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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVBLS0D7N04M8TXG
onsemi
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1 | Obsolete - Silicon Carbide MOSFET, N‐Channel, 1200 V, 160 mΩ, Bare Die | Other | NVBLS0D7N04M8TXG |
3
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NVBLS1D1N08H
onsemi
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1 | Low RDS(on); Low QG and Capacitance; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable; RoHS Compliant | Other | NVBLS1D1N08H |
3
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NVBLS0D8N08XTXG
onsemi
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1 | Low RDS(on); Low QG and Capacitance; NVMFWS1D5N08X − Wettable Flank Option; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable; RoHS Compliant; Small Footprint (5x6 mm) | Other | NVBLS0D8N08XTXG |
3
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NVBLS1D5N10MCTXG
onsemi
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1 | Low RDS(on); Low QG and Capacitance; RoHS Compliant ; AEC Q101- Qualified and PPAP Capable | Other | NVBLS1D5N10MCTXG |
3
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NVBLS0D7N06CAF
onsemi
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1 | MOSFET - Power, Single N-Channel, TOLL 60 V, 0.75 m, 470 A,800 mJ,−55 to +175 °C | Other | NVBLS0D7N06CAF |
3
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NVBLS0D5N04CTXG
onsemi
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1 | Pb-Free and RoHS Compliant; UIS Capability; Low QG and Capacitance; Low RDS(on); AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable | Other | NVBLS0D5N04CTXG |
3
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NVBLS4D0N15MC
onsemi
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1 | Low RDS (ON); Low QG and Capacitance; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable; RoHS Compliant | Other | NVBLS4D0N15MC |
3
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NVBLS001N06CAF
onsemi
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1 | MOSFET - Power, Single N-Channel, TOLL 60 V, 0.9 m, 422 A −55 to+175°C | Other | NVBLS001N06CAF |
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NVBLS0D9N08XTXG
onsemi
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1 | Low RDS(on); Low QG and Capacitance; RoHS Compliant ; AEC Q101- Qualified and PPAP Capable | Other | NVBLS0D9N08XTXG |
3
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NVBLS1D7N10MCTXG
onsemi
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1 | Low RDS(on); Low QG and Capacitance; RoHS Compliant ; AEC Q101- Qualified and PPAP Capable | Other | NVBLS1D7N10MCTXG |
3
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NVBLS1D2N08XTXG
onsemi
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1 | Single N-Channel Power MOSFET 80V, 299 A, 1.1 mΩ | Other | NVBLS1D2N08XTXG |
3
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NVBLS0D5N04M8TXG
onsemi
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1 | Obsolete - Power MOSFET, 40 V, 240 A, 0.75 mΩ, Single N-Channel | Other | NVBLS0D5N04M8TXG |
3
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NVBLS0D8N08X
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 470A I(D), 60V, 0.00075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal Semiconductor FET | NVBLS0D8N08X |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVBLS001N06C
onsemi
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1 | Low RDS(on); Low QG and Capacitance; Soft dynamic transitions; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable; These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant | NVBLS001N06C |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVBLS0D7N06C
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 470A I(D), 60V, 0.00075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal Semiconductor FET, MO-299A | NVBLS0D7N06C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVBLS1D7N10MC
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 265A I(D), 100V, 0.0018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NVBLS1D7N10MC |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVBLS1D5N10MC
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 300A I(D), 100V, 0.0015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-299A | NVBLS1D5N10MC |
1
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NVBLS0D5N04C
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 300A I(D), 40V, 0.00057ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NVBLS0D5N04C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVBLS1D7N08H
onsemi
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1 | Low RDS(on); Los Qg and Capacitance; AEC-Q101 and PPAP capable; RoHS compliant | NVBLS1D7N08H |
1
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