Showing 25 of 46 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPB120N06S4-02
Infineon
|
1 | Infineon IPB120N06S4-02 N-channel MOSFET Transistor, 120 A, 60 V, 3-Pin TO-263 | Other | IPB120N06S4-02 |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IPB120N06S4H1ATMA2
Infineon
|
1 | MOSFET N-Ch 60V 120A D2PAK-2 | Other | IPB120N06S4H1ATMA2 |
2
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IPB120P04P4L03ATMA1
Infineon
|
1 | IPB120P04P4L03ATMA1 P-Channel MOSFET, 120 A, 40 V OptiMOS P, 3-Pin D2PAK Infineon | Other | IPB120P04P4L03ATMA1 |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IPB120P04P4L03ATMA2
Infineon
|
1 | Power MOSFET Transistor | Other | IPB120P04P4L03ATMA2 |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IPB120N10S405ATMA1
Infineon
|
1 | N-Channel 100 V 120A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3, -55°C ~ 175°C | Other | IPB120N10S405ATMA1 |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IPB120P04P404ATMA2
Infineon
|
1 | P-Channel 40 V 120A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2 , 3.8mOhm , 340µA , -55°C ~ 175°C (TJ) | Other | IPB120P04P404ATMA2 |
2
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IPB120N04S402ATMA1
Infineon
|
1 | MOSFET N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS-T2 | Other | IPB120N04S402ATMA1 |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IPB120P04P4L-03
Infineon
|
1 | Infineon IPB120P04P4L-03 P-channel MOSFET Transistor, 120 A, -40 V, 3-Pin TO-263 | Other | IPB120P04P4L-03 |
2
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IPB123N10N3GATMA1
Infineon
|
1 | IPB123N10N3GATMA1 N-Channel MOSFET, 58 A, 100 V OptiMOS 3, 3-Pin D2PAK Infineon | Other | IPB123N10N3GATMA1 |
2
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IPB120N10S403ATMA1
Infineon
|
1 | MOSFET N-CHANNEL 100+ | Other | IPB120N10S403ATMA1 |
2
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IPB120N08S4-03
Infineon
|
1 | MOSFET MOSFET_(75V 120V( | Other | IPB120N08S4-03 |
2
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IPB120N03S4L03ATMA1
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 30V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB120N03S4L03ATMA1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IPB120N10S4-03
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 100V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB120N10S4-03 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IPB120N04S404ATMA1
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 40V, 0.0036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB120N04S404ATMA1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IPB120N06S402ATMA2
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.0024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB120N06S402ATMA2 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IPB120P04P404ATMA1
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 40V, 0.0035ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB120P04P404ATMA1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IPB120N04S302ATMA1
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 40V, 0.0023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB120N04S302ATMA1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IPB120N04S3-02
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 40V, 0.0023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB120N04S3-02 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IPB120N06S402ATMA1
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.0024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB120N06S402ATMA1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IPB120N04S4-04
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 40V, 0.0036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB120N04S4-04 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IPB120N04S4L-02
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 40V, 0.0017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB120N04S4L-02 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IPB120N06S403ATMA2
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.0028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB120N06S403ATMA2 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IPB120N08S403ATMA1
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 80V, 0.0025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB120N08S403ATMA1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IPB120N04S4L02ATMA1
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 40V, 0.0017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB120N04S4L02ATMA1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IPB120N04S401ATMA1
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 40V, 0.0015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB120N04S401ATMA1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||