Showing 25 of 521 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMS8622
onsemi
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1 | High power and current handling capability in a widely used surface mount package ; 100% UIL Tested ; High performance trench technology for extremely low rDS(on) ; Termination is Lead-free and RoHS Compliant ; Max rDS(on) = 88 mΩ at VGS = 6 V, ID = 3.9 A ; Max rDS(on) = 56 mΩ at VGS = 10 V, ID = 4.8 A | Other | FDMS8622 |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS86242
onsemi
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1 | 100% UIL Tested; Max rDS(on) = 67 mΩ at VGS = 10 V, ID = 4.1 A; High performance trench technology for extremely low rDS(on); Max rDS(on) = 98mΩ at VGS = 6 V, ID = 3.3 A; RoHS Compliant; High power and current handling capability in a widely usedsurface mount package | Small Outline Packages | FDS86242 |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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B72530G1140S862
TDK
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1 | Chip Varistors / Ceramic Transient Voltage Suppressors, Maximum continuous voltage=16V, Maximum Clamping Voltage (8/20μs)=40V | Varistors Chip | B72530G1140S862 |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TS862AIPT
STMicroelectronics
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1 | ■ Ultra low current consumption (6 µA/comp.at VCC = 2.7 V)■ Rail-to-rail CMOS inputs■ Push-pull outputs■ Supply operation from 2.7 to 10 V■ Low propagation delay■ ESD protection (2 kV)■ Latch-up immunity (class A)TSSOP8 | Small Outline Packages | TS862AIPT |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMS86252L
onsemi
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1 | N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET 150V, 12A, 56mΩ | Other | FDMS86252L |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMS86250
onsemi
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1 | Shielded Gate MOSFET Technology; Max rDS(on) = 25 mΩ at VGS = 10 V, ID = 6.7 A; Max rDS(on) = 33 mΩ at VGS = 6 V, ID = 5.8 A; Advanced package and silicon combinatory for low rDS(on) and high efficiency; MSL1 robust package design; 100% UIL tested; RoHS Compliant | Other | FDMS86250 |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIS862ADN-T1-GE3
Vishay
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1 | N-Channel 60-V (D-S) MOSFET PowerPAK 121 | Other | SIS862ADN-T1-GE3 |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIS862DN-T1-GE3
Vishay
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1 | MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 | Other | SIS862DN-T1-GE3 |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MFS8620BMDA8ES
NXP
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1 | Safety System Basis Chip For Domain Controller, pre-prog, Fit For ASIL D , 100 pF , 1.5 kΩ , -40°C ~ 125°C | Other | MFS8620BMDA8ES |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMS86255
onsemi
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1 | Next generation enhanced body diode technology, engineered for soft recovery ; Max rDS(on) = 15.5 mΩ at VGS = 6 V, ID = 8 A ; Advanced Package and Silicon combination for low rDS(on) and high efficiency ; Shielded Gate MOSFET Technology ; RoHS Compliant ; 100% UIL tested ; Max rDS(on) = 12.4 mΩ at VGS = 10 V, ID = 10 A ; MSL1 robust package design | Other | FDMS86255 |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TS862IYDT
STMicroelectronics
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1 | Rail-to-rail micropower BiCMOS comparators | Small Outline Packages | TS862IYDT |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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B72520G1140S862
TDK
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1 | Chip Varistors / Ceramic Transient Voltage Suppressors, Maximum continuous voltage=16V, Maximum Clamping Voltage (8/20μs)=40V | Varistors Chip | B72520G1140S862 |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TS862IPT
STMicroelectronics
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1 | Rail-to-rail micropower BiCMOS dual comparator | Small Outline Packages | TS862IPT |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMS86201
onsemi
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1 | RoHS Compliant ; 100% UIL tested ; Advanced Package and Silicon combination for low rDS(on)and high efficiency ; Max rDS(on) = 11.5 mΩ at VGS = 10 V, ID = 11.6 A ; Max rDS(on) = 14.5 mΩ at VGS = 6 V, ID = 10.7 A ; MSL1 robust package design ; Shielded Gate MOSFET Technology | Other | FDMS86201 |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMS86200DC
onsemi
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1 | RoHS Compliant ; Max rDS(on) = 25 mΩ at VGS = 6 V, ID = 7.8 A ; High performance technology for extremely low rDS(on) ; 100% UIL tested ; Shielded Gate MOSFET Technology ; Max rDS(on) = 17 mΩ at VGS = 10 V, ID = 9.3 A ; Dual Cool™ Top Side Cooling PQFN package | Other | FDMS86200DC |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS86267P
onsemi
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1 | Max rDS(on) = 290 mΩ at VGS = -6 V, ID = -2 A ; RoHS Compliant ; This Product is Optimised for Fast Switching Applications as well as Load Switch Applications ; Very Low rDS(on) Mid Voltage P-channel Silicon Technology Optimised for Low Qg; Max rDS(on) = 255 mΩ at VGS = -10 V, ID = -2.2 A ; Shielded Gate MOSFET Technology ; 100% UIL Tested | Small Outline Packages | FDS86267P |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS86240
onsemi
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1 | RoHS Compliant; 100% UIL Tested; Max rDS(on) = 19.8 mΩ at VGS = 10 V, ID = 7.5 A; High Power and Current Handling Capability in a Widely Used Surface Mount Package; Max rDS(on) = 26 mΩ at VGS = 6 V, ID = 6.4 A; High Performance Trench Technology for Extremely Low rDS(on) | Small Outline Packages | FDS86240 |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TS862IYD
STMicroelectronics
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1 | Rail-to-rail micropower BiCMOS comparators | Small Outline Packages | TS862IYD |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMS86252
onsemi
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1 | MSL1 robust package design ; 100% UIL tested ; Advanced Package and Silicon combination for low rDS(on) and high efficiency ; Max rDS(on) = 51 mΩ at VGS = 10 V, ID = 4.6 A ; RoHS Compliant ; Max rDS(on) = 70 mΩ at VGS = 6 V, ID = 3.9 A ; Shielded Gate MOSFET Technology | Other | FDMS86252 |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS86252
onsemi
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1 | Max rDS(on) = 80 mΩ at VGS = 6 V, ID = 3.7 A; 100% UIL Tested; High power and current handling capability in a widely used surface mount package; Max rDS(on) = 55 mΩ at VGS = 10 V, ID = 4.5 A; High performance trench technology for extremely low rDS(on); RoHS Compliant | Small Outline Packages | FDS86252 |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TS862IDT
STMicroelectronics
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1 | Rail-to-rail micropower BiCMOS dual comparator | Small Outline Packages | TS862IDT |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMS86200E
onsemi
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0 | FET 150V 18.0 MOHM PQFN56 | Other | FDMS86200E |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TS862AIDT
STMicroelectronics
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1 | Rail-to-rail micropower BiCMOS comparators | Small Outline Packages | TS862AIDT |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMS86202
onsemi
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1 | Max rDS(on)= 7.2 mΩ at VGS = 10 V, ID= 13.5 A ; 100% UIL tested ; RoHS Compliant ; Shielded Gate MOSFET Technology ; MSL1 robust package design ; Advanced Package and Silicon combination for low rDS(on) and high efficiency ; Max rDS(on)= 10.3 mΩ at VGS = 6 V, ID= 11.5 A | Other | FDMS86202 |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMS86200
onsemi
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1 | 100% UIL tested ; RoHS Compliant ; MSL1 robust package design ; Advanced Package and Silicon combination for low rDS(on) and high efficiency ; Max rDS(on) = 21 mΩ at VGS = 6 V, ID = 8.8 A ; Shielded Gate MOSFET Technology ; Max rDS(on) = 18 mΩ at VGS = 10 V, ID = 9.6 A | Other | FDMS86200 |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||