FDMC8 Model Download Search Results
Showing 25 of 138 results
Price & Stock Powered by 
Findchips
Findchips
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDMC86570LET60
onsemi
|
1 | Termination is Lead-free ; Max rDS(on) = 6.5 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 15 A ; High performance technology for extremely low rDS(on) ; RoHS Compliant; Shielded Gate MOSFET Technology ; Max rDS(on) = 4.3 mΩ at VGS = 10 V, ID = 18 A | Other | FDMC86570LET60 |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDMC8010DC
onsemi
|
1 | Dual Cool™ Top Side Cooling PQFN package; Max rDS(on) = 1.28 mΩ at VGS = 10 V, ID = 37 A; Max rDS(on) = 1.74 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 32 A; High Performance Technology for Extremely Low rDS(on); RoHS Compliant | Other | FDMC8010DC |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDMC86260
onsemi
|
1 | Termination is Lead-free ; Max rDS(on) = 34 mΩ at VGS = 10 V, ID = 5.4 A ; Max rDS(on) = 44 mΩ at VGS = 6 V, ID = 4.8 A ; High performance technology for extremely low rDS(on) ; RoHS Compliant ; 100% UIL Tested | Other | FDMC86260 |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDMC86184
onsemi
|
1 | RoHS Compliant ; 100% UIL Tested ; Max rDS(on) = 24.8 mΩ at VGS = 6 V, ID = 10 A ; Max rDS(on) = 8.5 mΩ at VGS = 10 V, ID =21 A ; Shielded Gate MOSFET Technology ; 50% Lower Qrr than Other MOSFET Suppliers ; Lowers Switching Noise/EMI ; MSL1 Robust Package Design | Other | FDMC86184 |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDMC86259P
onsemi
|
1 | Very low RDS-on mid voltage P channel silicon technology optimised for low Qg; RoHS Compliant; 100% UIL Tested; Max rDS(on) = 137 mΩ at VGS = -6 V ID = -2.7 A; This product is optimised for fast switching applications as well as load switch applications; Max rDS(on) = 107 mΩ at VGS = -10 V, ID = -3 A | Other | FDMC86259P |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDMC8878
onsemi
|
1 | RoHS compliant ; Max rDS(on) = 14mΩ at VGS = 10V, ID = 9.6A ; Max rDS(on) = 17mΩ at VGS = 4.5V, ID = 8.7A ; Low Profile–1mm max in MLP 3.3X3.3 | Other | FDMC8878 |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDMC86116LZ
onsemi
|
1 | HBM ESD protection level >3 KV typical; RoHS Compliant; Maximum RDS(on) = 153 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 2.7 A; 100% UIL Tested; Maximum RDS(on) = 103 mΩ at VGS = 10 V, ID = 3.3 A | Other | FDMC86116LZ |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDMC8097AC
onsemi
|
1 | Optimised for active clamp forward converters ; RoHS Compliant ; Q1: N-Channel Max rDS(on) = 152 mΩ at VGS = 10 V, ID = 2.4 A Max rDS(on) = 212 mΩ at VGS = 6 V, ID = 2 A; Q2: P-Channel Max rDS(on) = 1200 mΩ at VGS = -10 V, ID = -0.9 A Max rDS(on) = 1400 mΩ at VGS = -6 V, ID = -0.8 A | Other | FDMC8097AC |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDMC86320
onsemi
|
1 | Max rDS(on) = 11.7 mΩ at VGS = 10 V, ID = 10.7 A; Max rDS(on) = 16 mΩ at VGS = 8 V, ID = 8.5 A; MSL1 robust package design; 100% UIL Tested; RoHS Compliant | Other | FDMC86320 |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDMC86160
onsemi
|
1 | Max rDS(on) = 23 mΩ at VGS = 6 V, ID = 7 A ; Shielded Gate MOSFET Technology ; Max rDS(on) = 14 mΩ at VGS = 10 V, ID = 9 A ; Termination is Lead-free and RoHS Compliant ; High performance technology for extremely low rDS(on) | Other | FDMC86160 |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDMC8015L
onsemi
|
1 | Low Profile - 1 mm max in Power 33; RoHS Compliant; Max rDS(on) = 36 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 6 A ; 100% UIL Tested; Max rDS(on) = 26 mΩ at VGS = 10 V, ID = 7 A | Other | FDMC8015L |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDMC8360LET40
onsemi
|
1 | Shielded Gate MOSFET Technology; RoHS Compliant ; Max rDS(on) = 3.1 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 22 A ; 100% UIL Tested ; Termination is Lead-free ; Max rDS(on) = 2.1 mΩ at VGS = 10 V, ID = 27 A ; High Performance Technology for Extremely Low rDS(on) | Other | FDMC8360LET40 |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDMC86012
onsemi
|
1 | Termination is Lead-free ; RoHS Compliant ; Max rDS(on) = 4.7 mΩ at VGS = 2.5 V, ID = 17.5 A ; High performance technology for extremely low rDS(on) ; 100% UIL Tested ; Max rDS(on) = 2.7 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 23 A | Other | FDMC86012 |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDMC86320
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 10.7A I(D), 80V, 0.0117ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDMC86320 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDMC8554
Rochester Electronics LLC
|
1 | 16.5A, 20V, 0.005ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, POWER 33, MICROFET-8 | FDMC8554 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDMC86248
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 150V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240BA | FDMC86248 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDMC8676
Rochester Electronics LLC
|
1 | 16A, 30V, 0.0059ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, POWER 33, 8 PIN | FDMC8676 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDMC86160ET100
onsemi
|
1 | Extended TJ rating to 175°C; Max rDS(on) = 14 mΩ at VGS = 10 V, ID = 9 A ; Termination is Lead-free and RoHS Compliant; Shielded Gate MOSFET Technology ; High performance technology for extremely low rDS(on) ; Max rDS(on) = 23 mΩ at VGS = 6 V, ID = 7 A | FDMC86160ET100 |
1
|
Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDMC86324
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 80V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240BA | FDMC86324 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDMC86248
onsemi
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 150V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240BA | FDMC86248 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDMC8882
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 10.5A I(D), 30V, 0.0143ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDMC8882 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDMC86260ET150
onsemi
|
1 | High performance technology for extremely low rDS(on) ; RoHS Compliant; 100% UIL Tested ; Max rDS(on) = 34 mΩ at VGS = 10 V, ID = 5.4 A ; Extended TJ rating to 175°C ; Termination is Lead-free ; Max rDS(on) = 44 mΩ at VGS = 6 V, ID = 4.8 A | FDMC86260ET150 |
1
|
Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDMC86139P
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 100V, 0.067ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDMC86139P |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDMC8360LET40
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor | FDMC8360LET40 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDMC8321LDC
onsemi
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 108A I(D), 40V, 0.0025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDMC8321LDC |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Can't find what you're looking for?
Request this part