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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB180N03S4L-H0
Infineon
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1 | Infineon IPB180N03S4L-H0 N-channel MOSFET Transistor, 180 A, 30 V, 7-Pin TO-263 | Other | IPB180N03S4L-H0 |
3
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IPB180P04P4L02ATMA1
Infineon
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1 | MOSFET P-Ch -40V -180A D2PAK-6 OptiMOS-P2., | Other | IPB180P04P4L02ATMA1 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB180P04P4L-02
Infineon
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1 | Infineon IPB180P04P4L-02 P-channel MOSFET Transistor, 180 A, 40 V, 7+Tab-Pin TO-263-7-3 | Other | IPB180P04P4L-02 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB180N10S4-02
Infineon
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1 | MOSFET N-Ch 100V 180A D2PAK-6 | Other | IPB180N10S4-02 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB180N08S4-02
Infineon
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1 | MOSFET N-CHANNEL 75/80V | Other | IPB180N08S4-02 |
2
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IPB180N04S4-01
Infineon
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1 | 40V, N-Ch, 1.3 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK 7pin, OptiMOS™-T2 | Other | IPB180N04S4-01 |
2
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IPB180P04P4L02ATMA2
Infineon
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1 | P-Channel 40 V 180A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3 , 2.2V @ 410µA , 18700 pF , -55°C ~ 175°C | Other | IPB180P04P4L02ATMA2 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB180N04S4-00
Infineon
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1 | Infineon IPB180N04S4-00 N-channel MOSFET Transistor, 180 A, 40 V, 7+Tab-Pin TO-263 | Other | IPB180N04S4-00 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB180N08S402ATMA1
Infineon
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1 | N-Channel 80 V 180A (Tc) 277W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3 | Other | IPB180N08S402ATMA1 |
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IPB180N06S4-H1
Infineon
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1 | Infineon IPB180N06S4-H1 N-channel MOSFET Transistor, 180 A, 60 V, 7-Pin TO-263 | Other | IPB180N06S4-H1 |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB180N10S402ATMA1
Infineon
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1 | MOSFET N-Ch 100V 180A OptiMOS-T2 TO263-7 | Other | IPB180N10S402ATMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB180N03S4L-01
Infineon
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1 | MOSFET N-Ch 30V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2 | Other | IPB180N03S4L-01 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB180N04S4-H0
Infineon
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1 | MOSFET N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2 | Other | IPB180N04S4-H0 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB180P04P403ATMA2
Infineon
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1 | -40V, P-Ch, 2.8 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK 7pin, OptiMOS™-P2 | Other | IPB180P04P403ATMA2 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB180N03S4L01ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 30V, 0.00105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263 | IPB180N03S4L01ATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB180N04S3-02
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 40V, 0.0016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263 | IPB180N04S3-02 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB180N04S400ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 40V, 0.00098ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263 | IPB180N04S400ATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB180N03S4L-01
Rochester Electronics LLC
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1 | 180A, 30V, 0.00105ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263, GREEN, PLASTIC PACKAGE-7 | IPB180N03S4L-01 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB180N03S4LH0XT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 30V, 0.00095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263 | IPB180N03S4LH0XT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB180N03S4L-H0
Rochester Electronics LLC
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1 | 180A, 30V, 0.00095ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263, GREEN, PLASTIC PACKAGE-7 | IPB180N03S4L-H0 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB180N04S4L-01
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 40V, 0.0012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263 | IPB180N04S4L-01 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB180N04S4L-H0
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 40V, 0.001ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPB180N04S4L-H0 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB180P04P403ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 40V, 0.0028ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263 | IPB180P04P403ATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB180N10S4-03
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 100V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263 | IPB180N10S4-03 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB180N03S4LH0ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 30V, 0.00095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263 | IPB180N03S4LH0ATMA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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