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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQ2348CES-T1_GE3
Vishay
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1 | MOSFET Automotive P-Channel 12 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK SC-70W, 19 mohm a. 4.5V | SOT23 (3-Pin) | SQ2348CES-T1_GE3 |
3
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SQ2315CES-T1_GE3
Vishay
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1 | MOSFETs P-CHANNEL 12-V (D-S) 175C MOSFET | SOT23 (3-Pin) | SQ2315CES-T1_GE3 |
3
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SQ2389CES-T1_BE3
Vishay
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1 | MOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET | SOT23 (3-Pin) | SQ2389CES-T1_BE3 |
3
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SQ2337CES-T1_GE3
Vishay
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1 | MOSFETs P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET | SOT23 (3-Pin) | SQ2337CES-T1_GE3 |
3
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SQ2309CES-T1_GE3
Vishay
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1 | MOSFET Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175C MOSFET SOT-23 , 370 mohm a. 10V, 500 mohm a. 4.5V | SOT23 (3-Pin) | SQ2309CES-T1_GE3 |
3
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SQ2310CES-T1_GE3
Vishay
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1 | Automotive N-Channel 20 V (D-S) 175 °C MOSFET | SOT23 (3-Pin) | SQ2310CES-T1_GE3 |
3
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SQ2308CES-T1_BE3
Vishay
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1 | MOSFET N-CHANNEL 60V (D-S) | SOT23 (3-Pin) | SQ2308CES-T1_BE3 |
3
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SQ2325CES-T1_GE3
Vishay
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1 | MOSFETs P-CHANNEL 150-V,840mA (D-S) 175C MOSFET Surface Mount -55 to +175 °C | Other | SQ2325CES-T1_GE3 |
2
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SQ2389CES-T1_GE3
Vishay
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1 | MOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET | SOT23 (3-Pin) | SQ2389CES-T1_GE3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQ2361CES-T1_GE3
Vishay
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1 | MOSFETs P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET | SOT23 (3-Pin) | SQ2361CES-T1_GE3 |
3
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SQ2319CES-T1_GE3
Vishay
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1 | P-Channel 40 V 4.6A (Tc) 3W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) ,40 V ,4.5V, 10V ,-55°C ~ 175°C | SOT23 (3-Pin) | SQ2319CES-T1_GE3 |
3
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SQ2301CES-T1_GE3
Vishay
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1 | P-Channel 20 V 3.9A (Tc) 3W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) | SOT23 (3-Pin) | SQ2301CES-T1_GE3 |
3
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SQ2308CES-T1_GE3
Vishay
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1 | MOSFET 60V 2.3A 2watt AEC-Q101 Qualified | SOT23 (3-Pin) | SQ2308CES-T1_GE3 |
3
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SQ2362CES-T1_GE3
Vishay
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1 | Power MOSFET, N Channel, 60 V, 4.3 A, 0.068 ohm, SOT-23, Surface Mount , 3W , -55°C to +175°C | SOT23 (3-Pin) | SQ2362CES-T1_GE3 |
3
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SQ2318CES-T1_GE3
Vishay
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1 | TrenchFET® power MOSFET• AEC-Q101 qualified• 100 % Rg and UIS tested• Material categorization:for definitions of compliance please seewww.vishay.com/doc?99912 | SOT23 (3-Pin) | SQ2318CES-T1_GE3 |
3
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SQ2351CES-T1_GE3
Vishay
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1 | MOSFETs Automotive P-Channel 20 V (D-S) 175C MOSFET SOT-23, 115 mohm a. 4.5V | SOT23 (3-Pin) | SQ2351CES-T1_GE3 |
3
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CEST143LC5VU
CREATEK Microelectronics
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1 | Unidirectional low capacitance ESD TVS array in SOT143 package with 5V reverse stand-off voltage, 6.8V breakdown voltage, 9.8V clamping voltage at 6A, 0.6pF junction capacitance, and 100W peak pulse power rating for high-speed data line protection. | CEST143LC5VU |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CEST1-C6
Panduit
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1 | Conduit Fittings & Accessories Cable Entry System, Terminated, IP54, 2. | CEST1-C6 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQ2361CES-T1_BE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 60V, 0.177ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236 | SQ2361CES-T1_BE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQ2308CES-T1-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 60V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB | SQ2308CES-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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93LC86C-E/ST15KVXX
Microchip Technology Inc
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1 | EEPROM, 1KX16, Serial, CMOS, PDSO8 | 93LC86C-E/ST15KVXX |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQ2309CES-T1_BE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236 | SQ2309CES-T1_BE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQ2362CES-T1_BE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 60V, 0.068ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, TO-236AB | SQ2362CES-T1_BE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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93AA76C-E/ST15VAO
Microchip Technology Inc
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1 | EEPROM, 512X16, Serial, CMOS, PDSO8 | 93AA76C-E/ST15VAO |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQ2351CES-T1_BE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 20V, 0.115ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, TO-236AB | SQ2351CES-T1_BE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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