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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SCTWA10N120
STMicroelectronics
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1 | Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 12 A, 550 mOhm (typ., TJ = 150 C) in an HiP247 long leads package | Transistor Outline, Vertical | SCTWA10N120 |
3
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SCTWA40N120G2V-4
STMicroelectronics
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1 | Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 62 mOhm typ., 36 A in an HiP247-4 package | Other | SCTWA40N120G2V-4 |
3
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SCTWA70N120G2V-4
STMicroelectronics
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1 | Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 91 A, 1.2 kV, 0.021 ohm, HiP247 | Other | SCTWA70N120G2V-4 |
3
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SCTWA35N65G2VAG
STMicroelectronics
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1 | Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mOhm (typ., TJ = 25 C) in an HiP247 long leads package | Transistor Outline, Vertical | SCTWA35N65G2VAG |
3
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SCTWA70N120G2V
STMicroelectronics
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1 | Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mOhm typ., 91 A in an HiP247 package | Other | SCTWA70N120G2V |
3
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SCTWA40N12G24AG
STMicroelectronics
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1 | Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an HiP247-4 package002 | Other | SCTWA40N12G24AG |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SCTWA50N120-4
STMicroelectronics
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1 | Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 52 mOhm typ., 65 A in an HiP247-4 package | Other | SCTWA50N120-4 |
3
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SCTWA35N65G2V
STMicroelectronics
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1 | Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 45 A in an HiP247 long leads package | Transistor Outline, Vertical | SCTWA35N65G2V |
3
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SCTWA60N120G2AG
STMicroelectronics
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1 | Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 45 mOhm typ., 52 A in an HiP247 long leads package | Transistor Outline, Vertical | SCTWA60N120G2AG |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SCTWA90N65G2V
STMicroelectronics
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1 | MOSFET PTD NEW MAT & PWR SOLUTION | Transistor Outline, Vertical | SCTWA90N65G2V |
3
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SCTWA35N65G2V-4
STMicroelectronics
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1 | Silicon carbide Power MOSFET N-Channel 650 V, 55 mΩ typ., 45 A in an HiP247-4 package | Other | SCTWA35N65G2V-4 |
3
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SCTWA40N120G2AG
STMicroelectronics
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1 | Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an HiP247 long leads package | Transistor Outline, Vertical | SCTWA40N120G2AG |
3
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SCTWA60N120G2-4
STMicroelectronics
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1 | MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 35 mOhm typ., 60 A, HiP247-4 | Other | SCTWA60N120G2-4 |
3
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SCTWA60N12G2-4AG
STMicroelectronics
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1 | Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 45 mOhm typ., 52 A in an HiP247-4 package/02 | Other | SCTWA60N12G2-4AG |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SCTWA50N120
STMicroelectronics
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1 | MOSFET PTD NEW MAT & PWR SOLUTION | Transistor Outline, Vertical | SCTWA50N120 |
3
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SCTWA30N120
STMicroelectronics
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1 | Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 45 A, 90 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an HiP247 long leads package | Transistor Outline, Vertical | SCTWA30N120 |
3
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SCTWA40N120G2V
STMicroelectronics
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1 | Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 62 mOhm typ., 36 A in an HiP247 package | Transistor Outline, Vertical | SCTWA40N120G2V |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SCTWA20N120
STMicroelectronics
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1 | Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 20 A, 189 mOhm (typ., Tj = 150 C) in an HiP247 long leads package | Transistor Outline, Vertical | SCTWA20N120 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SCTWA90N65G2V-4
STMicroelectronics
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1 | MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ 119 A | SCTWA90N65G2V-4 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SCTWA20N170
STMicroelectronics
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0 | SCTWA20N170 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SCTWA35N65G2V4AG
STMicroelectronics
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1 | Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 45 A in an HiP247-4 package/02 | Other | SCTWA35N65G2V4AG |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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