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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS89161LZ
onsemi
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1 | RoHS Compliant ; Max rDS(on) = 160 mΩat VGS = 4.5 V, ID = 2.1 A ; High performance trench technology for extremely low rDS(on) ; High power and current handling capability in a widely used surface mount package ; CDM ESD protection level > 2KV typical (Note 4) ; Max rDS(on) = 105 mΩat VGS = 10 V, ID = 2.7 A ; 100% UIL Tested ; Shielded Gate MOSFET Technology | Small Outline Packages | FDS89161LZ |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS8958A-F085
onsemi
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1 | Qualified to AEC Q101; Q1: N-Channel 7.0 A, 30 V RDS(ON) = 28 mΩ @ VGS = 10 V RDS(ON) = 40 mΩ @ VGS = 4.5 V ; Q2: P-Channel 5 A, -30 V RDS(ON) = 52 mΩ @ VGS = -10 V RDS(ON) = 80 mΩ @ VGS = -4.5 V ; RoHS compliant; Fast switching speed; High power and handling capability in a widelyused surface mount package | Small Outline Packages | FDS8958A-F085 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS8958A
onsemi
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1 | High power and handling capability in a widely usedsurface mount package ; Fast switching speed ; Q1: N-Channel 7.0 A, 30 V RDS(ON) = 28 mΩ @ VGS = 10 V RDS(ON) = 40 mΩ @ VGS = 4.5 V ; Q2: P-Channel -5 A,-30 V RDS(ON) = 52 mΩ @ VGS = -10 V RDS(ON) = 80 mΩ @ VGS = -4.5 V | Small Outline Packages | FDS8958A |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS89141
onsemi
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1 | Shielded Gate MOSFET Technology; Max rDS(on) = 62 mΩ at VGS = 10 V, ID = 3.5 A; High Performance Trench Technology for Extremely Low rDS(on); RoHS Compliant; 100% UIL Tested; Max rDS(on) = 100 mΩ at VGS = 6 V, ID = 2.8 A; High Power and Current Handling Capability in a Widely Used Surface Mount Package | Small Outline Packages | FDS89141 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS8958A_F085
onsemi
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1 | Fairchild FDS8958A_F085 Dual N/P-channel MOSFET Transistor, 8-Pin SOIC | Small Outline Packages | FDS8958A_F085 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS8958B
onsemi
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1 | Q2 P-Channel Max. RDS(on) = 51 mΩ at VGS = -10 V, ID = -4.5 A Max. RDS(on) = 80 mΩ at VGS = -4.5 V, ID = -3.3 A; RoHS Compliant; HBM ESD protection level > 3.5 kV; Q1 N-Channel Max. RDS(on) = 26 mΩ at VGS = 10 V, ID = 6.4 A Max. RDS(on) = 39 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 5.2 A | Small Outline Packages | FDS8958B |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS8978
onsemi
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1 | RDS(ON) = 18 mΩ, VGS = 10V, ID = 7.5A; RoHS Compliant; RDS(ON) = 21 mΩ, VGS = 4.5V, ID = 6.9A ; Low gate charge; High power and current handling capability; High performance trench technology for extremely low RDS(ON); 100% Rg Tested | Small Outline Packages | FDS8978 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS89161
onsemi
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1 | Max rDS(on) = 171 mΩ at VGS = 6 V, ID = 2.1 A ; 100% UIL Tested ; Shielded Gate MOSFET Technology ; RoHS Compliant ; Max rDS(on) = 105 mΩat VGS= 10 V, ID = 2.7 A ; High power and current handling capability in a widely used surface mount package ; High performance trench technology for extremely low rDS(on) | Small Outline Packages | FDS89161 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS8935
onsemi
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1 | Last Shipments - Dual N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET 40V, 6A, 29mΩ | Small Outline Packages | FDS8935 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS8984
onsemi
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1 | Low gate charge ; Max rDS(on) = 30mΩ, VGS = 4.5V, ID = 6A ; RoHS Compliant ; 100% RG tested ; Max rDS(on) = 23mΩ, VGS = 10V, ID = 7A | Small Outline Packages | FDS8984 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS8949
onsemi
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1 | Max rDS(on) = 29mΩ at VGS = 10V; High performance trench technology for extremely low rDS(on); RoHS compliant; High power and current handling capability; Max rDS(on) = 36mΩ at VGS = 4.5V; Low gate charge | Small Outline Packages | FDS8949 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS8936AD84Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 30V, 0.028ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS8936AD84Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS8947A
Rochester Electronics LLC
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1 | 4A, 30V, 0.052ohm, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SOIC-8 | FDS8947A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS8984-F40
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS8984-F40 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS8958A-SBND001A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), N-Channel and P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS8958A-SBND001A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS8978
Rochester Electronics LLC
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1 | 6.9A, 30V, 0.018ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, SOP-8 | FDS8978 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS8936AF011
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 30V, 0.028ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS8936AF011 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS8949-F085
onsemi
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1 | Dual N-Channel Logic Level PowerTrench® MOSFET 40V, 6A, 29mΩ, SO 8L NB, 2500-REEL, Automotive Qualified | FDS8949-F085 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS8936AL99Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 30V, 0.028ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS8936AL99Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS8928AL86Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 30V, 0.03ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS8928AL86Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS8934A
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 20V, 0.055ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS8934A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS8978
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.9A I(D), 30V, 0.018ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS8978 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS8928A_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 30V, 0.03ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS8928A_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS8984_F085
onsemi
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1 | 30V, 7.0A,19mΩ, SO-8, Logic Level Dual N-Channel PowerTrench®, SO 8L NB, 5000-TAPE REEL | FDS8984_F085 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS8984-F085
onsemi
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1 | N-Channel PowerTrench® MOSFET 30V, 7A, 23mΩ, SO 8L NB, 2500-REEL, Automotive Qualified | FDS8984-F085 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![Part Image](["https://componentsearchengine.com/Images/9/FDS8958A_F085.jpg",null,null])
![Part Image](["https://componentsearchengine.com/Images/9/FDS8935.jpg",null,null])
![Part Image]([null,null,"//content.supplyframe.com/images/process/fit-in/100x100/p/sot23_8.jpg"])
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