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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC6401N
onsemi
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1 | Low gate charge ; RDS(ON) = 70 mΩ @ VGS = 4.5 V ; 3.0 A, 20 V ; High power and current handling capability ; High performance trench technology for extremelylow RDS(on) ; RDS(ON) = 95 mΩ @ VGS = 2.5 V | SOT23 (6-Pin) | FDC6401N |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC642P
onsemi
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1 | Low gate charge (11nC typical). ; Fast switching speed. ; Termination is Lead-free and RoHS Compliant ; High performance trench technology for extremely low rDS(ON). ; Max rDS(ON) = 65mΩ at VGS = -4.5 V, ID = -4.0A ; Max rDS(ON) = 100mΩ at VGS = -2.5 V, ID = -3.2A ; SuperSOT™-6 package: small footprint (72% smaller than standard SO-8); low profile (1mm thick) | SOT23 (6-Pin) | FDC642P |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC645N
onsemi
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1 | 5.5 A, 30 V. ; RDS(on) = 30 mΩ @ VGS = 4.5 V ; RDS(on) = 26 mΩ @ VGS = 10 V ; Low gate charge (13 nC typical) ; High performance trench technology for extremelylow RDS(ON) ; High power and current handling capability | SOT23 (6-Pin) | FDC645N |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC640P
onsemi
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1 | RDS(ON) = 0.080 Ω @ VGS = -2.5 V ; RDS(ON) = 0.053 Ω @ VGS = -4.5 V ; Rugged gate rating ( ±12V) ; Fast switching speed ; High performance trench technology for extremelylow RDS(ON) ; -4.5 A, -20 V. | SOT23 (6-Pin) | FDC640P |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC6420C
onsemi
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1 | RDS(on) = 70 mΩ@ VGS = 4.5 V ; Q1 3.0 A, 20V ; RDS(on) = 95 mΩ @ VGS = 2.5 V ; Low gate charge ; RDS(on) = 125 mΩ@ VGS = -4.5 V ; High performance trench technology for extremely low RDS(ON) ; SuperSOT –6 package: small footprint (72% smaller thanSO-8); low profile (1mm thick). ; Q2 –2.2 A, 20V. ; RDS(on) = 190 mΩ @ VGS = -2.5 V | SOT23 (6-Pin) | FDC6420C |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC642P-F085PBK
onsemi
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1 | Fast switching speed; Qualified to AEC Q101; Typ rDS(on) = 75.3mΩ at VGS = –2.5V, ID = –3.2A; Typ rDS(on) = 52.5mΩ at VGS = –4.5V, ID = –4A; Low gate charge(6.9nC typical) ; RoHS compliant; High performance trench technology for extremely low rDS(on); SuperSOT™–package:small footprint(72% smaller than standard SO–8);low profile(1mm thick). | SOT23 (6-Pin) | FDC642P-F085PBK |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC642P-F085P
onsemi
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1 | Fast switching speed; Qualified to AEC Q101; Typ rDS(on) = 75.3mΩ at VGS = –2.5V, ID = –3.2A; Typ rDS(on) = 52.5mΩ at VGS = –4.5V, ID = –4A; Low gate charge(6.9nC typical) ; RoHS compliant; High performance trench technology for extremely low rDS(on); SuperSOT™–package:small footprint(72% smaller than standard SO–8);low profile(1mm thick). | SOT23 (6-Pin) | FDC642P-F085P |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC645N-F073
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | FDC645N-F073 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC6401ND87Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC6401ND87Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC6420CL99Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC6420CL99Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC6420CS62Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC6420CS62Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC6420CD87Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC6420CD87Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC642P_F085
onsemi
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1 | -20V, -4A, 65mΩ, SSOT-6 P-Channel PowerTrench®, SSOT 6L, 15000-TAPE REEL | FDC642P_F085 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC6420C_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC6420C_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC640P-NBAD004A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC640P-NBAD004A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC6401N
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC6401N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC642PD87Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 20V, 0.065ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC642PD87Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC640P_NF073
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC640P_NF073 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC6432SH_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC6432SH_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC6401NL99Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC6401NL99Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC6401N_NBHS003
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC6401N_NBHS003 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC640P_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC640P_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC645N
Rochester Electronics LLC
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1 | 5.5mA, 30V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, SUPERSOT-6 | FDC645N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC6401ND84Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC6401ND84Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC6420C
Rochester Electronics LLC
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1 | 3000mA, 20V, 2 CHANNEL,N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, SUPERSOT-6 | FDC6420C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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