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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPL65R230C7
Infineon
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1 | MOSFET N-Ch 650V 10A ThinPAK-4 CoolMOS C7 | Other | IPL65R230C7 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPL65R650C6SATMA1
Infineon
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1 | MOSFET N-Ch 650V 6.7A ThinPAK 5x6 | Other | IPL65R650C6SATMA1 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPL65R340CFDAUMA1
Infineon
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1 | MOSFET N-Ch 700V 10.9A VSON-5 | Other | IPL65R340CFDAUMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPL65R195C7
Infineon
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1 | 650VCoolMOSªC7PowerTransistor | Other | IPL65R195C7 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPL65R1K0C6SATMA1
Infineon
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1 | MOSFET N-Ch 650V 4.2A ThinPAK 5x6 | Other | IPL65R1K0C6SATMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPL65R070C7
Infineon
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1 | MOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS | Other | IPL65R070C7 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPL65R200CFD7AUMA1
Infineon
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1 | Surface Mount Type N Channel 650 V 14A (Tc) 81W (Tc) PG-VSON-4 | Other | IPL65R200CFD7AUMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPL65R065CFD7
Infineon
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1 | N-Channel 650 V 33A (Tc) 195W (Tc) Surface Mount PG-VSON-4-1 | Other | IPL65R065CFD7 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPL65R099C7AUMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 650V, 0.099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPL65R099C7AUMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPL65R1K5C6S
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 650V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPL65R1K5C6S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPL65R070C7AUMA1
Infineon
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1 | MOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS | IPL65R070C7AUMA1 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPL65R130C7AUMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 650V, 0.13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPL65R130C7AUMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPL65R1K5C6SATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 650V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPL65R1K5C6SATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPL65R310E6AUMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 650V, 0.31ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPL65R310E6AUMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPL65R420E6AUMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 650V, 0.42ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPL65R420E6AUMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPL65R210CFD
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16.6A I(D), 650V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPL65R210CFD |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPL65R460CFDAUMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor | IPL65R460CFDAUMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPL65R130C7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 650V, 0.13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPL65R130C7 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPL65R165CFDAUMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21.3A I(D), 650V, 0.165ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPL65R165CFDAUMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPL65R165CFDAUMA2
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21.3A I(D), 650V, 0.165ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPL65R165CFDAUMA2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPL65R660E6
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 650V, 0.66ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPL65R660E6 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPL65R1K0C6S
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 650V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPL65R1K0C6S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPL65R420E6
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 650V, 0.42ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPL65R420E6 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPL65R210CFDAUMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16.6A I(D), 650V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPL65R210CFDAUMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPL65R210CFDAUMA2
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16.6A I(D), 650V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPL65R210CFDAUMA2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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