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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPDD60R050G7XTMA1
Infineon
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1 | MOSFET HIGH POWER_NEW | Small Outline Packages | IPDD60R050G7XTMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPDD60R125G7XTMA1
Infineon
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1 | MOSFET HIGH POWER_NEW | Small Outline Packages | IPDD60R125G7XTMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPDD60R190G7XTMA1
Infineon
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1 | INFINEON - IPDD60R190G7XTMA1 - MOSFET, N-CH, 600V, 13A, HDSOP | Small Outline Packages | IPDD60R190G7XTMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPDD60R080G7XTMA1
Infineon
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1 | INFINEON - IPDD60R080G7XTMA1 - MOSFET, N-CH, 600V, 29A, HDSOP | Small Outline Packages | IPDD60R080G7XTMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPDD60R150G7XTMA1
Infineon
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1 | MOSFET HIGH POWER_NEW | Small Outline Packages | IPDD60R150G7XTMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPDD60R045CFD7
Infineon
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1 | N-CH 600V 61A 38mOhm HDSOP-10-1 600VCoolMOS CFD7PowerTransistor MOSFET | Small Outline Packages | IPDD60R045CFD7 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPDD60R075CFD7XTMA1
Infineon
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1 | MOSFET HIGH POWER_NEW | Small Outline Packages | IPDD60R075CFD7XTMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPDD60R037CM8XTMA1
Infineon
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1 | N-Channel 600 V 72A (Tj) 416W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-10-1 | Small Outline Packages | IPDD60R037CM8XTMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPDD60R105CFD7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 600V, 0.105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPDD60R105CFD7 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPDD60R080G7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 600V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPDD60R080G7 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPDD60R055CFD7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 52A I(D), 600V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPDD60R055CFD7 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPDD60R050G7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 47A I(D), 600V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPDD60R050G7 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPDD60R102G7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 600V, 0.102ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPDD60R102G7 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPDD60R075CFD7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 600V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPDD60R075CFD7 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPDD60R150G7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 600V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPDD60R150G7 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPDD60R102G7XTMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 600V, 0.102ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPDD60R102G7XTMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPDD60R190G7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 600V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPDD60R190G7 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPDD60R125G7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 600V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPDD60R125G7 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPDD60R145CFD7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 600V, 0.145ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPDD60R145CFD7 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPDD60R125CFD7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 600V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPDD60R125CFD7 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPDD60R090CFD7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 600V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPDD60R090CFD7 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPDD60R170CFD7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 600V, 0.17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPDD60R170CFD7 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPDD60R170CFD7XTMA1
Infineon
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0 | MOSFET N-CH 600V 19A HDSOP-10 | IPDD60R170CFD7XTMA1 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPDD60R125CFD7XTMA1
Infineon
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1 | MOSFET HIGH POWER_NEW | IPDD60R125CFD7XTMA1 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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