Showing 25 of 57 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FCPF1300N80ZYD
onsemi
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1 | 100% Avalanche Tested; ESD Improved Capability; RoHS Compliant; Low Eoss (Typ. 1.57 uJ @ 400V); RDS(on) = 1.05 Ω(Typ.); Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 48.7 pF); Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 16.2 nC) | Other | FCPF1300N80ZYD |
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FCPF190N60
onsemi
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1 | 650V @TJ = 150°C; Max. RDS(on) = 199mΩ; 100% avalanche tested; Low effective output capacitance ( Typ. Coss.eff = 160pF ); Ultra low gate charge ( Typ. Qg = 57nC ) | Transistor Outline, Vertical | FCPF190N60 |
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FCPF165N65S3R0L
onsemi
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1 | Last Shipments - Power MOSFET, N-Channel, SUPREMOS, FAST, 600 V, 16 A, 199 mΩ, TO-220F | Transistor Outline, Vertical | FCPF165N65S3R0L |
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FCPF190N65S3R0L
onsemi
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1 | Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 33 nC); Optimized Capacitance; 100% Avalanche Tested; RoHS Compliant; Typ. RDS(on) = 159 mΩ; Internal Gate Resistance: 0.5 Ω; 700 V @ TJ = 150 °C; Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 300 pF) | Transistor Outline, Vertical | FCPF190N65S3R0L |
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FCPF11N60
onsemi
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1 | Power MOSFET, N Channel, 600 V, 11 A, 0.38 ohm, TO-220F, Through Hole | Transistor Outline, Vertical | FCPF11N60 |
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FCPF165N65S3L1
onsemi
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1 | Obsolete - Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, Easy Drive, 650 V, 19 A, 165 mΩ, TO-220F | Transistor Outline, Vertical | FCPF165N65S3L1 |
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FCPF125N65S3
onsemi
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1 | 700 V @ TJ = 150 oC; Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 44 nC); Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 405 pF); Optimized Capacitance; Internal Gate Resistance: 4 ohm; Typ. RDS(on) = 105 mΩ; 100% Avalanche Tested; RoHS Compliant | Transistor Outline, Vertical | FCPF125N65S3 |
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FCPF11N60NT
onsemi
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1 | Last Shipments - Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET II, 800 V, 4 A, 1.3 Ω, TO-220F | Transistor Outline, Vertical | FCPF11N60NT |
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FCPF190N65S3L1
onsemi
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1 | Last Shipments - Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, Easy Drive, 650 V, 17 A, 190 mΩ, TO-220F | Transistor Outline, Vertical | FCPF190N65S3L1 |
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FCPF11N60NTYDTU
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10.8A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FCPF11N60NTYDTU |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FCPF190N60E_F152
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20.6A I(D), 600V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FCPF190N60E_F152 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FCPF1300N80Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FCPF1300N80Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FCPF165N65S3R0L-F154
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 650V, 0.165ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FCPF165N65S3R0L-F154 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FCPF190N65S3R0L-F154
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 650V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-220AB | FCPF190N65S3R0L-F154 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FCPF16N60NT
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 600V, 0.199ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FCPF16N60NT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FCPF11N60NT
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10.8A I(D), 600V, 0.299ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FCPF11N60NT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FCPF11N60F
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FCPF11N60F |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FCPF190N60E
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20.6A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FCPF190N60E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FCPF16N60
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 600V, 0.26ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FCPF16N60 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FCPF11N60T
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FCPF11N60T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FCPF190N65FL1-F154
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20.6A I(D), 650V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FCPF190N65FL1-F154 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FCPF150N65FL1
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 650V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FCPF150N65FL1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FCPF190N60
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20.2A I(D), 600V, 0.199ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FCPF190N60 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FCPF150N65FL1
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 650V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-220AB | FCPF150N65FL1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FCPF13N60NT
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 600V, 0.258ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FCPF13N60NT |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||