Showing 25 of 2830 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FGH40N60SMDF
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1 | Fast switching: EOFF =6.5uJ/A; RoHS compliant; Low saturation voltage: VCE(sat) =1.9V(Typ.) @ IC = 40A; High input impedance; Positive temperaure co-efficient for easy parallel operating; Tightened parameter distribution; Maximum junction temperature : TJ =175 °C; High current capability | Transistor Outline, Vertical | FGH40N60SMDF |
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FGH40N120ANTU
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1 | Obsolete - IGBT, 600V, 40A, 2.3V, TO-247High Speed, Field Stop | Transistor Outline, Vertical | FGH40N120ANTU |
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FGH40N60SFDTU
onsemi
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1 | Fast switching: EOFF =8uJ/A ; High Input Impedance; Low saturation voltage: VCE(sat) =2.3V @ IC = 40A; RoHS compliant; High Current Capability | Transistor Outline, Vertical | FGH40N60SFDTU |
3
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FGH40N60UFD
onsemi
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1 | IGBT - Field Stop 600 V, 40 A | Transistor Outline, Vertical | FGH40N60UFD |
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FGH40T120SMD_F155
onsemi
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1 | IGBT 1200V 40A Field Stop Trench TO247 | Transistor Outline, Vertical | FGH40T120SMD_F155 |
3
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FGH40N60SMD
onsemi
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1 | Positive temperaure co-efficient for easy parallel operating; High input impedance; High current capability; Maximum junction temperature : TJ=175°C; Low saturation voltage: VCE(sat) =1.9V(Typ.) @ IC = 40A; Fast switching: EOFF =6.5uJ/A; RoHS compliant; Tightened parameter distribution | Transistor Outline, Vertical | FGH40N60SMD |
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FGH40N65UFDTU
onsemi
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1 | Low saturation voltage: VCE(sat) =1.8V @ IC = 40A; High current capability; Fast switching: EOFF =12uJ/A ; RoHS compliant; High Input Impedance | Transistor Outline, Vertical | FGH40N65UFDTU |
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FGH40T65SHD-F155
onsemi
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1 | Fast Switching; High Current Capability; Positive Temperature Co-efficient for Easy Parallel Operating; Low Saturation Voltage: VCE(sat) =1.6 V(Typ.) @ IC = 40 A; 100% of the Parts Tested for ILM(1); Maximum Junction Temperature : TJ =175°C; High Input Impedance; Tighten Parameter Distribution; RoHS Compliant | Transistor Outline, Vertical | FGH40T65SHD-F155 |
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FGH40T120SMD
onsemi
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1 | High Input Impedance; FS Trench Technology, Positive Temperature Coefficient; Low Saturation Voltage: VCE(sat) =1.8 V @ IC = 40 A; High Speed Switching; 100% of the Parts tested for ILM(1); RoHS Compliant | Transistor Outline, Vertical | FGH40T120SMD |
3
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FGH40N60SMD-F085
onsemi
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1 | Positive Temperaure Co-efficient for easy parallel operating; High input impedance; RoHS compliant; Qualified to Automotive Requirements of AEC-Q101; Low saturation voltage: VCE(sat) = 1.9V(Typ.) @ IC = 40A; Maximum Junction Temperature : TJ = 175℃; High current capability; Tightened Parameter Distribution | Transistor Outline, Vertical | FGH40N60SMD-F085 |
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FGH40T120SQDNL4
onsemi
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1 | Extremely Efficient Trench with Field Stop Technology • TJmax = 175°C • Soft Fast Reverse Recovery Diode • Optimized for High Speed Switching • These are Pb−Free Devices | Other | FGH40T120SQDNL4 |
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FGH40N60UFDTU
onsemi
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1 | High input impedance; RoHS compliant; Fast switching: EOFF =12uJ/A ; Low saturation voltage: VCE(sat) =1.8V @ IC = 40A; High current capability | Other | FGH40N60UFDTU |
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FGH40T65SHDF
onsemi
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1 | IGBT Transistors 650V FS Gen3 Trench IGBT | Transistor Outline, Vertical | FGH40T65SHDF |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FGH40T65SQD-F155
onsemi
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1 | ON SEMICONDUCTOR - FGH40T65SQD-F155 - FIELD STOP TRENCH IGBT, 650V/80A, TO-247 | Transistor Outline, Vertical | FGH40T65SQD-F155 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FGH40T65SPD
onsemi
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor | FGH40T65SPD |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FGH40T65SQD
onsemi
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor | FGH40T65SQD |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FGH40N120AN
onsemi
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 64A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AB | FGH40N120AN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FGH40T120SMDL4
onsemi
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247 | FGH40T120SMDL4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FGH40N120ANMD
Micross Components
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor | FGH40N120ANMD |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FGH40N120ANMF
Micross Components
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor | FGH40N120ANMF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FGH40N6S2
Rochester Electronics LLC
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1 | 75A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-247, TO-247, 3 PIN | FGH40N6S2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FGH40T65SH-F155
onsemi
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1 | IGBT, 650 V, 40 A Field Stop Trench, TO-247 3L, 450-TUBE | FGH40T65SH-F155 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FGH40T65SPD-F155
onsemi
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1 | IGBT, 650V, 40A Field Stop Trench, TO-247 3L, 450-TUBE | FGH40T65SPD-F155 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FGH40N60SMD_F085
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AB | FGH40N60SMD_F085 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FGH40T70SHD_F155
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor | FGH40T70SHD_F155 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||