1N60- Model Download Search Results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR1N60APBF-BE3
Vishay
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1 | N-Channel 600 V 1.4A (Tc) 36W (Tc) Surface Mount TO-252AA | Other | IRFR1N60APBF-BE3 |
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1N60AR
Microsemi Corporation
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1 | Germanium Diode, DO-7 | Diodes, Axial Diameter Horizontal Mounting | 1N60AR |
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IRFR1N60A
Vishay
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1 | N-Channel 600 V 1.4A (Tc) 36W (Tc) Surface Mount D-Pak | Other | IRFR1N60A |
2
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FCH041N60E
onsemi
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1 | 100% Avalanche Tested; Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss.eff = 735pF); RoHS Compliant; Max. RDS(on) = 41mΩ; Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 285nC) | Other | FCH041N60E |
3
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NTHL041N60S5H
onsemi
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1 | Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 108 nC); Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 643 pF); Fast switching performance with robust body diode; 650 V @ TJ = 150°C; Typ. RDS(on) = 32.8 m Ω; 100% Avalanche Tested; RoHS Compliant; Internal Gate Resistance: 0.6 Ω | Other | NTHL041N60S5H |
3
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CRG0201-N-6040FT
Venkel
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1 | RoHS 6/6 Green CR,0201,1/20W,604R,±1% | Other | CRG0201-N-6040FT |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FCH041N60F
onsemi
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1 | Low effective output capacitance; 100% avalanche tested; Ultra low gate charge (Typ. Qg=277nC); RDS(on)= 36mΩ (Typ) | Transistor Outline, Vertical | FCH041N60F |
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SiHH11N60E
Vishay
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1 | E Series Power MOSFET, PowerPAK 8 x 8, N-Channel, 650VDS | Other | SiHH11N60E |
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SPA11N60C3
Infineon
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1 | MOSFET N-Ch 600V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3 | Transistor Outline, Vertical | SPA11N60C3 |
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JANTX1N6094
Micropac Industries, Inc.
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1 | LED Panel Mount Indicator Uni-Color Green 570nm 2-Pin TO-46,35 mA,-65 +100 °C,5Vdc | Other | JANTX1N6094 |
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JANTX1N6063A
Microchip
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1 | ESD Suppressors / TVS Diodes 137V 11A Bi-Directional TVS THT | Diodes, Axial Diameter Horizontal Mounting | JANTX1N6063A |
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SPW11N60S5
Infineon
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1 | Infineon SPW11N60S5 N-channel MOSFET Transistor, 11 A, 600 V, 3-Pin TO-247 | Transistor Outline, Vertical | SPW11N60S5 |
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D1N60-5060
Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd.
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1 | ・General Rectifying Diodes・High Voltage・Pb free terminal・RoHS:Yes | Other | D1N60-5060 |
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NTMT061N60S5H
onsemi
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1 | 650V @ TJ = 150C; Leadless Ultra-thin SMD package; Kelvin Source Configuration; Ulta Low Gate Charge (Typ. Qg = 73.6 nC); Typ. RDS(on) = 48.8 mohm; 100% Avalanche Tested; RoHS Compliant; Moisture Sensitivity Level 1 guarantee; Internal Gate Resistance: 0.61 Ω | Other | NTMT061N60S5H |
3
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CRG0201-N-6043FT
Venkel
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1 | RoHS 6/6 Green CR,0201,1/20W,604K ,±1% | Other | CRG0201-N-6043FT |
3
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STD11N60M6
STMicroelectronics
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1 | N-channel 600 V, 500 mΩ typ., 8 A, MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package | Other | STD11N60M6 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FCP11N60
onsemi
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1 | Low effective output capacitance (typ. Coss.eff=95pF); Typ. Rds(on)=0.32Ω; Ultra low gate charge (typ. Qg=40nC); RoHS Compliant; 100% avalanche tested; 650V @Tj = 150°C | Transistor Outline, Vertical | FCP11N60 |
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1N6016B
Microchip
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1 | Zener Diodes Zener Diodes | Diodes, Axial Diameter Horizontal Mounting | 1N6016B |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1N6031B/TR
Microchip
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1 | Zener Diodes Zener Diodes | Diodes, Axial Diameter Horizontal Mounting | 1N6031B/TR |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSP1N60
FAIRCHILD INDUSTRIAL
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1 | 600V N-Channel MOSFET | Transistor Outline, Vertical | SSP1N60 |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TK31N60X,S1F
Toshiba
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1 | MOSFET DTMOSIV-H/S 600V 88mOhmmax(VGS=10V) | Transistor Outline, Vertical | TK31N60X,S1F |
3
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FQT1N60CTF-WS
onsemi
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1 | 0.2A, 600V, RDS(on) = 9.3Ω(Typ.) @VGS = 10 V, ID = 0.1A; Low gate charge ( Typ. 4.8nC); Low Crss ( Typ. 3.5pF); 100% avalanche tested; RoHS compliant | SOT223 (3-Pin) | FQT1N60CTF-WS |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STF11N60M2-EP
STMicroelectronics
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1 | N-channel 600 V, 0.550 Ω typ., 7.5 A MDmesh™ M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP package | Transistor Outline, Vertical | STF11N60M2-EP |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STF11N60DM2
STMicroelectronics
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1 | N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP package | Transistor Outline, Vertical | STF11N60DM2 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FCPF11N60NT
onsemi
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1 | Last Shipments - Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET II, 800 V, 4 A, 1.3 Ω, TO-220F | Transistor Outline, Vertical | FCPF11N60NT |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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