Showing 25 of 138 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB80P03P4L04ATMA2
Infineon
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1 | MOSFET MOSFET_(20V 40V) | Other | IPB80P03P4L04ATMA2 |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB80P04P4-05
Infineon
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1 | Infineon IPB80P04P4-05 P-channel MOSFET Transistor, 80 A, -40 V, 3-Pin TO-263 | Other | IPB80P04P4-05 |
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IPB80N04S2H4ATMA2
Infineon
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1 | N-Channel 40 V 80A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2 3.7mOhm @ 80A, 10V,4V @ 250µA,148 nC @ 10 V -55°C ~ 175°C (TJ) | Other | IPB80N04S2H4ATMA2 |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB80N06S2LH5ATMA4
Infineon
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1 | MOSFET MOSFET_)40V 60V) | Other | IPB80N06S2LH5ATMA4 |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB80P04P4L04ATMA2
Infineon
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1 | MOSFET P-CH 40V 80A PG-TO263-3-2 | Other | IPB80P04P4L04ATMA2 |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB80P04P405ATMA2
Infineon
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1 | P-Channel 40 V 80A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2 | Other | IPB80P04P405ATMA2 |
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IPB80P04P4L08ATMA1
Infineon
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1 | Trans MOSFET P-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Other | IPB80P04P4L08ATMA1 |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB80N06S2L06ATMA2
Infineon
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1 | MOSFET MOSFET_)40V 60V) | Other | IPB80N06S2L06ATMA2 |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB80R290C3A
Infineon
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1 | 800V, N-Ch, 290 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK, CoolMOS™ C3A | Other | IPB80R290C3A |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB80P04P407ATMA1
Infineon
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1 | Infineon IPB80P04P407ATMA1 P-channel MOSFET Transistor, 80 A, -40 V, 3-Pin TO-263 | Other | IPB80P04P407ATMA1 |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB80P03P4L-07
Infineon
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1 | MOSFET P-Ch 30V 80A OptiMOS-P2 TO-263 Infineon IPB80P03P4L-07 P-channel MOSFET Transistor, 80 A, -30 V, 3-Pin TO-263 | Other | IPB80P03P4L-07 |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB80P03P4L-04
Infineon
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1 | Infineon IPB80P03P4L-04 P-channel MOSFET Transistor, 80 A, -30 V, 3-Pin TO-263 | Other | IPB80P03P4L-04 |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB80N04S4-04
Infineon
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1 | Infineon IPB80N04S4-04 N-channel MOSFET Transistor, 80 A, 40 V, 3-Pin TO-263 | Other | IPB80N04S4-04 |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB80N04S3-03
Infineon
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1 | MOSFET N-Ch 40V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T | Other | IPB80N04S3-03 |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB80R290C3AATMA2
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 800V, 0.29ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB80R290C3AATMA2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB80CN10NG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 100V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB80CN10NG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB80N06S2L-H5
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0062ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB80N06S2L-H5 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB80P04P407XT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 40V, 0.0077ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB80P04P407XT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB80N06S2L-09
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB80N06S2L-09 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB80P03P4L07XT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.0069ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB80P03P4L07XT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB80N04S204ATMA2
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 40V, 0.0034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB80N04S204ATMA2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB80N06S4-05
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 60V, 0.0057ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB80N06S4-05 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB80N06S209XT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0088ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB80N06S209XT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB80N04S4-03
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 40V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB80N04S4-03 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB80N06S209ATMA2
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0088ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB80N06S209ATMA2 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||