Showing 25 of 31 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIHB12N60E-GE3
Vishay
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1 | SIHB12N60E-GE3 N-Channel MOSFET, 12 A, 600 V E Series, 3-Pin D2PAK Vishay | Other | SIHB12N60E-GE3 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIHB105N60EF-GE3
Vishay
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1 | N-Channel 600 V 29A (Tc) 208W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263) | Other | SIHB105N60EF-GE3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIHB100N60E-GE3
Vishay
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1 | N-Channel 600 V 30A (Tc) 208W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263) | Other | SIHB100N60E-GE3 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIHB17N80AE-GE3
Vishay
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1 | MOSFET 800V N-CHANNEL | Other | SIHB17N80AE-GE3 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIHB17N80E-GE3
Vishay
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1 | N-Channel 800 V 15A (Tc) 208W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK) | Other | SIHB17N80E-GE3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIHB15N60E-GE3
Vishay Siliconix
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1 | MOSFET N CH 600V 15A DPAK | SIHB15N60E-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIHB12N65E-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 650V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | SIHB12N65E-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIHB186N60EF-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.4A I(D), 600V, 0.193ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | SIHB186N60EF-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIHB15N80AE-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 800V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | SIHB15N80AE-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIHB12N50E-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10.5A I(D), 500V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | SIHB12N50E-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIHB12N50C-E3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.555ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | SIHB12N50C-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIHB125N60EF-GE3
Vishay
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1 | MOSFET 600V N-CHANNEL | SIHB125N60EF-GE3 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIHB12N60E-GE3
Vishay Siliconix
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1 | MOSFET N CH 600V 12A TO263 | SIHB12N60E-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIHB12N50C-E3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.555ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | SIHB12N50C-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIHB120N60E-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 600V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | SIHB120N60E-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIHB155N60EF-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 600V, 0.159ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | SIHB155N60EF-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIHB17N80E-T1-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 800V, 0.29ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | SIHB17N80E-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIHB18N60E-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 600V, 0.202ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | SIHB18N60E-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIHB15N65E-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 650V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | SIHB15N65E-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIHB16N50C-E3
Vishay Siliconix
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1 | N-CHANNEL 500V - Tape and Reel | SIHB16N50C-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIHB11N80AE-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 800V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | SIHB11N80AE-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIHB10N40D-GE3
Vishay
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1 | MOSFET N-CH 400V 10A DPAK | SIHB10N40D-GE3 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIHB15N50E-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14.5A I(D), 500V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, D2PAK-3/2 | SIHB15N50E-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIHB12N60ET1-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 600V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | SIHB12N60ET1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIHB100N65E-GE3
Vishay
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1 | E SERIES POWER MOSFET 650 V (D- | SIHB100N65E-GE3 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||