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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMD82100L
onsemi
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1 | 100% UIL tested; Termination is Lead-free and RoHS Compliant; Max rDS(on) = 30 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 5.7 A; Kelvin High Side MOSFET drive pin-out capability; Ideal for flexible layout in primary side of bridge topology; Max rDS(on) = 19.5 mΩ at VGS = 10 V, ID = 7 A | Other | FDMD82100L |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMD8630
onsemi
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1 | Lifetime - Dual N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 66A, 4.7mΩ | Other | FDMD8630 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMD8560L
onsemi
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1 | Last Shipments - Dual N-Channel PowerTrench MOSFET 80V, 82A, 4.6mΩ | Other | FDMD8560L |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMD8280
onsemi
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1 | MOSFET FET 80V 8.2 MOHM PQFN | Other | FDMD8280 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMD84100
onsemi
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1 | Obsolete - Dual N-Channel PowerTrench MOSFET, 30V, 28A, 2.12mΩ | Other | FDMD84100 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMD8430
onsemi
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1 | Lifetime - Dual N-Channel PowerTrench MOSFET 40V, 87A, 2.6mΩ | Other | FDMD8430 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMD85100
onsemi
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1 | Termination is Lead-free and RoHS Compliant ; 100% UIL tested ; Q2: N-Channel Max rDS(on) = 9.9 mΩ at VGS = 10 V, ID = 10.4 A Max rDS(on) = 16.4 mΩ at VGS = 6 V, ID = 8 A ; Kelvin High Side MOSFET drive pin-out capability ; Ideal for flexible layout in primary side of bridge topology ; Q1: N-Channel Max rDS(on) = 9.9 mΩ at VGS = 10 V, ID = 10.4 A Max rDS(on) = 16.4 mΩ at VGS = 6 V, ID = 8 A | Other | FDMD85100 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMD8540L
onsemi
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1 | 100% UIL Tested; Ideal for Flexible Layout in Primary Side of Bridge Topology; Kelvin High Side MOSFET Drive Pin-out Capability; Q1: N-Channel Max rDS(on) = 1.5 mΩ at VGS = 10 V, ID = 33 A Max rDS(on) = 2.2 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 26 A; RoHS Compliant; Q2: N-Channel Max rDS(on) = 1.5 mΩ at VGS = 10 V, ID = 33 A Max rDS(on) = 2.2 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 26 A | Other | FDMD8540L |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMD86100
onsemi
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1 | 100% UIL tested ; Max rDS(on) = 10.5 mΩ at VGS = 10 V, ID = 10 A ; Max rDS(on) = 17.3 mΩ at VGS = 6 V, ID = 7.8 A ; Ideal for flexible layout in secondary side synchronous rectification ; Termination is Lead-free and RoHS Compliant ; Shielded Gate MOSFET Technology ; Common source configuration to eliminate PCB routing; Large source pad on bottom of package for enhanced thermals | Other | FDMD86100 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMD8260LET60
onsemi
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1 | Last Shipments - Dual N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 21A, 20mΩ | Other | FDMD8260LET60 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMD8530
onsemi
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1 | Last Shipments - Dual N-Channel PowerTrench MOSFET 40V, 156A, 1.5mΩ | Other | FDMD8530 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMD8440L
onsemi
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1 | Max rDS(on) = 2.6 mΩ at VGS = 10 V, ID = 21 A; Max rDS(on) = 3.8 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 17 A; Ideal for Flexible Layout in Secondary Side Synchronous Rectification; 100% UIL Tested; Termination is Lead-free and RoHS compliant | Other | FDMD8440L |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMD8680
onsemi
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1 | Large Source Pad on Bottom of Package for Enhanced Thermals; Max rDS(on) = 4.7 mΩ at VGS = = 10 V, ID = 16 A; Max rDS(on) = 6.4 mΩ at VGS = = 8 V, ID = 14 A; Ideal for Flexible Layout in Secondary Side Synchronous Rectification; 100% UIL Tested; Termination is Lead-free and RoHS Compliant; Common source configuration to Eliminate PCB Routing | Other | FDMD8680 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMD8580
onsemi
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1 | Kelvin High Side MOSFET Drive Pin-out Capability; Q1: N-Channel Max rDS(on) = 4.6 mΩ at VGS = 10 V, ID = 16 A Max rDS(on) = 6.0 mΩ at VGS = 8 V, ID = 14 A; Ideal for Flexible Layout in Primary Side of Bridge Topology ; 100% UIL Tested; RoHS Compliant; Q2: N-Channel Max rDS(on) = 4.6 mΩ at VGS = 10 V, ID = 16 A Max rDS(on) = 6.0 mΩ at VGS = 8 V, ID = 14 A | Other | FDMD8580 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMD82100
onsemi
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 7A I(D), 100V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDMD82100 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMD8240LET40
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 103A I(D), 40V, 0.0026ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDMD8240LET40 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMD8240LET40
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor | FDMD8240LET40 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMD8260L
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 64A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FDMD8260L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMD8680
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor | FDMD8680 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMD82100L
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 7A I(D), 100V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDMD82100L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMD8900
onsemi
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1 | N-Channel PowerTrench® MOSFET 30V | FDMD8900 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMD82100
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 7A I(D), 100V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDMD82100 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMD8260L
onsemi
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1 | Dual N-Channel Power Trench® MOSFET 60V, 5.8mΩ | FDMD8260L |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMD8280
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 11A I(D), 80V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDMD8280 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMD84100
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 100V, 0.02ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-229 | FDMD84100 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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