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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS86106
onsemi
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1 | High power and current handling capability in a widely used surface mount package; Max rDS(on) = 171 mΩ at VGS = 6 V, ID/ = 2.7 A; 100% UIL Tested; Max rDS(on)= 105 mΩ at VGS = 10 V, ID = 3.4 A; RoHS Compliant; High performance trench technology for extremely low rDS(on) | Small Outline Packages | FDS86106 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS8672S
onsemi
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1 | Obsolete - N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 14A, 7.6mΩ | Small Outline Packages | FDS8672S |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS86267P
onsemi
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1 | Max rDS(on) = 290 mΩ at VGS = -6 V, ID = -2 A ; RoHS Compliant ; This Product is Optimised for Fast Switching Applications as well as Load Switch Applications ; Very Low rDS(on) Mid Voltage P-channel Silicon Technology Optimised for Low Qg; Max rDS(on) = 255 mΩ at VGS = -10 V, ID = -2.2 A ; Shielded Gate MOSFET Technology ; 100% UIL Tested | Small Outline Packages | FDS86267P |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS86240
onsemi
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1 | RoHS Compliant; 100% UIL Tested; Max rDS(on) = 19.8 mΩ at VGS = 10 V, ID = 7.5 A; High Power and Current Handling Capability in a Widely Used Surface Mount Package; Max rDS(on) = 26 mΩ at VGS = 6 V, ID = 6.4 A; High Performance Trench Technology for Extremely Low rDS(on) | Small Outline Packages | FDS86240 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS86540
onsemi
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1 | RoHS Compliant ; Max rDS(on) = 4.5 mΩ at VGS = 10 V, ID = 18 A ; High performance trench technologh for extremely low rDS(on) ; 100% UIL Tested ; High power and current handing capability in a widely used surface mount package ; Max rDS(on) = 5.4 mΩ at VGS = 8 V, ID = 16.5 A | Small Outline Packages | FDS86540 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS86141
onsemi
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1 | 100% UIL Tested; RoHS Compliant; Max rDS(on) = 23 mΩ at VGS = 10 V, ID = 7 A; Max rDS(on) = 36 mΩ at VGS = 6 V, ID = 5.5 A; High Performance Trench Technology for Extremely Low rDS(on) | Small Outline Packages | FDS86141 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS86252
onsemi
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1 | Max rDS(on) = 80 mΩ at VGS = 6 V, ID = 3.7 A; 100% UIL Tested; High power and current handling capability in a widely used surface mount package; Max rDS(on) = 55 mΩ at VGS = 10 V, ID = 4.5 A; High performance trench technology for extremely low rDS(on); RoHS Compliant | Small Outline Packages | FDS86252 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS86242
onsemi
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1 | 100% UIL Tested; Max rDS(on) = 67 mΩ at VGS = 10 V, ID = 4.1 A; High performance trench technology for extremely low rDS(on); Max rDS(on) = 98mΩ at VGS = 6 V, ID = 3.3 A; RoHS Compliant; High power and current handling capability in a widely usedsurface mount package | Small Outline Packages | FDS86242 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS8638
onsemi
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1 | High performance trench technology for extremely low rDS(on); RoHS Compliant; Max rDS(on) = 4.3 mΩ at VGS = 10 V, ID = 18 A; 100% UIL Tested; Max rDS(on) = 5.4 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 16 A | Small Outline Packages | FDS8638 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS86267P
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | FDS86267P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS8670
Rochester Electronics LLC
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1 | 21A, 30V, 0.0037ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, SOP-8 | FDS8670 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS86265P
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 150V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS86265P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS86265P
onsemi
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 150V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS86265P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS86240
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 150V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS86240 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS8638
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 18A I(D), 40V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS8638 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS8672S
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS8672S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS86540
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 18A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS86540 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS8690
onsemi
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 14A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS8690 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS86252
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 150V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS86252 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS86242
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 4.1A I(D), 150V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS86242 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS8690
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 14A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS8690 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS8670
onsemi
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | FDS8670 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS86106
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 100V, 0.105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS86106 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS86141
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 7A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS86141 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS86140
onsemi
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1 | N-Channel PowerTrench® MOSFET 100V, 11.2A, 9.8mΩ | FDS86140 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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