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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI2323DS-T1-E3
Vishay
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1 | SI2323DS-T1-E3, P-channel MOSFET Transistor 3.7 A 20 V, 3-Pin SOT-23, TO-236 | SOT23 (3-Pin) | SI2323DS-T1-E3 |
3
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SI2328DS-T1-E3
Vishay
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1 | SI2328DS-T1-E3, N-channel MOSFET Transistor 1.15 A 100 V, 3-Pin TO-236 | SOT23 (3-Pin) | SI2328DS-T1-E3 |
3
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SI2325DS-T1-BE3
Vishay
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1 | MOSFET P-CHANNEL 150-V (D-S) | SOT23 (3-Pin) | SI2325DS-T1-BE3 |
3
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SI2321K-TP
MCC
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1 | SI2321K-TP | SOT23 (3-Pin) | SI2321K-TP |
3
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SI2324A-TP
MCC
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1 | N-Channel 100 V 2A (Tj) 1.2W Surface Mount SOT-23 | SOT23 (3-Pin) | SI2324A-TP |
3
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SI2323CDS-T1-GE3
Vishay
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1 | Vishay SI2323CDS-T1-GE3 P-channel MOSFET Transistor, 6 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 | SOT23 (3-Pin) | SI2323CDS-T1-GE3 |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI2323DDS-T1-BE3
Vishay
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1 | TrenchFET® Power MOSFET • 100 % Rg Tested • Material categorization:For definitions of compliance please seewww.vishay.com/doc?99912 | SOT23 (3-Pin) | SI2323DDS-T1-BE3 |
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SI2329DS-T1-GE3
Vishay
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1 | Vishay SI2329DS-T1-GE3 P-channel MOSFET Transistor, 6 A, -8 V, 3-Pin TO-236 | SOT23 (3-Pin) | SI2329DS-T1-GE3 |
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SI2323DS-T1-BE3
Vishay
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1 | MOSFETs SOT23 P CHAN 20V | SOT23 (3-Pin) | SI2323DS-T1-BE3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI2325DS-T1-GE3
Vishay
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1 | MOSFET -150V Vds 20V Vgs SOT-23 | SOT23 (3-Pin) | SI2325DS-T1-GE3 |
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SI2328DS-T1-GE3
Vishay
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1 | N-Channel 100 V 1.15A (Ta) 730mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236), -55°C ~ 150°C | SOT23 (3-Pin) | SI2328DS-T1-GE3 |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI2325DS-T1-E3
Vishay
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1 | SI2325DS-T1-E3, P-channel MOSFET Transistor 0.53 A 150 V, 3-Pin TO-236 | SOT23 (3-Pin) | SI2325DS-T1-E3 |
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SI2323DS-T1-GE3
Vishay
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1 | VISHAY - SI2323DS-T1-GE3 - P CHANNEL MOSFET, -20V, 4.7A TO-236, FULL REEL | SOT23 (3-Pin) | SI2323DS-T1-GE3 |
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SI2321-TP
MCC
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1 | P-Channel 20 V 2.9A (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-23 | SOT23 (3-Pin) | SI2321-TP |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI2323DDS-T1-GE3
Vishay
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1 | VISHAY - SI2323DDS-T1-GE3 - Power MOSFET, P Channel, 20 V, 5.3 A, 0.032 ohm, SOT-23, Surface Mount | SOT23 (3-Pin) | SI2323DDS-T1-GE3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI2328DS
Vishay
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1 | Transistor | SOT23 (3-Pin) | SI2328DS |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI2321-13P
MCC
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1 | P-Channel 20 V 2.9A (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-23 | SOT23 (3-Pin) | SI2321-13P |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1 | N-Channel MOSFET | SOT23 (3-Pin) | SI2324AHE3-TP-A001 |
3
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI2329DS-T1-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 6A I(D), 8V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB | SI2329DS-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI2323DST1E3
Vishay Dale
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0 | TRANSISTOR - MOSFET P-CHANNEL POWER 4.7A 20V 39MOHM SMT | SI2323DST1E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI2321
Shenzhen Heketai Electronics Co Ltd
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1 | P-channel low voltage MOSFET in SOT-23 package with -20V drain-source voltage, -2.9A continuous drain current at 25°C, and on-resistance of 57mΩ at -4.5V gate-source voltage. | SI2321 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI2328DS-T1
Vishay Siliconix
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.15A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236 | SI2328DS-T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI2323DST1
Vishay Dale
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0 | TRANSISTOR, MOSFET -20V SI2323DS, SOT-23 | SI2323DST1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI2328DS-T1
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.15A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | SI2328DS-T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI2323DS-T1-E3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 20V, 0.039ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, TO-236AB | SI2323DS-T1-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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