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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD30N06S4L23ATMA2
Infineon
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1 | N-Channel 60 V 30A (Tc) 36W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11 | Other | IPD30N06S4L23ATMA2 |
3
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IPD30N06S215ATMA2
Infineon
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1 | MOSFET MOSFET_)40V 60V) | Other | IPD30N06S215ATMA2 |
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IPD30N06S2L-13
Infineon
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1 | N-Channel 55 V 30A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11 | Other | IPD30N06S2L-13 |
2
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IPD30N10S3L-34
Infineon
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1 | Infineon IPD30N10S3L-34 N-channel MOSFET Transistor, 30 A, 100 V, 3-Pin TO-252 | Other | IPD30N10S3L-34 |
3
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IPD30N08S2L21ATMA1
Infineon
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1 | 75V, N-Ch, 20.5 mΩ max, Automotive MOSFET, DPAK, OptiMOS™ | Other | IPD30N08S2L21ATMA1 |
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IPD30N03S4L-09
Infineon
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1 | Infineon IPD30N03S4L-09 N-channel MOSFET Transistor, 30 A, 30 V, 3-Pin TO-252 | Other | IPD30N03S4L-09 |
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IPD30N06S2L-23
Infineon
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1 | MOSFET N-Ch 55V 30A DPAK-2 OptiMOS | Other | IPD30N06S2L-23 |
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IPD30N06S2L23ATMA3
Infineon
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1 | INFINEON - IPD30N06S2L23ATMA3 - Power MOSFET, N Channel, 55 V, 30 A, 0.0159 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount | Other | IPD30N06S2L23ATMA3 |
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IPD30N03S2L-20
Infineon
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1 | MOSFET N-Ch 30V 30A DPAK-2 OptiMOS Power-Transistor -55 ... +175 °C 60 W 70 mJ 31 mΩ 100 nA | Other | IPD30N03S2L-20 |
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IPD30N12S3L31ATMA1
Infineon
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1 | N-Channel 120 V 30A (Tc) 57W Surface Mount PG-TO252-3-11 | Other | IPD30N12S3L31ATMA1 |
3
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IPD30N03S4L-14
Infineon
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1 | Infineon IPD30N03S4L-14 N-channel MOSFET Transistor, 30 A, 30 V, 31W , 3-Pin TO-252 , -55°C ~ +175°C | Other | IPD30N03S4L-14 |
3
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IPD30N12S3L31ATMA2
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 120V, 0.042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD30N12S3L31ATMA2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD30N06S3L20ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 55V, 0.038ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IPD30N06S3L20ATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD30N06S2L23XT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 55V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD30N06S2L23XT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD30N06S3L-20
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 55V, 0.038ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IPD30N06S3L-20 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD30N06S3-24
Rochester Electronics LLC
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1 | 30A, 55V, 0.024ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, GREEN, TO-252, 3 PIN | IPD30N06S3-24 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD30N08S2L-21
Rochester Electronics LLC
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1 | 30A, 75V, 0.026ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, GREEN, PLASTIC, TO-252, 3 PIN | IPD30N08S2L-21 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD30N06S223ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 55V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD30N06S223ATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD30N10S3L34ATMA2
Infineon
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1 | N-Channel 100 V 30A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11 | IPD30N10S3L34ATMA2 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD30N06S4L-23
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD30N06S4L-23 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD30N06S3L-20
Rochester Electronics LLC
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1 | 30A, 55V, 0.038ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, GREEN, TO-252, 3 PIN | IPD30N06S3L-20 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD30N06S2L13ATMA4
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 55V, 0.017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD30N06S2L13ATMA4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD30N06S2-15
Rochester Electronics LLC
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1 | 30A, 55V, 0.0147ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3 | IPD30N06S2-15 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD30N06S223XT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 55V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD30N06S223XT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD30N08S2L-21
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 75V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IPD30N08S2L-21 |
0
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