Showing 25 of 112 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF19N20C
onsemi
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1 | 19A, 200V, RDS(on) = 170mΩ(Max.) @VGS = 10 V, ID = 9.5A; 100% avalanche tested; Low Crss ( Typ. 85pF); Low gate charge ( Typ. 40.5nC) | Transistor Outline, Vertical | FQPF19N20C |
3
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FQPF13N50CF
onsemi
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1 | 100% avalanche tested; Low Crss ( Typ. 20pF); Low gate charge ( Typ. 43nC); Fast recovery body diode (Typ. 100ns); 13A, 500V, RDS(on) = 540mΩ(Max.) @VGS = 10 V, ID = 6.5A | Transistor Outline, Vertical | FQPF13N50CF |
2
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FQPF12N60C
onsemi
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1 | Last Shipments - Power MOSFET, N-Channel, Logic Level, QFET, 60 V, 10 A, 110 mΩ, TO-220F | Transistor Outline, Vertical | FQPF12N60C |
3
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FQPF10N60C
onsemi
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1 | Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 600 V, 9.5 A, 730 mΩ, TO-220F | Transistor Outline, Vertical | FQPF10N60C |
3
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FQPF15P12
onsemi
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1 | 175°C maximum junction temperature rating; Low gate charge ( Typ. 29nC); 100% avalanche tested; -15A, -120V, RDS(on) = 200mΩ(Max.) @VGS = -10 V, ID = -7.5A; Low Crss ( Typ. 110pF) | Transistor Outline, Vertical | FQPF15P12 |
3
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FQPF10N20C
onsemi
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1 | 100% avalanche tested; Low gate charge ( Typ. 20nC); Low Crss ( Typ. 40.5pF); 9.5A, 200V, RDS(on) = 360mΩ(Max.) @VGS = 10 V, ID = 4.75A | Transistor Outline, Vertical | FQPF10N20C |
3
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FQPF16N15
onsemi
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1 | Last Shipments - Power MOSFET, N-Channel, QFET, 250 V, 15.6 A, 270 mΩ, TO-220F | Transistor Outline, Vertical | FQPF16N15 |
3
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FQPF11P06
onsemi
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1 | 175°C maximum junction temperature rating; Low gate charge ( Typ. 13nC); Low Crss ( Typ. 45pF); 100% avalanche tested; -8.6A, -60V, RDS(on) = 175mΩ(Max.) @VGS = -10 V, ID = -4.3A | Transistor Outline, Vertical | FQPF11P06 |
3
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FQPF13N06L
onsemi
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1 | Low Crss ( Typ. 17pF); 175°C maximum junction temperature rating; Low gate charge ( Typ. 4.8nC); 100% avalanche tested; 10A, 60V, RDS(on) = 110mΩ(Max.) @VGS = 10 V, ID = 5A | Transistor Outline, Vertical | FQPF13N06L |
3
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FQPF1P50
Rochester Electronics LLC
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1 | 1.03A, 500V, 10.5ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220F, 3 PIN | FQPF1P50 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF1N50
Rochester Electronics LLC
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1 | 0.9A, 500V, 9ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220F, 3 PIN | FQPF1N50 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF1P50
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.03A I(D), 500V, 10.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQPF1P50 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF1N50
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.9A I(D), 500V, 9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQPF1N50 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF1N60C
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 600V, 11.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQPF1N60C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF1N60
Rochester Electronics LLC
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1 | 0.9A, 600V, 11.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220F, 3 PIN | FQPF1N60 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF1N60
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.9A I(D), 600V, 11.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQPF1N60 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF16N15
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11.6A I(D), 150V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQPF16N15 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF11N40C
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10.5A I(D), 400V, 0.53ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQPF11N40C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF12P10
Rochester Electronics LLC
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1 | 8.2A, 100V, 0.29ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220F, 3 PIN | FQPF12P10 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF11N40C
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10.5A I(D), 400V, 0.53ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQPF11N40C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF16N25
Rochester Electronics LLC
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1 | 9.5A, 250V, 0.23ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220F, 3 PIN | FQPF16N25 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF11N40CYDTU
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor | FQPF11N40CYDTU |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF13N50C
Rochester Electronics LLC
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1 | 13A, 500V, 0.48ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220F, 3 PIN | FQPF13N50C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF12N60C
Rochester Electronics LLC
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1 | Power Field-Effect Transistor | FQPF12N60C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF10N20T
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.8A I(D), 200V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQPF10N20T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||