Showing 25 of 509 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HUF75545P3
onsemi
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1 | Spice and SABER Thermal Impedance Models; UIS Rating Curve; Ultra Low On-Resistance rDS(ON) = 0.010 Ω, VGS = 10 V; Peak Current vs Pulse Width Curve; Temperature Compensated PSPICE® and SABERTMElectrical Models | Transistor Outline, Vertical | HUF75545P3 |
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HUF75321D3ST
onsemi
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1 | N-Channel 55 V 20A (Tc) 93W (Tc) Surface Mount TO-252AA , 36mOhm @,10V , 4V @ 250µA , -55°C ~ 175°C (TJ) | Other | HUF75321D3ST |
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HUF75321P3
onsemi
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1 | Related Literature - TB334, “Guidelines for Soldering Surface Mount Components to PC Boards”; 35A, 55V; Peak Current vs Pulse Width Curve; UIS Rating Curve | Transistor Outline, Vertical | HUF75321P3 |
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HUF75639G3
onsemi
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1 | Temperature Compensated PSPICE® and SABER™ Electrical Models; SPICE and SABER Thermal Impedance Models; Peak Current vs Pulse Width Curve; 56A, 100V; UIS Rating Curve | Transistor Outline, Vertical | HUF75639G3 |
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HUF75639S3ST
Rochester Electronics
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1 | MOSFETs 56a 100V N-Ch UltraFET 0.025 Ohm | Other | HUF75639S3ST |
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HUF75339P3
onsemi
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1 | 75A, 55V; Peak Current vs Pulse Width Curve; Temperature Compensated PSPICE® and SABER™ Models; Related Literature - TB334, "Guidelines for Soldering Surface Mount Components to PC Boards"; SPICE and SABER Thermal Impedance Models; UIS Rating Curve | Transistor Outline, Vertical | HUF75339P3 |
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HUF75542P3
onsemi
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1 | Ultra Low On-Resistance - rDS(ON)= 0.014Ω, VGS = 10V; Simulation Models - Temperature Compensated PSPICE® and SABER™ Electrical Models - Spice and SABER Thermal Impedance Models; Peak Current vs Pulse Width Curve; UIS Rating Curve | Transistor Outline, Vertical | HUF75542P3 |
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HUF75345S3ST
onsemi
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1 | Peak Current vs Pulse Width Curve; 75A, 55V; Thermal Impedance SPICE and SABER Models; UIS Rating Curve; Temperature Compensated PSPICE® and SABER™ Models; Related Literature - TB334, “Guidelines for Soldering Surface MountComponents to PC Boards” | Other | HUF75345S3ST |
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HUF75545S3ST
onsemi
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1 | Temperature Compensated PSPICE® and SABERTM Electrical Models; UIS Rating Curve; Peak Current vs Pulse Width Curve; Spice and SABER Thermal Impedance Models; Ultra Low On-Resistance rDS(ON) = 0.010 Ω, VGS = 10 V | Other | HUF75545S3ST |
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HUF75645S3ST
onsemi
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1 | Spice and SABER Thermal Impedance Models; Ultra Low On-Resistance rDS(ON) = 0.014Ω, VGS = 10V; UIS Rating Curve; Peak Current vs Pulse Width Curve; Temperature Compensated PSPICE® and SABER™ Electrical Models | Other | HUF75645S3ST |
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HUF75852G3
onsemi
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1 | Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 16 mΩ, VGS = 10 V; UIS Rating Curve; Simulation Models - Temperature Compensated PSPICE® and SABER™ Electrical Models - Spice and SABER Thermal Impedance Models; Peak Current vs Pulse Width Curve | Transistor Outline, Vertical | HUF75852G3 |
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HUF75652G3
onsemi
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1 | Temperature Compensated PSPICE® and SABER™ Electrical Models; Peak Current vs Pulse Width Curve; Ultra Low On-Resistance rDS(ON) = 0.008Ω, VGS = 10V; UIS Rating Curve; Spice and SABER Thermal Impedance Models | Other | HUF75652G3 |
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HUF75345P3
onsemi
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1 | Thermal Impedance SPICE and SABER Models; Related Literature - TB334, “Guidelines for Soldering Surface MountComponents to PC Boards”; 75A, 55V; Temperature Compensated PSPICE® and SABER™ Models; Peak Current vs Pulse Width Curve; UIS Rating Curve | Transistor Outline, Vertical | HUF75345P3 |
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HUF75852G3_F085
onsemi
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1 | N-Channel UltraFET® Power MOSFET 150V, 75A, 13mΩ | Other | HUF75852G3_F085 |
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HUF75645P3_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 100V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | HUF75645P3_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HUF75343G3
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | HUF75343G3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HUF75345P3
Rochester Electronics LLC
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1 | 75A, 55V, 0.007ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN | HUF75345P3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HUF75307D3_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 55V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | HUF75307D3_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HUF75829D3S
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 150V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | HUF75829D3S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HUF75339S3S
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | HUF75339S3S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HUF75321S3
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.032ohm, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | HUF75321S3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HUF75545S3ST
Rochester Electronics LLC
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1 | 75A, 80V, 0.01ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263AB, 3 PIN | HUF75545S3ST |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HUF75337G3
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | HUF75337G3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HUF75637S3ST
Rochester Electronics LLC
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1 | 44A, 100V, 0.03ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB | HUF75637S3ST |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HUF75321D3
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 55V, 0.036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | HUF75321D3 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||