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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDBL0200N100
onsemi
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1 | UIS Capability ; Typical Qg(tot) = 95 nC at VGS = 10V, ID = 80 A ; RoHS Compliant ; Typical RDS(on) = 1.5 mΩ at VGS = 10V, ID = 80 A | Other | FDBL0200N100 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDBL0260N100
onsemi
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1 | RoHS Compliant ; UIS Capability ; Max RDS(on) = 2.6 mΩ at VGS = 10 V, ID = 80 A ; Max Qg(tot) = 116 nC at VGS = 10 V, ID = 80 A | Other | FDBL0260N100 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDBL0065N40
onsemi
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1 | UIS Capability ; Typical Qg(tot) = 220 nC at VGS = 10V, ID = 80 A ; Typical RDS(on) = 0.5 mΩ at VGS = 10V, ID = 80 A ; RoHS Compliant | Other | FDBL0065N40 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDBL0630N150
onsemi
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1 | RoHS Compliant ; Typ rDS(on) = 5mΩ at VGS = 10V, ID = 80A ; UIS Capability ; Typ Qg(tot) = 70nC at VGS = 10V, ID = 80 | Other | FDBL0630N150 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDBL0150N60
onsemi
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1 | UIS Capability ; Typical RDS(on) = 1.2 mΩ at VGS = 10V, ID = 80 A; RoHS Compliant ; Typical Qg(tot) = 150 nC at VGS = 10V, ID = 80 A | Other | FDBL0150N60 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDBL0150N80
onsemi
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1 | Typical RDS(on) = 1.1 mΩ at VGS = 10V, ID = 80 A ; UIS Capability ; RoHS Compliant ; Typical Qg(tot) = 172 nC at VGS = 10V, ID = 80 A | Other | FDBL0150N80 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDBL0110N60
onsemi
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1 | Typical Qg(tot) = 170 nC at VGS = 10V, ID = 80 A ; RoHS Compliant ; Typical RDS(on) = 0.85 mΩ at VGS = 10V, ID = 80 A ; UIS Capability | Other | FDBL0110N60 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDBL0240N100
onsemi
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1 | Typical RDS(on) = 2.8 mΩ at VGS = 10V, ID = 80 A; Typical Qg(tot) = 111 nC at VGS = 10V, ID = 80 A; UIS Capability; RoHS Compliant | Other | FDBL0240N100 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDBL0330N80
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor | FDBL0330N80 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDBL0240N100
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor | FDBL0240N100 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDBL0090N40
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor | FDBL0090N40 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDBL0210N80
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor | FDBL0210N80 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDBL0090N40
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 240A I(D), 40V, 0.0009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-299A | FDBL0090N40 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDBL0120N40
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor | FDBL0120N40 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDBL0200N100
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor | FDBL0200N100 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDBL0150N60
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor | FDBL0150N60 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDBL0210N80
onsemi
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1 | RoHS Compliant ; Typical RDS(on) = 1.5 mΩ at VGS = 10V, ID = 80 A ; UIS Capability ; Typical Qg(tot) = 130 nC at VGS = 10V, ID = 80 A | FDBL0210N80 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDBL0330N80
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 220A I(D), 80V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-299A | FDBL0330N80 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDBL0630N150
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor | FDBL0630N150 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDBL0260N100
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor | FDBL0260N100 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDBL0150N80
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor | FDBL0150N80 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDBL0065N40
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor | FDBL0065N40 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDBL0120N40
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 240A I(D), 40V, 0.0012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-299A | FDBL0120N40 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDBL0110N60
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor | FDBL0110N60 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CMI08/V2/F/D/BL/00/M/S/20
Engelking Elektronik GmbH
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1 | SPST, Off-on, Momentary, 2A, 36VDC, Quick Connect/solder Terminal, Panel Mount-threaded | CMI08/V2/F/D/BL/00/M/S/20 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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