75T65SQDTL4 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FGH75T65SQDNL4
onsemi
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1 | TJmax = 175°C; Improved Gate Control Lowers Switching Losses; Separate Emitter Drive Pin; TO-247-4L for Minimal Eon Losses; Optimized for High Speed Switching; These are Pb-Free Devices; Extremely Efficient Trench with Field Stop Technology | Other | FGH75T65SQDNL4 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FGH75T65SQD-F155
onsemi
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1 | 100% of the Parts Tested for ILM(1); High Current Capability; Fast Switching; Low Saturation Voltage: VCE(sat) =1.6 V(Typ.) @ IC = 75 A; Maximum Junction Temperature: TJ =175°C; Tighten Parameter Distribution; RoHS Compliant; High Input Impedance; Positive Temperature Co-efficient for Easy Parallel Operating | Transistor Outline, Vertical | FGH75T65SQD-F155 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FGH75N60UFTU
onsemi
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel | FGH75N60UFTU |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FGH75N60SFTU
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AB | FGH75N60SFTU |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FGH75T65SHD_F155
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AB | FGH75T65SHD_F155 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FGH75T65SQDT_F155
onsemi
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-247 | FGH75T65SQDT_F155 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FGH75T65SHDT_F155
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor | FGH75T65SHDT_F155 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FGH75T65SQD_F155
onsemi
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1 | 650 V, 75 A Field Stop Trench IGBT, TO-247 3L, 3600-RAIL | FGH75T65SQD_F155 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FGH75T65UPD_F085
onsemi
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AB | FGH75T65UPD_F085 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FGH75T65SQD_F155
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor | FGH75T65SQD_F155 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FGH75N60UFTU
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel | FGH75N60UFTU |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FGH75N60UF
onsemi
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AB | FGH75N60UF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FGH75T65UPD
onsemi
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1 | Positive temperaure co-efficient for parallel operation; Low saturation voltage: VCE(sat) = 1.65V (Typ.) at IC = 75A; High current capability; Tightened parameter distribution; Maximum junction temperature: TJ = 175°C; RoHS compliant; Short-circuit ruggedness: 5µs at 25°C; High-input impedance | FGH75T65UPD |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FGH75T65UPMD
Micross Components
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor | FGH75T65UPMD |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FGH75T65UPD
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel | FGH75T65UPD |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FGH75T65UPMF
Micross Components
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor | FGH75T65UPMF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FGH75N60UF
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AB | FGH75N60UF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FGH75T65SHDT-155
onsemi
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-247 | FGH75T65SHDT-155 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FGH75N60SFTU
onsemi
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AB | FGH75N60SFTU |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FGH75T65SHDTL4
onsemi
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-247 | FGH75T65SHDTL4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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