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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPN60R1K0CE
Infineon
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1 | Transistor=N-Channel Power MOSFET, ID=6.8A, IDpuls=11.8A, Mounting=SMT, Temperature=-40°C 150°C, Ptot=5W, Package=SOT-223, QG=13nC, Qgd=6.5nC, RDS=1000mΩ, RthJA=75K/W, VDS=600V, VGS=2.5V 3.5V | Other | IPN60R1K0CE |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPN60R360PFD7SATMA1
Infineon
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1 | N-Channel 650 V 10A (Tc) 7W (Tc) Surface Mount PG-SOT223-3-1 | Other | IPN60R360PFD7SATMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPN60R2K0PFD7S
Infineon
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1 | N-Channel Power MOSFET VDS=650V, RDS(on),max=2000mΩ, ID,pulse=4.5A PG-SOT223, -40 to 150 °C. | Other | IPN60R2K0PFD7S |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPN60R600P7S
Infineon
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1 | 600VCoolMOS P7PowerTransistor VDS max: 650V, RDS (on) max: 600mΩ, Qg,typ: 9nC, ID,pulse: 16A, Eoss @ 400V: 1.1µJ, Body diode diF/dt: 900A/µs, SMT, Package: PG-SOT223 | Other | IPN60R600P7S |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPN60R2K1CE
Infineon
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1 | Transistor=N-Channel Power MOSFET, ID=3.7A, IDpuls=5.9A, Mounting=SMT, Temperature=-40°C 150°C, Ptot=5W, Package=SOT-223, QG=6.7nC, Qgd=3.6nC, RDS=2100mΩ, RthJA=75K/W, VDS=600V, VGS=2.5V 3.5V | Other | IPN60R2K1CE |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPN60R360PFD7S
Infineon
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1 | This 600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFET ,VDS @ Tj,max-650v, RDS(on),max-360mΩ, Qg,typ-12.7nC, ID,pulse-24A, Eoss @ 400V-1.6µJ | Other | IPN60R360PFD7S |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPN60R360P7SATMA1
Infineon
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1 | N-Channel 600 V 9A (Tc) 7W (Tc) Surface Mount PG-SOT223 | Other | IPN60R360P7SATMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPN60R360P7S
Infineon
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1 | 600VCoolMOS P7PowerTransistor VDS max: 650V, RDS (on) max: 360mΩ, Qg,typ: 13nC, ID,pulse: 26A, Eoss @ 400V: 1.6µJ, Body diode diF/dt: 900A/µs, Package: PG-SOT223 | Other | IPN60R360P7S |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPN60R1K5CE
Infineon
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1 | 600VCoolMOSªCEPowerTransistor, VDS @ Tj,max-650v, RDS(on),max-1.5 Ω, Qg,typ-9.4nC, ID,pulse-8.4A, Eoss@400V-1µJ, Body diode di/dt -500A/µs | Other | IPN60R1K5CE |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPN60R3K4CEATMA1
Infineon
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1 | MOSFET CONSUMER | Other | IPN60R3K4CEATMA1 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPN60R600P7SATMA1
Infineon
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1 | MOSFET N-CHANNEL 600V 6A SOT223 | Other | IPN60R600P7SATMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPN60R1K0PFD7S
Infineon
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1 | MOSFET (N-Channel) 600V 4.7A 1000mOhm SOT-223 | Other | IPN60R1K0PFD7S |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPN60R3K4CE
Infineon
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1 | Transistor=N-Channel Power MOSFET, ID=2.6A, IDpuls=3.9A, Mounting=SMT, Temperature=-40°C 150°C, Ptot=5W, Package=SOT-223, QG=4.6nC, Qgd=2.6nC, RDS=3400mΩ, RthJA=75K/W, VDS=600V, VGS=2.5V 3.5V | Other | IPN60R3K4CE |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPN60R1K5PFD7SATMA1
Infineon
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1 | MOSFET CONSUMER | Other | IPN60R1K5PFD7SATMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPN60R2K0PFD7SATMA1
Infineon
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1 | N-Channel 600 V 3A (Tc) 6W (Tc) Surface Mount PG-SOT223-3-1 | Other | IPN60R2K0PFD7SATMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPN60R600PFD7S
Infineon
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1 | N-Channel Power MOSFET ID=14 A, Ptot=7 W, RDS (on)= 600 mΩ, VDS=600V, -40 to 150 °C. | Other | IPN60R600PFD7S |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPN60R1K5PFD7S
Infineon
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1 | 650V CoolMOS™ PFD7 super junction N-Channel Power MOSFET in SOT-223 package, 6.0A, 1500mΩ. | Other | IPN60R1K5PFD7S |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPN60R2K1CEATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 600V, 2.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET | IPN60R2K1CEATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPN60R1K0PFD7SATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.7A I(D), 600V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPN60R1K0PFD7SATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPN60R600PFD7SATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-261 | IPN60R600PFD7SATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPN60R1K5CEATMA1
Infineon
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1 | MOSFET 600VCoolMOSªCEPowerTransistor | IPN60R1K5CEATMA1 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPN60R1K0CEATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.8A I(D), 600V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET | IPN60R1K0CEATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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KNP100FRIPN60R4
YAGEO Corporation
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 1W, 60.4ohm, 1% +/-Tol, -300,300ppm/Cel, | KNP100FRIPN60R4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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KNP2WSJRIPN60R4
YAGEO Corporation
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 2W, 60.4ohm, 5% +/-Tol, -300,300ppm/Cel, | KNP2WSJRIPN60R4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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KNP2WSJTIPN60R4
YAGEO Corporation
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 2W, 60.4ohm, 5% +/-Tol, -300,300ppm/Cel, | KNP2WSJTIPN60R4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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