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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI2347DS-T1-GE3
Vishay
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1 | P-Ch MOSFET SOT-23 copper 30V 42mohm @ 1 | SOT23 (3-Pin) | SI2347DS-T1-GE3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI2343CDS-T1-GE3
Vishay
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1 | Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A 3-Pin Vishay SI2343CDS-T1-GE3 P-channel MOSFET Transistor, 4.7 A, -30 V, 3-Pin TO-236 | SOT23 (3-Pin) | SI2343CDS-T1-GE3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI2343DS-T1-E3
Vishay
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1 | SI2343DS-T1-E3, P-channel MOSFET Transistor 3.1 A 30 V, 3-Pin SOT-23, TO-236 | SOT23 (3-Pin) | SI2343DS-T1-E3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI2343CDS-T1-BE3
Vishay
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1 | P-Channel 30 V 4.2A (Ta), 5.9A (Tc) 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) | SOT23 (3-Pin) | SI2343CDS-T1-BE3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI2343DS-T1-GE3
Vishay
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1 | MOSFET 30V 4.0A 1.25W 53mohm @ 10V | SOT23 (3-Pin) | SI2343DS-T1-GE3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI2342DS-T1-GE3
Vishay
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1 | VISHAY - SI2342DS-T1-GE3 - MOSFET, N-CH, 8V, 6A, SOT-23 | SOT23 (3-Pin) | SI2342DS-T1-GE3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI2347DS-T1-BE3
Vishay
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1 | MOSFET P-CHANNEL 30-V (D-S) | SOT23 (3-Pin) | SI2347DS-T1-BE3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI2343DS-T1-BE3
Vishay
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1 | MOSFET P-CHANNEL 30-V (D-S) | SOT23 (3-Pin) | SI2343DS-T1-BE3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI2342DS-T1-BE3
Vishay
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1 | MOSFET N-CHANNEL 8-V (D-S) | SOT23 (3-Pin) | SI2342DS-T1-BE3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI2342DS-T1-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 6A I(D), 8V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB | SI2342DS-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI2343DS-E3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 30V, 0.053ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI2343DS-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI2343DS-T1-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 30V, 0.053ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB | SI2343DS-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI2343DS-T1-E3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 30V, 0.053ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB | SI2343DS-T1-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RC11SI234-BG896
LSI Corporation
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1 | Field Programmable Gate Array | RC11SI234-BG896 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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68BSI23.40.5%100
Vishay Intertechnologies
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 3W, 23.4ohm, 200V, 0.5% +/-Tol, 100ppm/Cel, Through Hole Mount | 68BSI23.40.5%100 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RC11SI234-BG1152
Avago Technologies
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1 | Field Programmable Gate Array | RC11SI234-BG1152 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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516BSI2340.25%25
Vishay Intertechnologies
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 4W, 234ohm, 200V, 0.25% +/-Tol, 25ppm/Cel, Through Hole Mount | 516BSI2340.25%25 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RC11SI234-BG1152
LSI Corporation
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1 | Field Programmable Gate Array | RC11SI234-BG1152 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RC11SI234-BG896
Broadcom Limited
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1 | Field Programmable Gate Array | RC11SI234-BG896 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RC11SI234-BG672
Broadcom Limited
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1 | Field Programmable Gate Array | RC11SI234-BG672 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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68BSI2.34K0.5%25
Vishay Intertechnologies
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 3W, 2340ohm, 200V, 0.5% +/-Tol, -25,25ppm/Cel, | 68BSI2.34K0.5%25 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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923BSI2340.25%10
Vishay Intertechnologies
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 6W, 234ohm, 300V, 0.25% +/-Tol, 10ppm/Cel, Through Hole Mount | 923BSI2340.25%10 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RC11SI234-BG672
Avago Technologies
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1 | Field Programmable Gate Array | RC11SI234-BG672 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RC11SI234-BG672
LSI Corporation
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1 | Field Programmable Gate Array | RC11SI234-BG672 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RC11SI234-BG1152
Broadcom Limited
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1 | Field Programmable Gate Array | RC11SI234-BG1152 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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