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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTHL020N120SC1
onsemi
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1 | 1200V; Max RDS(on) = 28mΩ at Vgs = 20V, Id = 60A; High Speed Switching and Low Capacitance; 100% UIL Tested | Other | NTHL020N120SC1 |
3
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NTBG020N120SC1
onsemi
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1 | Low On Resistance; Ultra Low Gate Charge; High Junction Temperature; High UIS, Surge Current, and Avalanche | Other | NTBG020N120SC1 |
3
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NTHL080N120SC1A
onsemi
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1 | 1200V rated; Max RDS(on) = 110mΩ at Vgs = 20V, Id = 20A; High Speed Switching and Low Capacitance; 100% UIL Tested | Transistor Outline, Vertical | NTHL080N120SC1A |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVBG080N120SC1
onsemi
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1 | Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N‐Channel - EliteSiC, 80 mΩ , 1200 V, M1, D2PAK−7L | Other | NVBG080N120SC1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVBG160N120SC1
onsemi
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1 | Qualified for Automotive According to AEC−Q101; 1200V rated; High Speed Switching and Low Capacitance; 100% UIL Tested; Devices are RoHS Compliant | Other | NVBG160N120SC1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTHL160N120SC1
onsemi
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1 | Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 160 mohm, 1200V, M1, TO-247-3L | Transistor Outline, Vertical | NTHL160N120SC1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTH4L080N120SC1
onsemi
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1 | High Junction Temperature; High UIS, Surge Current, and Avalanche; 1200V | Other | NTH4L080N120SC1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVHL020N120SC1
onsemi
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1 | Max RDS(on) = 28mΩ at Vgs = 20V, Id = 60A; High Speed Switching and Low Capacitance; Qualified for Automotive According to AEC−Q101; Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant; 1200V rated | Transistor Outline, Vertical | NVHL020N120SC1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTHL080N120SC1
onsemi
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1 | 1200V rated; Max RDS(on) = 110mΩ at Vgs = 20V, Id = 20A; High Speed Switching and Low Capacitance; 100% UIL Tested | Transistor Outline, Vertical | NTHL080N120SC1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVH4L020N120SC1
onsemi
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1 | Max RDS(on) = 28mΩ at Vgs = 20V, Id = 60A; Qualified for Automotive According to AEC−Q101; High Speed Switching and Low Capacitance; Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant | Other | NVH4L020N120SC1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVH4L080N120SC1
onsemi
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1 | 1200V; High Junction Temperature; High UIS, Surge Current, and Avalanche; Qualified for Automotive | Other | NVH4L080N120SC1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTH4L040N120SC1
onsemi
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1 | High Speed Switching and Low Capacitance; 100% UIL Tested; Max RDS(on) = 56mΩ at Vgs = 20V, Id = 35A; 1200V Rated | Other | NTH4L040N120SC1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVBG020N120SC1
onsemi
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1 | 1200V rated; Max RDS(on) = 28 mΩ at Vgs = 20V, Id = 60A; High Speed Switching and Low Capacitance; 100% UIL Tested; Qualified for Automotive According to AEC−Q101; Devices are RoHS Compliant | Other | NVBG020N120SC1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTBG080N120SC1
onsemi
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1 | Low On Resistance; Ultra Low Gate Charge; High Junction Temperature; Low Effective Output Capacitance; This device is RoHS Compliant | Other | NTBG080N120SC1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVHL080N120SC1
onsemi
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1 | 1200V rated; Max RDS(on) = 110mΩ at Vgs = 20V, Id = 20A; High Speed Switching and Low Capacitance; 100% UIL Tested; Qualified for Automotive According to AEC−Q101; Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant | Transistor Outline, Vertical | NVHL080N120SC1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTHL040N120SC1
onsemi
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1 | Max RDS(on) = xxmΩ at Vgs = 20V, Id = 20A; High Speed Switching and Low Capacitance; 100% UIL Tested | Transistor Outline, Vertical | NTHL040N120SC1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SVHL080N120SC1
onsemi
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1 | Silicon Carbide (SiC) MOSFET uses a completely new technologythat provide superior switching performance and higher reliabilitycompared to Silicon. In addition, the low ON resistance and compactchip size ensure low capacitance and gate charge | Transistor Outline, Vertical | SVHL080N120SC1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVH4L160N120SC1
onsemi
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1 | High Junction Temperature; 1200V; High UIS, Surge Current, and Avalanche; Qualified for Automotive | Other | NVH4L160N120SC1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTH4L160N120SC1
onsemi
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1 | High Junction Temperature; 1200V; High UIS, Surge Current, and Avalanche | Other | NTH4L160N120SC1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVHL040N120SC1
onsemi
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1 | Max RDS(on) = xxmΩ at Vgs = 20V, Id = 20A; High Speed Switching and Low Capacitance; Qualified for Automotive According to AEC−Q101; Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant | Transistor Outline, Vertical | NVHL040N120SC1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTBG040N120SC1
onsemi
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1 | Low On Resistance; Ultra Low Gate Charge; High Speed Switching and Low Capacitance; 100% UIL Tested; Devices are RoHS Compliant | Other | NTBG040N120SC1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVHL160N120SC1
onsemi
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1 | 1200V rated; High Speed Switching and Low Capacitance; Qualified for Automotive According to AEC−Q101 | Transistor Outline, Vertical | NVHL160N120SC1 |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BGM220SC12WGA2R
Silicon Labs
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1 | Bluetooth Bluetooth v5.2 Transceiver Module 2.4GHz ~ 2.4835GHz Integrated, Chip Surface Mount | Other | BGM220SC12WGA2R |
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2220SC103MAT1A
Kyocera AVX
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1 | AVX - 2220SC103MAT1A - SMD Multilayer Ceramic Capacitor, High Voltage, 10000 pF, 1.5 kV, 2220 [5650 Metric], ± 20%, X7R | Capacitor Chip Non-polarised | 2220SC103MAT1A |
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NTH4L020N120SC1
onsemi
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1 | Max RDS(on) = 28mΩ at Vgs = 20V, Id = 60A; High Speed Switching and Low Capacitance; 100% UIL Tested; 1200V Rated | Other | NTH4L020N120SC1 |
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