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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD86367-F085
onsemi
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1 | AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable; RoHS Compliant; Low RDS(on); Low QG(tot) and Capacitance | Other | FDD86367-F085 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD86113LZ
onsemi
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1 | Shielded Gate MOSFET Technology; Max rDS(on) = 104 mΩ at VGS = 10 V, ID = 4.2 A; Max rDS(on) = 156 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 3.4 A; HBM SD Protection Level > 6 kV typical (Note 4); High Performance Trench Technology for Extremely Low rDS(on); High Power and Current Handling Capability in a widely used surface mount package; 100% UIL Tested; RoHS Compliant | Other | FDD86113LZ |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD86080-F085
onsemi
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1 | Obsolete - N-Channel PowerTrench MOSFET 100 V, 21 A, 31.5 mΩ | Other | FDD86080-F085 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD86381-F085
onsemi
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1 | Low RDS(on); AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable; Low QG and Capacitance; RoHS Compliant | Other | FDD86381-F085 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD86369-F085
onsemi
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1 | Low RDS(on); Low QG and Capacitance; RoHS Compliant; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable | Other | FDD86369-F085 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD8647L
onsemi
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1 | 100% UIL tested ; RoHS Compliant ; Max rDS(on) = 9 mΩ at VGS = 10 V, ID = 13 A ; Max rDS(on) = 13 mΩat VGS = 4.5 V, ID = 11 A ; Fast Switching | Other | FDD8647L |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD86367
onsemi
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1 | Typical RDS(on) = 3.3 mΩ at VGS = 10 V, ID = 80 A; Typical Qg(TOT) = 68 nC at VGS = 10 V, ID = 80 A; UIS Capability; RoHS Compliant | Other | FDD86367 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD86567-F085
onsemi
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1 | Typical RDS(on) = 2.6 mΩ at VGS = 10V, ID = 80 A ; RoHS Compliant ; Qualified to AEC Q101 ; Typical Qg(tot) = 63 nC at VGS = 10V, ID = 80 A ; UIS Capability | Other | FDD86567-F085 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD86252
onsemi
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1 | 100% UIL tested ; Max rDS(on) = 72 mΩ at VGS = 6 V, ID = 4 A ; Max rDS(on) = 52 mΩ at VGS = 10 V, ID = 5 A ; RoHS Compliant ; Shielded Gate MOSFET Technology | Other | FDD86252 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD86110
onsemi
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1 | Shielded Gate PowerTrench® MOSFET, N-Channel, 100 V, 50 A, 10.2 mΩ | Other | FDD86110 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD86250
onsemi
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1 | N-Channel Shielded Gate PowerTrench ® MOSFET 150 V, 51 A, 22 m ΩD-PAK TO-252 | Other | FDD86250 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD86102
onsemi
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1 | High power and current handling capability in a widely used surface mount package ; High performance trench technology for extremely low rDS(on) ; 100% UIL tested ; RoHS Compliant ; Max rDS(on) = 24 mΩ at VGS = 10 V, ID = 8 A ; Max rDS(on) = 38 mΩ at VGS = 6 V, ID = 6 A ; Very low Qg and Qgd compared to competing trench technologies; Fast switching speed | Other | FDD86102 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD86540
onsemi
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1 | Max rDS(on) = 5 mΩ at VGS = 8 V, ID = 19.5 A; RoHS Compliant; Max rDS(on) = 4.1 mΩ at VGS = 10 V, ID = 21.5 A; 100% UIL tested | Other | FDD86540 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD86369
onsemi
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1 | UIS capability; Typical rDS(ON) = 5.9mΩ at VGS = 10V, ID = 80A; RoHS Compliant; Typical Qg(tot) = 34 nC at VGS = 10V, ID = 80A | Other | FDD86369 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD86326
onsemi
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1 | N-Channel Shielded Gate PowerTrench ® MOSFET 80 V, 37 A, 23 mΩ D-PAK(TO-252) | Other | FDD86326 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD86380-F085
onsemi
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1 | Low RDS(on); Low QG and Capacitance; RoHS Compliant; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable | Other | FDD86380-F085 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD86250-F085
onsemi
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1 | Typical RDS(on) = 19.4 mΩ at VGS = 10V, ID = 20 A; Typical Qg(tot) = 28 nC at VGS = 10V, ID = 40 A; UIS Capability; RoHS Compliant; Qualified to AEC Q101 | Other | FDD86250-F085 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD86580-F085
onsemi
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1 | N-Channel PowerTrench® MOSFET 60 V, 50 A, 10 mΩ, TO-252 3L (DPAK), 2500-REEL, Automotive Qualified | FDD86580-F085 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD86326
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 80V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FDD86326 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD86069-F085
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 51A I(D), 100V, 0.0105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | FDD86069-F085 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD86581-F085
onsemi
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1 | N-Channel PowerTrench® MOSFET 60 V, 25 A, 15 mΩ, TO-252 3L (DPAK), 2500-REEL, Automotive Qualified | FDD86581-F085 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD86380_F085
onsemi
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1 | 80 V N-Channel PowerTrench® MOSFET, TO-252 3L (DPAK), 5000-TAPE REEL | FDD86380_F085 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD8647L
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 40V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FDD8647L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD86567_F085
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 60V, 0.0032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3/2 | FDD86567_F085 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD86102LZ
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 100V, 0.0225ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FDD86102LZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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