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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVMJS1D5N04CL
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1 | Power MOSFET 40 V, 1.55 mΩ, 185 A, Single N-Channel | Other | NVMJS1D5N04CL |
2
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NVMJST1D3N04CTXG
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1 | TCPAK57 Small Footprint; Low RDS (ON); Low QG and Capacitance; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable; These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliant | Other | NVMJST1D3N04CTXG |
3
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NVMJST1D4N06CLTXG
onsemi
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1 | Low RDS(on); Low QG and Capacitance; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable; Top Side Cooling; Small Footprint (5x7 mm); RoHS Compliant | Other | NVMJST1D4N06CLTXG |
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NVMJST3D3N04C
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1 | Single N-Channel Power MOSFET 40V, 102A, 3.3 m? on Top Cool Package | Small Outline Packages | NVMJST3D3N04C |
3
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NVMJST1D4N06CL
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1 | Single N-Channel Power MOSFET 60V, 250, 1.46 m? on Top Cool Package | Small Outline Packages | NVMJST1D4N06CL |
3
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NVMJS2D5N06CLTWG
onsemi
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1 | Small Footprint (5x6 mm); Low RDS (ON); Low QG and Capacitance; LFPAK8 Package, Industry Standard; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable; These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant | Other | NVMJS2D5N06CLTWG |
3
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NVMJS0D9N04CLTWG
onsemi
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1 | Small Footprint; Low RdS(on); Low Qg and Capacitance; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable; RoHS Compliant | Other | NVMJS0D9N04CLTWG |
3
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NVMJS1D6N06CLTWG
onsemi
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1 | Small Footprint (5x6mm); Low RDS (ON); Low QG and Capacitance; LFPAK8 Package; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable; These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant | Other | NVMJS1D6N06CLTWG |
3
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NVMJST2D1N08XTXG
onsemi
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1 | N-Channel 80 V 334A (Tc) 454W (Tc) Surface Mount 10-TCPAK -55°C ~ 175°C | Other | NVMJST2D1N08XTXG |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVMJST0D9N04CTXG
onsemi
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1 | Gull-wings leads for an improved BLR performance; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable; Top Side Cooling; Small Footprint (5x7 mm); Low RDS(on); Low QG and Capacitance; RoHS Compliant | Other | NVMJST0D9N04CTXG |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVMJST2D6N08HTXG
onsemi
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1 | Low RDS(on); Low QG and Capacitance; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable; Top Side Cooling; Small Footprint (5x7 mm); RoHS Compliant | Other | NVMJST2D6N08HTXG |
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NVMJS1D5N04CLTWG
onsemi
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1 | Small Footprint (5x6mm); Low RDS (ON); Low QG and Capacitance; LFPAK8 Package, Industry Standard; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable; These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant | Other | NVMJS1D5N04CLTWG |
3
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NVMJS0D8N04CLTWG
onsemi
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1 | Small Footprint (5x6 mm); Low RDS (ON); Low QG and Capacitance; LFPAK8 Package; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable; These devices are Pb-Free and are RoHS Compliant | Other | NVMJS0D8N04CLTWG |
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NVMJST1D6N04C
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1 | Single N-Channel Power MOSFET 40V, 319A, 1.65 mΩ on top Cool Package | Small Outline Packages | NVMJST1D6N04C |
3
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NVMJST1D2N04C
onsemi
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1 | Single N-Channel Power MOSFET 40V, 268, 1.2 m? on Top Cool Package | Small Outline Packages | NVMJST1D2N04C |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVMJST2D6N08H
onsemi
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1 | Single N-Channel Power MOSFET 80V, 157A, 2.8 m? on Top Cool Package | Small Outline Packages | NVMJST2D6N08H |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVMJST0D9N04C
onsemi
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1 | Single N-Channel Power MOSFET 40V, 300A, 1 m? on Top Cool Package | Small Outline Packages | NVMJST0D9N04C |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVMJST1D3N04C
onsemi
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1 | Power MOSFET, Single N-Channel, 40 V, 1.35 mOhm, 235 A | Small Outline Packages | NVMJST1D3N04C |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVMJST1D2N04CTXG
onsemi
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1 | N-Channel 40 V 451A (Tc) 454W (Tc) Surface Mount 10-TCPAK 4V @ 200µA 82 nC @ 10 V -55°C ~ 175°C 454W | Other | NVMJST1D2N04CTXG |
3
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NVMJS1D7N04CTWG
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 185A I(D), 40V, 0.0017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NVMJS1D7N04CTWG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVMJS1D2N04CLTWG
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 237A I(D), 40V, 0.0018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NVMJS1D2N04CLTWG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVMJS1D4N06CLTAG
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 220A I(D), 60V, 0.00237ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NVMJS1D4N06CLTAG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVMJS1D5N04CLTAG
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 185A I(D), 40V, 0.0024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NVMJS1D5N04CLTAG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVMJS1D2N04LCTAG
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 223A I(D), 40V, 0.00188ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NVMJS1D2N04LCTAG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVMJS0D9N04CTWG
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 342A I(D), 40V, 0.00081ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NVMJS0D9N04CTWG |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||