Showing 25 of 56 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPA65R190CFD
Infineon
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1 | Infineon IPA65R190CFD N-channel MOSFET Transistor, 17.5 A, 700 V, 3+Tab-Pin TO-220FP | Transistor Outline, Vertical | IPA65R190CFD |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPA65R125C7XKSA1
Infineon
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1 | MOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS | Transistor Outline, Vertical | IPA65R125C7XKSA1 |
3
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IPA65R280E6
Infineon
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1 | Infineon IPA65R280E6 N-channel MOSFET Transistor, 13.8 A, 700 V, 3-Pin TO-220 | Transistor Outline, Vertical | IPA65R280E6 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPA65R045C7
Infineon
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1 | MOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS | Transistor Outline, Vertical | IPA65R045C7 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPA65R065C7
Infineon
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1 | MOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS | Transistor Outline, Vertical | IPA65R065C7 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPA65R095C7
Infineon
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1 | MOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS | Transistor Outline, Vertical | IPA65R095C7 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPA65R400CEXKSA1
Infineon
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1 | N-Channel 650 V 15.1A (Tc) 31W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP | Transistor Outline, Vertical | IPA65R400CEXKSA1 |
3
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IPA65R420CFD
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.7A I(D), 650V, 0.42ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPA65R420CFD |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPA65R660CFDXKSA2
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 650V, 0.66ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-220AB | IPA65R660CFDXKSA2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPA65R099C6XKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 650V, 0.099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPA65R099C6XKSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPA65R045C7XKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 650V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPA65R045C7XKSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPA65R110CFDXKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 31.2A I(D), 650V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPA65R110CFDXKSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPA65R600C6XKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 650V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPA65R600C6XKSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPA65R280C6
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13.8A I(D), 650V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPA65R280C6 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPA65R1K0CE
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 650V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPA65R1K0CE |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPA65R1K0CEXKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 650V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPA65R1K0CEXKSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPA65R225C7XKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 650V, 0.225ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPA65R225C7XKSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPA65R190C7XKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 650V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPA65R190C7XKSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPA65R1K5CEXKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 650V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPA65R1K5CEXKSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPA65R380C6
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10.6A I(D), 650V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPA65R380C6 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPA65R280C6XKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 650V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPA65R280C6XKSA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPA65R650CE
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 650V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPA65R650CE |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPA65R190C6XKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 650V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPA65R190C6XKSA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPA65R190C6
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 650V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPA65R190C6 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPA65R190CFDXKSA2
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17.5A I(D), 650V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPA65R190CFDXKSA2 |
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