Showing 25 of 250 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS6670A
onsemi
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1 | Low gate charge; Fast switching speed; 13 A, 30 V; RDS(ON) = 10 mΩ @ VGS = 4.5 V; High power and current handling capability; High performance trench technology for extremely low RDS(ON); RDS(ON) = 8 mΩ @ VGS = 10 V | Small Outline Packages | FDS6670A |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS6673BZ
onsemi
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1 | Extended VGS range (-25V) for battery applications ; High performance trench technology for extremely low rDS(on) ; RoHS compliant ; Max rDS(on) = 7.8mΩ, VGS = -10V, ID = -14.5A ; Max rDS(on) = 12mΩ, VGS = -4.5V, ID = -12A ; High power and current handling capability ; HBM ESD protection level of 6.5kV typical (note 3) | Small Outline Packages | FDS6673BZ |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS6692A
onsemi
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1 | Last Shipments - N-Channel PowerTrench SyncFET, 30V, 21A, 3.6mΩ | Small Outline Packages | FDS6692A |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS6612A
onsemi
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1 | Low gate charge ; Fast switching speed ; RDS(ON) = 22 mΩ @ VGS = 10 V ; High power and current handling capability ; High performance trench technology for extremely low RDS(ON) ; 8.4 A, 30 V ; RDS(ON) = 30 mΩ @ VGS = 4.5 V | Small Outline Packages | FDS6612A |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS6690AS
onsemi
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1 | Obsolete - N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 9A, 11.5mΩ | Small Outline Packages | FDS6690AS |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS6675
onsemi
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1 | Obsolete - 30V N-Channel PowerTrench SyncFET 14.5A, 6.0mΩ | Small Outline Packages | FDS6675 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS6680A
onsemi
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1 | Ultra-low gate charge ; High performance trench technology for extremely low RDS(ON) ; RDS(ON) = 13 mΩ @ VGS = 4.5 V ; RDS(ON) = 9.5 mΩ @ VGS = 10 V ; 12.5 A, 30 V ; High power and current handling capability | Small Outline Packages | FDS6680A |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS6675BZ
onsemi
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1 | Max rDS(on) = 13mΩ at VGS = -10V, ID = -11A ; Extended VGS range (-25V) for battery applications ; RoHS Compliant ; High performance trench technology for extremely low rDS(on) ; Max rDS(on) = 21.8mΩ at VGS = -4.5V, ID = -9A ; HBM ESD protection level of 5.4 KV typical (note 3) ; High power and current handing capability | Small Outline Packages | FDS6675BZ |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS6670AS
onsemi
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1 | 13.5A, 30V RDS(on) = 9.0mΩ @ VGS = 10V RDS(on) = 11.5mΩ @ VGS = 4.5V ; High power and current handling capability ; Low gate charge (27nC typical) ; RoHS Compliant ; Includes SyncFET Schottky body diode ; High performance trench technology for extremely lowRDS(ON) and fast switching | Small Outline Packages | FDS6670AS |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS6682
onsemi
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1 | High power and current handling capability; High performance trench technology for extremelylow RDS(ON); RDS(ON) = 7.5 mΩ @ VGS = 10 V; 14 A, 30 V; Low gate charge (22 nC typical); RDS(ON) = 9.0 mΩ @ VGS = 4.5 V | Small Outline Packages | FDS6682 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS6673BZ
Rochester Electronics
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1 | P-Channel 30 V 14.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC | Small Outline Packages | FDS6673BZ |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS6679
onsemi
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1 | Obsolete - Single N-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET 30V, 12.5A, 9.5mΩ | Small Outline Packages | FDS6679 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS6679AZ
onsemi
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1 | Max rDS(on) = 14.8mΩ at VGS = -4.5V, ID = -11A; HBM ESD protection level of 6kV typical (note 3); High power and current handing capability; Extended VGS range (-25V) for battery applications; High performance trench technology for extremely lowrDS(on); High power and current handing capability; Max rDS(on) = 9.3mΩat VGS = -10V, ID = -13A | Small Outline Packages | FDS6679AZ |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS6680AS
onsemi
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1 | Last Shipments - N-Channel PowerTrench MOSFET, 30V, 14A, 7.5mΩ | Small Outline Packages | FDS6680AS |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS6690A
onsemi
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1 | Low gate charge; High power and current handling capability; RDS(ON) = 12.5 mΩ @ VGS = 10 V; 11 A, 30 V; High performance trench technology for extremely low RDS(ON); Fast switching speed; RDS(ON) = 17.0 mΩ @ VGS = 4.5 V | Small Outline Packages | FDS6690A |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS6630A
onsemi
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1 | Last Shipments - N-Channel PowerTrench SyncFET, 30V, 13.5A, 9.0mΩ | Small Outline Packages | FDS6630A |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS6676AS
onsemi
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1 | Obsolete - P-Channel PowerTrench MOSFET, 30V, -13A, 9mΩ | Small Outline Packages | FDS6676AS |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS6681Z
onsemi
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1 | RDS(ON) = 6.5 mΩ @ VGS = -4.5V; RDS(ON) = 4.6 mΩ @ VGS = -10V; -20 A, -30V; Extended VGSS range (–25V) for battery applications; HBM ESD protection level of 8kV typical (note 3); High performance trench technology for extremely low RDS(ON); High power and current handling capability; Termination is Lead-free and RoHS Compliant | Small Outline Packages | FDS6681Z |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS6679ZD84Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS6679ZD84Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS6690_NL
Rochester Electronics LLC
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1 | 10000mA, 30V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, SOIC-8 | FDS6690_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS6690AL99Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 0.0125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS6690AL99Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS6682
Rochester Electronics LLC
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1 | 14000mA, 30V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, SO-8 | FDS6682 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS6688A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 14.5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS6688A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS6678AD84Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.0075A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS6678AD84Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS6672AL99Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12.5A I(D), 30V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS6672AL99Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||